麻省理工學院和其他地方的研究人員開發了一種新的制造工藝，將高性能 GaN 晶體管集成到標準硅 CMOS 芯片上來自麻省理工學院網站：他們的方法包括在 GaN 芯片表面構建許多微小的晶體管，切出每個單獨的晶體管，然后使用低溫工藝將所需數量的晶體管鍵合到硅芯片上，以保持兩種材料的功能。由于芯片中只添加了少量的 GaN 材料，因此成本仍然很低，但由此產生的器件可以從緊湊的高速晶體管中獲得顯著的性能提升。此外，通過將 GaN 電路分離成可以分布在硅芯片上的分立晶體管，新技術能夠降低整個系統的溫度。研究人員使用這種
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3D芯片 電子設備 GaN
據路透社援引彭博社報道，在關于即將破產的傳聞出現近一個月后，Wolfspeed 現在正面臨一次重大動蕩。由 Apollo 全球管理公司領導的債權人正準備根據破產計劃接管公司。報道稱，這家陷入困境的碳化硅巨頭預計將在幾天內公布一項預包裝破產計劃——旨在迅速削減數十億美元的債務。在鎖定重組協議后，Wolfspeed 將要求債權人就計劃進行投票，然后正式申請第 11 章保護，報道補充道。由意法半導體領導的對頭將受益根據 TrendForce 的觀察，由于破產程序的不確定性，Wolfspeed 的 Si
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碳化硅 意法半導體 功率器件
有效的 MOSFET/IGBT 器件開關取決于柵極驅動器及其電源。從電源和電機驅動器到充電站和無數其他應用，硅 （Si）、碳化硅 （SiC） 和氮化鎵 （GaN） MOSFET等開關功率半導體以及絕緣柵雙極晶體管 （IGBT） 是高效電源系統設計的關鍵。但是，為了實現功率器件的最大性能，需要合適的柵極驅動器。顧名思義，該元件的作用是驅動功率器件柵極，快速、清晰地將其置于導通模式或將其拉出導通模式。這樣做要求驅動器能夠拉出或吸收足夠的電流，盡管負載（柵極）存在內部器件和雜散（寄生）電容、電感和其他
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柵極驅動器 功率器件
類人機器人集成了許多子系統，包括伺服控制系統、電池管理系統 (BMS)、傳感器系統、AI 系統控制等。如果要將這些系統集成到等同人類的體積內，同時保持此復雜系統平穩運行，會很難滿足尺寸和散熱要求。類人機器人內空間受限最大的子系統是伺服控制系統。為了實現與人類相似的運動范圍，通常在整個機器人中部署大約40個伺服電機 (PMSM) 和控制系統。電機分布在機器人身體的不同部位，例如頸部、軀干、手臂、腿、腳趾等。該數字不包括手部的電機。為了模擬人手的自由操作，單只手即可能集成十多個微型電機。這些電機的電源要求取決
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TI GaN FET 類人機器人
本文闡釋了在開關模式電源中使用氮化鎵(GaN)開關所涉及的獨特考量因素和面臨的挑戰。文中提出了一種以專用GaN驅動器為形式的解決方案，可提供必要的功能，打造穩固可靠的設計。此外，本文還建議將LTspice?作為合適的工具鏈來使用，以便成功部署GaN開關。
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開關電源 SMPS 氮化鎵 GaN ADI
納芯微發布專為增強型GaN設計的高壓半橋驅動芯片NSD2622N，該芯片集成正負壓穩壓電路，支持自舉供電，具備高dv/dt抗擾能力和強驅動能力，可以顯著簡化GaN驅動電路設計，提升系統可靠性并降低系統成本。應用背景近年來，氮化鎵高電子遷移率晶體管(GaN HEMT)憑借高開關頻率、低開關損耗的顯著優勢，能夠大幅提升電源系統的功率密度，明顯優化能效表現，降低整體系統成本，在人工智能(AI)數據中心電源、微型逆變器、車載充電機(OBC)等高壓大功率領域得到日益廣泛的應用。然而，GaN器件在實際應用中仍面臨諸多
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納芯微 高壓半橋驅動 E-mode GaN
新的基于 GaN 的架構將使海量數據的通信和傳輸變得更加容易。
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GaN
_____隨著技術的不斷進步，新型功率器件如碳化硅（SiC）和氮化鎵（GaN）因其優異的性能被廣泛應用于各種電子設備中。然而，這些器件在長期連續使用后會出現老化現象，導致性能退化。如何在短時間內準確評估這些器件的老化特性，成為行業關注的焦點。目前，針對功率器件的老化測試主要包括多種不同的測試方式。其中，JEDEC制定的老化測試標準（如HTGB、HTRB、H3TRB和功率循環測試）主要針對傳統的硅基功率器件。對于新型的SiC等功率器件，AQG-324標準進一步要求增加動態老化測試，如動態柵偏和動態反偏測試。
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功率器件 老化特性 HTOL 高溫工況 老化測試
美國馬薩諸塞州沃爾瑟姆的 Finwave Semiconductor Inc 宣布了一輪新的 $8.2m 短期投資，由 Fine Structure Ventures、Engine Ventures 和 Safar Partners 領投，技術合作伙伴 GlobalFoundries 戰略參與。Finwave 認為，新一輪融資表明投資者和行業領導者對其獨特的硅基氮化鎵技術的市場潛力充滿信心，因為它正在從以技術為中心的創新者轉變為產品驅動型公司。這家科技公司由麻省理工學院 （MIT） 的研究人員于 2012
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Finwave 短期投資 GaN FinFET
傳統方法的局限性多年來，工程師們一直致力于解決單向開關的基本限制。當需要雙向電壓阻斷時，設計人員必須使用多個分立元件實現背靠背配置，導致系統復雜性增加、尺寸增大和成本上升。這些配置還會引入額外的寄生元件，從而影響開關性能和效率。此外，傳統的三端 UDS 設備無法獨立控制雙向電流流，限制了它們在高級電源轉換拓撲中的應用。 圖片由 Adobe Stock 提供 隨著行業向更高功率密度、更高效率和更低系統成本發展，這些挑戰變得越來越重要。傳統的使用背靠背分立開關的方法，在
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Gan 電源開關
半導體行業正處于性能、效率和可靠性必須同步發展的階段。AI 基礎設施、電動汽車、電源轉換和通信系統的需求正在將材料推向極限。氮化鎵 （GaN） 越來越受到關注，因為它可以滿足這些需求。該行業已經到了這樣一個地步，人們的話題不再是 GaN 是否可行，而是如何可靠、大規模地部署它。二十多年來，我專注于外延生長，見證了 GaN 從一種利基研究驅動型材料轉變為電力電子領域的領先競爭者。進展是穩定的，不是一蹴而就的。現在傾向于 GaN 的公司和工程師是為下一代系統定位自己的公司。設備性能從外延開始對于 G
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GaN 可靠性 硅
高效率和高功率密度是為當今產品設計電源時的關鍵特性。為了實現這些目標，開發人員正在轉向氮化鎵 （GaN），這是一種可實現高開關頻率的寬帶隙半導體技術。與競爭對手的功率半導體技術相比，GaN 最大限度地減少了所需無源元件的尺寸，同時降低了柵極驅動和反向恢復損耗。此外，半導體制造商正在將其 GaN 器件封裝在高度集成的行業標準封裝中，從而縮小印刷電路板 （PCB） 的占地面積要求，同時簡化供應鏈。GaN 應用在 650 V AC-DC 轉換領域，變壓器外形無鉛 （TOLL） 封裝是電源設計的有效選擇。采用此封
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集成驅動器 高級保護 GaN 電源設計
引言人形機器人集成了許多子系統，包括伺服控制系統、電池管理系統 (BMS)、傳感器系統、AI 系統控制等。如果要將這些系統集成到等同人類的體積內，同時保持此復雜系統平穩運行，會很難滿足尺寸和散熱要求。人形機器人內空間受限最大的子系統是伺服控制系統。為了實現與人類相似的運動范圍，通常在整個機器人中部署大約 40 個伺服電機 (PMSM) 和控制系統。電機分布在機器人身體的不同部位，例如頸部、軀干、手臂、腿、腳趾等。該數字不包括手部的電機。為了模擬人手的自由操作，單只手即可能集成十多個微型電機。這些電機的電源
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GaN FET 人形機器人
ROHM宣稱其新型SiC模塊已「達到業界頂級水平」，這使得安裝面積顯著減少。
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SiC 功率器件 ROHM
_____在超寬禁帶半導體領域，氧化鎵器件憑借其獨特性能成為研究熱點。我們有幸與香港科技大學電子及計算機工程教授黃文海教授，圍繞氧化鎵器件的研究現狀、應用前景及測試測量挑戰展開深入交流。香港科技大學在氧化鎵研究領域取得了顯著的成果，涵蓋了材料生長、器件設計、性能優化和應用開發等多個方面。通過與國際科研機構和企業的合作，港科大團隊不僅推動了氧化鎵技術的發展，也為相關領域的應用提供了重要的技術支持。黃文海教授的團隊主要致力于氧化鎵器件全鏈條的研究。在材料生長方面，聚焦優化晶體生長工藝，通過改進熔體生長技術，成
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香港科技大學 氧化鎵器件 GaN
600v氮化鎵（gan）功率器件介紹
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