HBM(高帶寬內存)作為當前 AI 加速器 GPU 的核心配置,憑借垂直堆疊的薄 DRAM 芯片結構,以超高數據帶寬為 AI 訓練與推理提供了關鍵支撐,成為 AI 算力爆發的重要基石。然而,HBM 存在兩大顯著短板:一是成本居高不下,其價格較普通 DDR 內存高出一個數量級;二是容量增長受限,受限于 DRAM 內存密度縮放的技術瓶頸,即便如英偉達 Blackwell GPU 搭載 8 個 24GB HBM3e 芯片堆棧(總容量 192GB),也難以滿足模型規模爆炸式增長、上下文長度拓展及 AI
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HBF HMC HBM
近期,關于華為自研存儲單元HMC(Hybrid Memory Cube,混合內存立方體)的討論也在升溫,但需要明確的是HMC并非傳統意義上的HBM替代方案。華為在存儲芯片領域已推出多款自研產品,覆蓋高帶寬內存、固態存儲及AI存儲等方向,旨在提升算力效率并降低對外依賴。?HBM和HMC兩類方案的區別從技術實現上看,HBM依賴中介層實現超寬位寬和極高帶寬密度,帶寬可達1024-bit甚至更高,但封裝復雜、成本高。相較之下,HMC則通過ABF載板實現直接互聯,取消中介層,結構更簡潔、延遲更低,但帶寬能力通常弱于
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華為 存儲 HMC HBM AI
ADI宣布與現代汽車公司(HMC)達成戰略合作,現代汽車公司計劃推出汽車行業首個采用ADI汽車音頻總線(A2B?)技術的全數字路噪降噪系統。現代汽車公司還計劃在其汽車產品的基礎音頻連接和信息娛樂系統中更廣泛地采用ADI的A2B技術。
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ADI HMC 全數字路噪降噪系統
摘要:文中詳細地分析了Altera公司Cyclone V FPGA器件的硬核存儲控制器底層架構和外部接口,并在此基礎上對Controller和PHY進行了功能仿真。仿真結果表明硬核存儲控制器和PHY配合工作時的功能與設計預期相符,性能優
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FPCA 硬核存儲控制器 HMC PHY
作為最老資歷的PC組成部件,內存及內存存儲體系已經擁有了幾十年的歷史,其漫長的發展過程曾伴隨數次重要的變革,但縱觀這些變革,無論是從FP到EDO還是從SD到DDR,在意義上均無法與即將發生的這場革命相提并論,這場革命的名字,叫堆疊內存。
目前,按照堆疊方式及位置的不同,堆疊內存體系可以被分為2.5D和3D兩種存在形式。而又因為內存還依標準不同還劃分成了兩大陣營,分別是海力士+AMD支持的HBM(High Bandwidth Memory)以及Intel支持、鎂光/三星主導的HMC(Hybrid
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美光 HMC
????????訪美光科技公司嵌入式業務部門營銷高級總監Amit?Gattani 2014上海慕尼黑電子展期間,Micron(美光)高調亮相了全系列嵌入式存儲解決方案。據悉,該公司2013年總體營收達90億美元,是全球僅有的兩家擁有全系列內存產品的公司之一(筆者注:另一家是三星),擁有全系列DRAM、NAND、NOR閃存、固態硬盤(SSD)和嵌入式解決方案。此次展示,表明美光對中國嵌入式存儲市場信心十足。 嵌
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嵌入式 M2M HMC
Altera公司 (NASDAQ: ALTR)和Micron技術有限公司(NASDAQ: MU) (“Micron”)日前宣布,雙方聯合成功展示了Altera Stratix? V FPGA和Micron混合內存立方 (Hybrid Memory Cube, 簡稱HMC)的互操作性。采用這一成功的技術,系統設計人員能夠在下一代通信和高性能計算設計中充分發揮FPGA和SoC的HMC優勢。
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Altera Micron FPGA HMC FPGA
Hittite 微波公司,是在通信及軍事市場擁有完整的MMIC解決方案的世界級供應商。日前,該公司推出頻率合成器模塊產品HMC-C083,該產品是全集成的寬帶頻率合成器模塊,工作頻率在2-6GHz,具有非常好的相噪性能,適用于軍用雷達,電子對抗,測試,測量和實驗室儀器設備等。
HMC-C083采用高性能SiGe, GaAs pHEMT和InGaP HBT技術,全集成寬帶頻率合成器模塊,相噪性能優異,偏移頻率在1MHz處的相噪是-122 dBc/Hz。典型的1.41”×0.
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Hittite 頻率合成器 HMC-C083
Hittite 微波公司是通信及軍用市場的世界級供應商,可提供完整的基于單片微波集成電路解決方案。日前,該公司發布了最新的儀器產品HMC-T2240,這是一款支持10MHz~40GHz的綜合信號發生器,在同尺寸及成本的信號發生器中,其輸出功率最高,諧波最低,頻率范圍最寬。
HMC-T2240非常輕巧,1GHz連續波輸出的最大功率達到29dBm,在60dB的動態范圍內功率步進是0.1dB,可適用于自動化測試與測量環境,研發,以及實驗室。其諧波抑制優于-30dBc,雜散水平在整數頻率時優于-60dB
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Hittite 信號發生器 HMC-T2240
HMC792LP4E是Hittite公司的一個寬帶6位GaAs IC數字衰減器,采用低成本的無鉛SMT封裝。該通用數字衰減器集成了片外交流接地電容器,實現了接近DC的運行,使其適用于各種RF和IF應用。 雙模式控制接口兼容CMOS/TTL,
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HMC 792 GHz LP4
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