3d-ic 文章最新資訊

西門(mén)子推出 Symphony Pro 平臺(tái)，大幅擴(kuò)展混合信號(hào) IC 驗(yàn)證能力

· 西門(mén)子先進(jìn)的混合信號(hào)仿真平臺(tái)可加速混合信號(hào)驗(yàn)證，助力提升生產(chǎn)效率多達(dá)10倍· Symphony Pro 支持 Accellera 和其他先進(jìn)的數(shù)字驗(yàn)證方法學(xué)，適用于當(dāng)今前沿的混合信號(hào)設(shè)計(jì) 西門(mén)子數(shù)字化工業(yè)軟件近日推出　Symphony? Pro 平臺(tái)，基于原有的　Symphony 混合信號(hào)驗(yàn)證能力，進(jìn)一步擴(kuò)展功能，以全面、直觀(guān)的可視化調(diào)試集成環(huán)境支持新的Accellera 標(biāo)準(zhǔn)化驗(yàn)證方法學(xué)，使得生產(chǎn)效率比傳統(tǒng)解決方案提升
關(guān)鍵字：西門(mén)子混合信號(hào) IC 驗(yàn)證

打造驅(qū)動(dòng)第三代功率半導(dǎo)體轉(zhuǎn)換器的IC生態(tài)系統(tǒng)

受訪(fǎng)人：亞德諾半導(dǎo)體　　大規(guī)模數(shù)據(jù)中心、企業(yè)服務(wù)器和5G電信基站、電動(dòng)汽車(chē)充電站、新能源等基礎(chǔ)設(shè)施的廣泛部署使得功耗快速增長(zhǎng)，因此高效AC/DC電源對(duì)于電信和數(shù)據(jù)通信基礎(chǔ)設(shè)施的發(fā)展至關(guān)重要。近年來(lái)，以氮化鎵(GaN)和碳化硅（SiC）晶體管為代表的第三代功率器件已成為能夠取代硅基MOSFET的高性能開(kāi)關(guān)，從而可提高能源轉(zhuǎn)換效率和密度。新型和未來(lái)的SiC/GaN功率開(kāi)關(guān)將會(huì)給方方面面帶來(lái)巨大進(jìn)步，其巨大的優(yōu)勢(shì)——更高功率密度、更高工作頻率、更高電壓和更高效率，將有助于實(shí)現(xiàn)更緊湊、更具成本效益的功率應(yīng)用。好馬
關(guān)鍵字： 202207 ADI 第三代半導(dǎo)體 IC 功率器件

TrendForce：預(yù)計(jì)第三季度驅(qū)動(dòng) IC 價(jià)格降幅將擴(kuò)大至 8%-10%

IT之家 7 月 15 日消息，TrendForce 集邦咨詢(xún)報(bào)告顯示，在供需失衡、庫(kù)存高漲的狀況下，預(yù)計(jì)第三季度驅(qū)動(dòng) IC 的價(jià)格降幅將擴(kuò)大至 8%-10% 不等，且不排除將一路跌至年底。IT之家了解到，TrendForce 集邦咨詢(xún)進(jìn)一步表示，中國(guó)面板驅(qū)動(dòng) IC 供貨商為了鞏固供貨動(dòng)能，更愿意配合面板廠(chǎng)的要求，價(jià)格降幅可達(dá)到 10%-15%。報(bào)告指出，在需求短期間難以好轉(zhuǎn)下，面板驅(qū)動(dòng) IC 價(jià)格不排除將持續(xù)下跌，且有極大可能會(huì)比預(yù)估的時(shí)間更早回到 2019 年的起漲點(diǎn)。此外，TrendFor
關(guān)鍵字： IC TrendForce 市場(chǎng)

無(wú)毛刺監(jiān)控器IC不再只是一個(gè)概念

可靠的電壓監(jiān)控器IC始終是工業(yè)界的行業(yè)需求，因?yàn)樗梢蕴岣呦到y(tǒng)可靠性，并在電壓瞬變和電源故障時(shí)提升系統(tǒng)性能。半導(dǎo)體制造商也在不斷提高電壓監(jiān)控器IC的性能。監(jiān)控器IC需要一個(gè)稱(chēng)為上電復(fù)位（VPOR）的最低電壓來(lái)生成明確或可靠的復(fù)位信號(hào)，而在該最低電源電壓到來(lái)之前，復(fù)位信號(hào)的狀態(tài)是不確定的。一般來(lái)說(shuō)，我們將其稱(chēng)之為復(fù)位毛刺。復(fù)位引腳主要有兩種不同的拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)，即開(kāi)漏和推挽（圖1），兩種拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)都使用NMOS作為下拉MOSFET。圖1. 復(fù)位拓?fù)涞拈_(kāi)漏配置和推挽配置圖2. 復(fù)位電壓如何與上拉電壓（VPULLUP）
關(guān)鍵字： ADI IC

長(zhǎng)江存儲(chǔ)推出UFS 3.1高速閃存，加速5G時(shí)代存儲(chǔ)升級(jí)

近日，長(zhǎng)江存儲(chǔ)科技有限責(zé)任公司（簡(jiǎn)稱(chēng)“長(zhǎng)江存儲(chǔ)”）宣布推出UFS 3.1通用閃存——UC023。這是長(zhǎng)江存儲(chǔ)為5G時(shí)代精心打造的一款高速閃存芯片，可廣泛適用于高端旗艦智能手機(jī)、平板電腦、AR/VR等智能終端領(lǐng)域，以滿(mǎn)足AIoT、機(jī)器學(xué)習(xí)、高速通信、8K視頻、高幀率游戲等應(yīng)用對(duì)存儲(chǔ)容量和讀寫(xiě)性能的嚴(yán)苛需求。UC023的上市標(biāo)志著長(zhǎng)江存儲(chǔ)嵌入式產(chǎn)品線(xiàn)已正式覆蓋高端市場(chǎng)，將為手機(jī)、平板電腦等高端旗艦機(jī)型提供更加豐富靈活的存儲(chǔ)芯片選擇。長(zhǎng)江存儲(chǔ)高級(jí)副總裁陳軼表示：“隨著5G通信、大數(shù)據(jù)、AIoT的加速
關(guān)鍵字：長(zhǎng)江存儲(chǔ) 3D NAND

長(zhǎng)江存儲(chǔ)SSD上新！42mm迷你身材飚出3.9GB/s

這兩年，長(zhǎng)江存儲(chǔ)無(wú)論是NAND閃存還是SSD固態(tài)盤(pán)，都呈現(xiàn)火力全開(kāi)的姿態(tài)，從技術(shù)到產(chǎn)品都不斷推陳出新。6月23日，長(zhǎng)江存儲(chǔ)有發(fā)布了面向OEM市場(chǎng)的商用SSD PC300系列，可用于筆記本、輕薄本、二合一本、一體機(jī)、臺(tái)式機(jī)、物聯(lián)網(wǎng)、嵌入式、服務(wù)器等各種場(chǎng)景，而且同時(shí)支持3.3V、1.8V SideBand電壓，可適配更多平臺(tái)。長(zhǎng)江存儲(chǔ)PC300系列采用了自家的Xtacking 2.0晶棧架構(gòu)的第三代3D NAND閃存芯片，容量256GB、512GB、1TB。提供M.2 2242、M.2 2280兩種形態(tài)規(guī)格
關(guān)鍵字：長(zhǎng)江存儲(chǔ) 3D NAND

存儲(chǔ)芯片從落后20年，到追上三星、美光，中國(guó)廠(chǎng)商只花了6年

近日，有消息稱(chēng)，國(guó)內(nèi)存儲(chǔ)芯片大廠(chǎng)長(zhǎng)江存儲(chǔ)已向客戶(hù)交付了192層堆疊的3D NAND閃存芯片。而預(yù)計(jì)在2022年底或2023年初，會(huì)實(shí)現(xiàn)232層堆疊的3D NAND閃存技術(shù)。這意味著國(guó)內(nèi)存儲(chǔ)芯片廠(chǎng)商，終于追上三星、美光了。要知道美光是前不久才發(fā)布了業(yè)界首個(gè) 232 層堆棧的 3D NAND Flash芯片，而大規(guī)模量產(chǎn)和應(yīng)用要到2022年底或2023年初去了。而三星預(yù)計(jì)也是在2022年內(nèi)推出200層以上的3D NAND閃存芯片，而大規(guī)模應(yīng)用也要到2023年去了。可見(jiàn)，國(guó)產(chǎn)存儲(chǔ)芯片，在技術(shù)上確實(shí)已經(jīng)追上了三星
關(guān)鍵字：長(zhǎng)江存儲(chǔ) 3D NAND

中國(guó)芯片傳來(lái)捷報(bào)，長(zhǎng)江存儲(chǔ)取得技術(shù)突破，正式打破三星壟斷

中國(guó)芯片傳來(lái)捷報(bào)，長(zhǎng)江存儲(chǔ)取得重大技術(shù)突破，正式打破韓國(guó)三星壟斷，目前已經(jīng)完成192層3D NAND閃存樣品生產(chǎn)，預(yù)計(jì)年底實(shí)現(xiàn)大規(guī)模量產(chǎn)交付。長(zhǎng)江存儲(chǔ)一直是我國(guó)優(yōu)秀的存儲(chǔ)芯片企業(yè)，從成立之初就保持著高速穩(wěn)定的發(fā)展?fàn)顟B(tài)，用短短3年的時(shí)間，接連推出了32層NAND閃存，以及64層堆棧3D NAND閃存，成功進(jìn)入了華為Mate40手機(jī)的供應(yīng)鏈。隨后為了縮短和三星、SK海力士、鎧俠等寡頭企業(yè)的距離，長(zhǎng)江存儲(chǔ)直接越級(jí)跳過(guò)了96層，直接進(jìn)入了128層3D NAND 閃存的研發(fā)，并成功在2020年正式宣布研發(fā)成功，它是
關(guān)鍵字：長(zhǎng)江存儲(chǔ) 3D NAND

國(guó)產(chǎn)存儲(chǔ)芯片又取得突破，長(zhǎng)江存儲(chǔ)192層閃存送樣，預(yù)計(jì)年底量產(chǎn)

頭一段時(shí)間，有媒體報(bào)道稱(chēng)，長(zhǎng)江存儲(chǔ)自主研發(fā)的192層3D NAND閃存已經(jīng)送樣，預(yù)計(jì)年底實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)。長(zhǎng)江存儲(chǔ)一直是我們優(yōu)秀的國(guó)產(chǎn)存儲(chǔ)芯片企業(yè)，從成立之初便保持了一個(gè)高速的發(fā)展?fàn)顟B(tài)。2016年成立，2017年便推出了32層NAND閃存。2019年，推出64層堆棧3D NAND閃存，并成功進(jìn)入了華為Mate40手機(jī)的供應(yīng)鏈。為了縮短與三星、SK海力士、鎧俠等行業(yè)大廠(chǎng)的差距，長(zhǎng)江存儲(chǔ)跳過(guò)了96層，直接進(jìn)行了128層3D NAND 閃存的研發(fā)，并在2020年正式宣布研發(fā)成功，它是業(yè)內(nèi)首款128層QLC規(guī)格的3D N
關(guān)鍵字：長(zhǎng)江存儲(chǔ) 3D NAND

imec首度展示晶背供電邏輯IC布線(xiàn)方案推動(dòng)2D/3D IC升級(jí)

比利時(shí)微電子研究中心（imec）于本周舉行的2022年IEEE國(guó)際超大規(guī)模集成電路技術(shù)研討會(huì)（VLSI Symposium），首度展示從晶背供電的邏輯IC布線(xiàn)方案，利用奈米硅穿孔（nTSV）結(jié)構(gòu)，將晶圓正面的組件連接到埋入式電源軌（buried power rail）上。微縮化的鰭式場(chǎng)效晶體管（FinFET）透過(guò)這些埋入式電源軌（BPR）實(shí)現(xiàn)互連，性能不受晶背制程影響。 FinFET微縮組件透過(guò)奈米硅穿孔（nTSV）與埋入式電源軌（BPR）連接至晶圓背面，與晶圓正面連接則利用埋入式電源軌、通孔對(duì)
關(guān)鍵字： imec 晶背供電邏輯IC 布線(xiàn) 3D IC

2021-2022年度（第五屆）中國(guó) IC 獨(dú)角獸榜單出爐

集成電路是信息技術(shù)產(chǎn)業(yè)的核心，是支撐經(jīng)濟(jì)社會(huì)發(fā)展和保障國(guó)家安全的戰(zhàn)略性、基礎(chǔ)性和先導(dǎo)性產(chǎn)業(yè)，是世界主要國(guó)家和地區(qū)搶占工業(yè)經(jīng)濟(jì)制高點(diǎn)的必爭(zhēng)領(lǐng)域。為了進(jìn)一步鼓勵(lì)我國(guó)具有市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)實(shí)力和投資價(jià)值的集成電路企業(yè)健康快速發(fā)展，進(jìn)一步總結(jié)企業(yè)發(fā)展的成功模式，挖掘我國(guó)集成電路領(lǐng)域的優(yōu)秀創(chuàng)新企業(yè)，對(duì)優(yōu)秀企業(yè)進(jìn)行系統(tǒng)化估值，提升企業(yè)的國(guó)際和國(guó)內(nèi)影響力。在連續(xù)成功舉辦四屆遴選活動(dòng)的基礎(chǔ)上，由賽迪顧問(wèn)股份有限公司、北京芯合匯科技有限公司聯(lián)合主辦的2021-2022（第五屆）中國(guó)IC獨(dú)角獸遴選活動(dòng)歷時(shí)兩個(gè)月，收到企業(yè)自薦及機(jī)構(gòu)推薦
關(guān)鍵字： IC 獨(dú)角獸

英飛凌推出全球首款符合ISO26262標(biāo)準(zhǔn)的高分辨率車(chē)用3D圖像傳感器

3D深度傳感器在汽車(chē)座艙監(jiān)控系統(tǒng)中發(fā)揮著著舉足輕重的作用，有助于打造創(chuàng)新的汽車(chē)智能座艙，支持新服務(wù)的無(wú)縫接入，并提高被動(dòng)安全。它們對(duì)于滿(mǎn)足監(jiān)管規(guī)定和NCAP安全評(píng)級(jí)要求，以及實(shí)現(xiàn)自動(dòng)駕駛愿景等都至關(guān)重要。有鑒于此，英飛凌科技股份公司（FSE代碼：IFX / OTCQX代碼：IFNNY）與專(zhuān)注3D ToF（飛行時(shí)間）系統(tǒng)領(lǐng)域的湃安德（pmd）合作，開(kāi)發(fā)出了第二代車(chē)用REAL3?圖像傳感器，該傳感器符合ISO26262標(biāo)準(zhǔn)，具有更高的分辨率。
關(guān)鍵字： 3D 圖像傳感器

英飛凌攜手湃安德為Magic Leap 2開(kāi)發(fā)3D深度傳感技術(shù)，賦能尖端工業(yè)和醫(yī)療應(yīng)用

增強(qiáng)現(xiàn)實(shí)（AR）應(yīng)用將從根本上改變?nèi)祟?lèi)的生活和工作方式。預(yù)計(jì)今年下半年，AR領(lǐng)域的開(kāi)拓者M(jìn)agic Leap將推出其最新的AR設(shè)備Magic Leap 2。Magic Leap 2專(zhuān)為企業(yè)級(jí)應(yīng)用而設(shè)計(jì)，將成為市場(chǎng)上最具沉浸感的企業(yè)級(jí)AR頭顯之一。Magic Leap 2符合人體工學(xué)設(shè)計(jì)，擁有行業(yè)領(lǐng)先的光學(xué)技術(shù)和強(qiáng)大的計(jì)算能力，能夠讓操作人員更高效地開(kāi)展工作，幫助公司優(yōu)化復(fù)雜的流程，并支持員工進(jìn)行無(wú)縫協(xié)作。Magic Leap 2的核心優(yōu)勢(shì)之一是采用了由英飛凌科技股份公司（FSE: IFX / OTCQX:
關(guān)鍵字： 3D s深度傳感

不畏亂流半導(dǎo)體市場(chǎng)逆風(fēng)揚(yáng)

隨著全球通膨疑慮升高及能源成本飆升，加上大陸因疫情實(shí)施封控，以及俄烏戰(zhàn)爭(zhēng)懸而未決，經(jīng)濟(jì)逆風(fēng)對(duì)今年全球經(jīng)濟(jì)成長(zhǎng)將造成挑戰(zhàn)，但包括Gartner及IC Insights等市調(diào)機(jī)構(gòu)仍預(yù)估，今年全球半導(dǎo)體市場(chǎng)仍會(huì)較去年成長(zhǎng)一成以上。IC Insights表示，今年全球半導(dǎo)體總銷(xiāo)售額仍可年增11％，與今年初預(yù)測(cè)相同，但外在變化造成的不確定性，導(dǎo)致芯片銷(xiāo)售成長(zhǎng)幅度或有消長(zhǎng)。其中，微處理器及功率分離式組件銷(xiāo)售將高于先前預(yù)期，包括嵌入式處理器及手機(jī)應(yīng)用處理器成長(zhǎng)強(qiáng)勁，功率組件價(jià)格續(xù)漲且成長(zhǎng)幅度增加，至于CMOS影像傳感器
關(guān)鍵字： Gartner IC Insights 半導(dǎo)體市場(chǎng)

3D DRAM技術(shù)是DRAM的的未來(lái)嗎？

5月25日，有消息傳出，華為將在VLSI Symposium 2022期間發(fā)表其與中科院微電子研究所合作開(kāi)發(fā)的 3D DRAM 技術(shù)。隨著“摩爾定律”走向極限，DRAM芯片工藝提升將愈發(fā)困難。3D DRAM就成了各大存儲(chǔ)廠(chǎng)商突破DRAM工藝極限的新方案。DRAM工藝的極限目前，DRAM芯片最先進(jìn)的工藝是10nm。據(jù)公開(kāi)資料顯示，三星早已在2020年完成了10nm制程DRAM的出貨；美光和SK海力士也在2021年完成了10nm DRAM產(chǎn)品的量產(chǎn)。那么，10nm是DRAM工藝的極限嗎？在回答這個(gè)問(wèn)題之前，我
關(guān)鍵字： DRAM 3D DRAM 華為三星美光制程納米

共2095條 8/140 |‹ « 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 » ›|

3d-ic介紹

3D IC產(chǎn)業(yè)鏈依制程可概略區(qū)分成3大技術(shù)主軸，分別是前段(Front-end)、中段(Middle-end)及后段(Backend)。前段制程涵蓋芯片前段CMOS制程、晶圓穿孔、絕緣層(Isolation)、銅或鎢電鍍(Plating)，由晶圓廠(chǎng)負(fù)責(zé)。為了日后芯片堆疊需求，TSV芯片必須經(jīng)過(guò)晶圓研磨薄化(Wafer Thinning)、布線(xiàn)(RDL)、晶圓凸塊等制程，稱(chēng)之為中段，可由晶圓廠(chǎng)或封測(cè) [ 查看詳細(xì) ]