Imec 啟動了一項新的開放式創新計劃，專注于用于低壓和高壓電力電子的 300mm GaN 技術。該計劃旨在提高氮化鎵器件性能，同時降低制造成本，標志著功率半導體行業向前邁出了重要一步。對于eeNews Europe的讀者來說，尤其是電力電子、半導體和代工生態系統的讀者，這一發展凸顯了向300毫米氮化鎵晶圓加工的關鍵轉變，這可能會加速氮化鎵在汽車、數據中心和可再生能源應用中的采用。將氮化鎵擴展到 300 毫米，以提高性能和成本效益300mm GaN 計劃是 imec GaN
在現代電子設備中，元器件的可靠性是系統穩定運行的基石。然而，在實際應用中，我們常常會遇到各種各樣的器件失效問題。其中，過電應力（Electrical Over Stress, EOS）導致的失效占比超過80%以上，而器件本身質量原因導致的失效案例形貌上通常與“EOS”形貌類似，故因器件本身質量原因導致的失效很多時候常常被誤判或忽視。本文將簡單學習EOS的失效機理、典型特征、與靜電放電（ESD）的異同，然后結合兩個功率器件失效實際案例，簡述如何通過“EOS”的現象找到失效根因。一、何為過電應力（EOS）？E
與傳統硅芯片相比，單片集成 GaN 功率 IC 具有顯著優勢，包括卓越的效率、更小的尺寸、更高的速度和更低的成本。GaN 的特別之處在于其天然特性，例如更高的臨界電場、更低的導通電阻和更小的寄生電容。半導體工程師現在正在采用一種稱為單片集成的智能方法，該方法涉及將所有電路組件構建在單個芯片上，而不是連接單獨的部件。工程師通常在稱為硅基氮化鎵或 SOI 基氮化鎵晶圓的專用平臺上構建這些系統，這些平臺是構建在其之上的其他一切的基礎。圖 1.GaN功率IC的單片集成方法：（a）從供體晶圓到最終金屬柵極形成的完整
幾十年來，硅一直是電力電子領域無可爭議的領導者。但隨著硅達到其性能極限，氮化鎵 （GaN） 功率器件正在取得進展。憑借更快的開關速度和更高的效率，氮化鎵已經在消費類快速充電器中發揮了重大作用，與硅相比，實現了系統級成本、空間和功耗節省。然而，盡管具有所有功率處理特性，但基于氮化鎵的橫向高電子遷移率晶體管 （HEMT） 一直在努力進入千瓦級功率設計。瑞薩電子正試圖通過其最新的高壓氮化鎵功率 FET 來改變這一現狀，該 FET 專為要求苛刻的系統而設計，從數據中心的 AI 服務器電源和不間斷電源 （
隨著全球對能源可持續性與安全性的關注升溫，住宅太陽能儲能系統需求持續攀升。當前市場上，2kW級微型逆變器已實現集成儲能功能，而更高功率場景則需依賴串式逆變器或混合串式逆變器。本文聚焦基于TI GaN FET的10kW單相串式逆變器設計，探討其技術優勢與核心設計要點，為住宅太陽能應用提供高能效、高密度的解決方案參考。混合串式逆變器架構：從模塊到系統典型的混合串式逆變器通過穩壓直流母線互聯各功能模塊（圖1），核心子系統包括：●單向DC/DC轉換器：執行光伏最大功率點跟蹤（MPPT），優化能量捕獲；●雙向DC/
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