5 月 27 日消息，小米創辦人、董事長兼 CEO 雷軍今日早發文：“玄戒 O1 最高主頻 3.9GHz，這足以說明我們芯片團隊已經具備相當強的研發設計實力。”官方數據顯示，小米玄戒
O1 處理器安兔兔跑分超過了 300 萬分，擁有 190 億個晶體管，采用了全球最先進的 3nm 工藝，芯片面積僅
109mm2。架構方面，小米玄戒 O1 采用了十核四叢集 CPU，擁有雙超大核、4 顆性能大核、2 顆能效大核、2 顆超級能效核，超大核最高主頻
3.9Hz，單核跑分超 3000 分，多核跑分超 9
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小米 雷軍 芯片 玄戒 O1 處理器 ARM 3nm
今天，小米集團董事長雷軍微博宣布小米自主研發設計的3nm制程手機處理器芯片玄戒O1已開始大規模量產，搭載小米玄戒O1兩款旗艦，小米手機15s pro和小米OLED平板Pad 7 ultra。小米將成為繼蘋果、高通、聯發科后，全球第四家發布自主研發設計3nm制程手機處理器芯片的企業。今年2月，聯發科技CEO蔡力行第四季度財報會議上表示，小米自研手機SoC芯片或將外掛聯發科基帶芯片。根據他的透露，ARM和小米正在促成一項AP芯片的研發項目，聯發科也有參與，并提供調制解調器芯片。此前據外媒WCCFtech報道，
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小米 自研 3nm 芯片
小米最近在宣布其自主開發的智能手機 SoC 芯片 XRING 01 后引起了廣泛關注。據中國媒體《明報》報道，小米首席執行官雷軍 5 月 19 日在微博上透露，該芯片采用 3nm 工藝制造，這標志著中國公司首次成功實現 3nm 芯片設計的突破。這家中國科技巨頭正在加大其芯片開發力度。據《華爾街日報》報道，小米計劃在至少 10 年內投資近 70 億美元用于芯片設計。創始人兼首席執行官雷軍周一在微博上發文透露了這一投資數字。報告指出，小米發言人補充說，這項 500 億元人民幣（相當于 69.4 億美元）的投資
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小米 3nm SoC
5月20日消息，雷軍之前已經宣布了小米自研芯片玄戒O1，而它可能只是一個代號，最終的成品或許會有多個版本。如果熟悉芯片設計的朋友應該都清楚，廠商在規劃一款芯片設計時，必然會有多款相關版本的衍生，所以這更像是一個大類，而非具體到一個型號。有網友發現，Geekbench 6.1.0上出現了小米新機的跑分成績，而主板信息顯示為"O1_asic"，從跑分上看，該機的單核跑分最高 2709、多核跑分8125，比高通驍龍8 Gen 3 的成績還要高一些，可以說表現亮眼。跑分頁面還顯示，該處理器的C
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小米 自研芯 10核 3nm 超驍龍8 Gen 3
5月19日，雷軍微博宣布小米自主研發設計的3nm制程手機處理器芯片玄戒O1即將亮相。小米將成為繼蘋果、高通、聯發科后，全球第四家發布自主研發設計3nm制程手機處理器芯片的企業。回顧了小米第一代自研手機SoC“澎湃S1”的失敗經歷，從2014年9月立項，到2017年正式發布，“因為種種原因，遭遇挫折”，暫停了SoC大芯片的研發，轉向了“小芯片”路線。包含了快充芯片、電池管理芯片、影像芯片、天線增強芯片等“小芯片”，在不同技術賽道中慢慢積累經驗和能力。直到2021年初，小米宣布造車的同時，還在內部重啟“大芯片
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美國馬薩諸塞州沃爾瑟姆的 Finwave Semiconductor Inc 宣布了一輪新的 $8.2m 短期投資，由 Fine Structure Ventures、Engine Ventures 和 Safar Partners 領投，技術合作伙伴 GlobalFoundries 戰略參與。Finwave 認為，新一輪融資表明投資者和行業領導者對其獨特的硅基氮化鎵技術的市場潛力充滿信心，因為它正在從以技術為中心的創新者轉變為產品驅動型公司。這家科技公司由麻省理工學院 （MIT） 的研究人員于 2012
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Finwave 短期投資 GaN FinFET
瑞薩電子將設計印度首款3nm 芯片
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據外媒wccftech報道，高通計劃在2025年9月舉辦的年度驍龍技術論壇上推出新一代旗艦處理器Snapdragon 8 Elite Gen 2。這款處理器預計采用臺積電第三代3納米節點制程N3P打造，相較于前代產品，其性能將有顯著提升。Snapdragon 8 Elite Gen 2將配備全新的Adreno 840 GPU和NPU，其中NPU的處理速度預計達到100TOPS，是Snapdragon X Elite NPU性能（45TOPS）的兩倍以上。性能提升的部分原因在于暫存內存容量增加至16MB，使
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高通 驍龍 3nm
在該公司的北美技術研討會上，臺積電業務發展和海外運營辦公室高級副總裁兼聯合首席運營官 Kevin Zhang 稱其為“最后也是最好的 finfet 節點”。臺積電的策略是開發 N3 工藝的多種變體，創建一個全面的、可定制的硅資源。“我們的目標是讓集成芯片性能成為一個平臺，”Zhang 說。 截至目前，可用或計劃中 N3 變體是：N3B：基準 3nm 工藝。N3E：成本優化的版本，具有更少的 EUV 層數，并且沒有 EUV 雙重圖形。它的邏輯密度低于 N3，但具有更好的良率。N3P：N3E 的增強版本，在相
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FINFET TSMC
4月26日消息，在近日舉辦的北美技術論壇上，臺積電首次公開了N2 2nm工藝的缺陷率(D0)情況，比此前的7nm、5nm、3nm等歷代工藝都好的多。臺積電沒有給出具體數據，只是比較了幾個工藝缺陷率隨時間變化的趨勢。臺積電N2首次引入了GAAFET全環繞晶體管，目前距離大規模量產還有2個季度，也就是要等到年底。N2試產近2個月來，缺陷率和同期的N5/N4差不多，還稍微低一點，同時顯著優于N7/N6、N3/N3P。從試產到量產半年的時間周期內，N7/N6的綜合缺陷率是最高的，N3/N3P從量產開始就低得多了，
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去年末有報道稱，小米即將迎來了自己的SoC，已完成了其首款3nm自研芯片的流片工作，剩下唯一的步驟就是與代工合作伙伴確定訂單，批量生產自己設計的芯片。小米曾在2017年推出了澎湃S1，搭載于小米5c，對SoC并不陌生。據Wccftech報道，雖然中國大陸的芯片設計公司或許不能采用臺積電（TSMC）最新的制造工藝，但最新消息指出，相關的管制措施暫時沒有影響到小米，該款SoC有望在今年晚些時候推出。不過與之前的消息有些不同，小米的自研芯片采用的并非3nm工藝，而是4nm工藝，具體來說是N4P。小米的SoC在C
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3月31日消息，據媒體報道，位于新竹和高雄的兩大臺積電工廠將是2nm工藝制程的主要生產基地，預計今年下半年正式進入全面量產階段。在前期試產中，臺積電已經做到了高達60%的良率表現，待兩大工廠同步投產之后，月產能將攀升至5萬片晶圓，最大設計產能更可達8萬片。與此同時，市場對2nm芯片的需求持續高漲，最新報告顯示，僅2025年第三、四季度，臺積電2納米工藝即可創造301億美元的營收，這一數字凸顯先進制程在AI、高性能計算等領域的強勁需求。作為臺積電的核心客戶，蘋果將是臺積電2nm工藝制程的首批嘗鮮者，預計iP
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據外媒報道，英特爾確認將于今年晚些時候在其位于愛爾蘭萊克斯利普的Fab 34量產3nm芯片。據了解，Intel 3是該公司的第二個EUV光刻節點，每瓦性能比Intel 4工藝提高了18%。Intel公司在年度報告中表示，該工藝于2024年在美國俄勒岡州完成首批量產，2025年產能將全面轉至愛爾蘭萊克斯利普工廠。據介紹，英特爾同步向代工客戶開放Intel 4/3/18A及成熟制程7nm / 16nm工藝。此外，該公司還與聯電合作開發12nm代工工藝。英特爾還表示：基于Intel 18A工藝的客戶端處理器Pa
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英特爾 3nm Fab 34 14A
快科技3月25日消息，據悉，中國科學院成功研發除了突破性的固態DUV(深紫外)激光，可發射193nm的相干光，與目前主流的DUV曝光波長一致，能將半導體工藝推進至3nm。據悉，ASML、佳能、尼康的DUV光刻機都采用了氟化氙(ArF)準分子激光技術，通過氬、氟氣體混合物在高壓電場下生成不穩定分子，釋放出193nm波長的光子，然后以高能量的短脈沖形式發射，輸出功率100-120W，頻率8k-9kHz，再通過光學系統調整，用于光刻設備。中科院的固態DUV激光技術完全基于固態設計，由自制的Yb:YAG晶體放大器
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3月21日消息，投資公司GF Securities在報告中稱，iPhone 18系列搭載的A20芯片將會采用臺積電第三代3nm工藝N3P制造，對此，分析師Jeff Pu予以反駁，稱A20芯片基于臺積電2nm制程打造，蘋果使用3nm的消息可以被忽略了。據悉，臺積電已經開始了2nm工藝的試產工作，該項目在新竹寶山工廠進行，初期良率是60%，預計在2025年下半年開始進行批量生產階段。之前摩根士丹利發布報告稱，2025年臺積電2nm月產能將從今年的1萬片試產規模，增加至5萬片左右的量產規模。由于產能爬坡以及良率
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