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coolsic mosfet 文章 最新資訊

選型必看！MOSFET四大非理想參數詳解

  • 幾乎所有的書籍資料，在講解MOSFET的時候，都喜歡先從微觀結構去分析MOSFET基于半導體特性的各種結構，然后闡述這些結構導致其參數的成因。但是這種方式對于物理基礎較弱的應用型硬件工程師是非常不友好的，導致大家看了大量的表述沒有理解，沒有汲取到營養。各種三維、二維的圖形，各式各樣，也不統一。本章節，我們從應用的角度，來看我們選擇一個開關的器件，當選擇了一個MOSFET之后，他并不是一個完全理想的開關器件。通過其不理想的地方，理解他的一些關鍵參數。后續的內容，我們再通過微觀結構去理解一下導致這些參數的原因
  • 關鍵字： 選型指南  MOSFET  無源器件  

基于onsemi NCP51752隔離式SiC MOSFET閘極驅動器評估板

  • NCP51752是隔離單通道柵極驅動器系列,源極和吸收峰電流分別為+4.5 A/-9A。 它們設計用于快速切換以驅動功率MOSFET和SiC MOSFET功率開關。 NCP51752提供短而匹配的傳播延遲。為了提高可靠性、dV/dt免疫力，甚至更快地關閉，NCP51752具有嵌入式負偏置軌機制在GND2和VEE引腳之間。 本用戶指南支持NCP51752的評估板。 它應該與NCP51752數據表以及onsemi的應用說明和技術支持團隊一起使用。 本文檔描述了孤立單體的擬
  • 關鍵字： onsemi  NCP51752  隔離式  SiC  MOSFET  閘極驅動器  評估板  

Wolfspeed 1700 V MOSFET技術，助力重塑輔助電源系統的耐用性和成本

  • 在幾乎所有電機驅動、電動汽車、快速充電器和可再生能源系統中，都會配備低功耗輔助電源。雖然相比于主要的功率級，此類電源通常受到的關注較少，但它們仍是幫助系統高效運行的關鍵組成部分。提高系統可靠性、減小系統尺寸以及縮減系統成本，同時最大限度地降低風險并支持多源采購——設計人員不斷面臨這些經常相互矛盾的挑戰。Wolfspeed 推出的工業級 C3M0900170x 和獲得車規級認證 (AEC-Q101) 的 E3M0900170x 碳化硅 MOSFET 產品系列，可在 20 至 200 W 范圍內增強輔助電源的
  • 關鍵字： Wolfspeed  MOSFET  輔助電源系統  

英飛凌推出具有超低導通電阻的CoolSiC? MOSFET 750 V G2

  • 全球功率系統和物聯網領域的半導體領導者英飛凌科技股份公司近日推出新型CoolSiC? MOSFET 750 V G2。這款新型CoolSiC? MOSFET 750 V G2專為提升汽車及工業功率轉換應用的系統效率和功率密度而設計。它提供一系列精細化的產品組合，在25°C時R?DS(on)?值為4至60 mΩ，廣泛適用于車載充電器（OBC）、?DC-DC轉換器、電動汽車（xEV）輔助設備等應用，以及電動汽車充電、光伏逆變器、儲能系統、通訊和開關電源（SMPS）等工業應用。英飛
  • 關鍵字： 英飛凌  超低導通電阻  CoolSiC    

CoolSiC? MOSFET G2如何正確選型

  • 之前兩篇文章我們分別介紹了CoolSiC? MOSFET G2的產品特點及導通特性 （參考閱讀： CoolSiC? MOSFET Gen2性能綜述 ， CoolSiC? MOSFET G2導通特性解析 ） ，今天我們分析一下在軟開關和硬開關兩種場景下，如何進行CoolSiC? MOSFET G2的選型。G2在硬開關拓撲中的應用除了R DS(on) ，開關損耗在SiC MOSFET的選型中也扮演著非常重要的角色。因為SiC往往工
  • 關鍵字： 英飛凌  MOSFET  

羅姆的SiC MOSFET應用于豐田全新純電車型“bZ5”

  • 全球知名半導體制造商羅姆（總部位于日本京都市）今日宣布，搭載了羅姆第4代SiC MOSFET裸芯片的功率模塊，已應用于豐田汽車公司（TOYOTA MOTOR CORPORATION.，以下簡稱“豐田”）面向中國市場的全新跨界純電動汽車（BEV)“bZ5”的牽引逆變器中。“bZ5”作為豐田與比亞迪豐田電動車科技有限公司（以下簡稱“BTET”）、一汽豐田汽車有限公司（以下簡稱“一汽豐田”）聯合開發的跨界純電動汽車，由一汽豐田于2025年6月正式發售。此次采用的功率模塊由羅姆與正海集團的合資企業——上海海姆希科
  • 關鍵字： 羅姆  SiC MOSFET  豐田  純電車型  

從單管到并聯：SiC MOSFET功率擴展實戰指南

  • 在10kW-50kW中高功率應用領域，SiC MOSFET分立器件與功率模塊呈現并存趨勢。分立方案憑借更高設計自由度和靈活并聯擴容能力突圍——當單管功率不足時，只需并聯一顆MOSFET即可實現功率躍升，為工業電源、新能源系統提供模塊之外的革新選擇。然而，功率并非是選用并聯MOSFET的唯一原因。正如本文所提到的，并聯還可以降低開關能耗，改善導熱性能。考慮到熱效應對導通損耗的影響，并聯功率開關管是降低損耗、改善散熱性能和提高輸出功率的有效辦法。然而，并非所有器件都適合并聯， 因為參數差異會影響均流特性。本文
  • 關鍵字： 意法半導體  SiC  MOSFET  

東芝推出采用DFN8×8封裝的新型650V第3代SiC MOSFET

  • 東芝電子元件及存儲裝置株式會社（“東芝”）近日宣布，推出四款最新650V碳化硅（SiC）MOSFET——“TW031V65C”、“TW054V65C”、“TW092V65C”和“TW123V65C”。這些器件配備其最新的[1]第3代SiC MOSFET技術，并采用緊湊型DFN8×8封裝，適用于開關電源、光伏發電機功率調節器等工業設備。四款器件于今日開始支持批量出貨。四款新器件是首批采用小型表貼DFN8×8封裝的第3代SiC MOSFET的器件，與TO-247和TO-247-4L(X)等通孔型封裝相比，其體
  • 關鍵字： 東芝  DFN8×8  650V  SiC MOSFET  

工程師必看！從驅動到熱管理：MOSFET選型與應用實戰手冊

  • MOSFET因其獨特的性能優勢，已成為模擬電路與數字電路中不可或缺的元件，廣泛應用于消費電子、工業設備、智能手機及便攜式數碼產品中。其核心優勢體現在三個方面：驅動電路設計簡化，所需驅動電流遠低于BJT，可直接由CMOS或集電極開路TTL電路驅動；開關速度優異，無電荷存儲效應，支持高速工作；熱穩定性強，無二次擊穿風險，高溫環境下性能表現更穩定。這些特性使MOSFET在需要高可靠性、高效率的場景中表現尤為突出。近年來，隨著汽車、通信、能源、消費、綠色工業等大量應用MOSFET產品的行業在近幾年來得到了快速的發
  • 關鍵字： MOSFET  

內置羅姆新型2kV SiC MOSFETs的賽米控丹佛斯模塊被SMA的太陽能系統采用

  • 全球先進的太陽能發電及儲能系統技術的專業企業SMA Solar Technology AG（以下簡稱“SMA”）在其太陽能系統新產品“Sunny Central FLEX”中采用了內置羅姆新型2kV SiC MOSFETs的賽米控丹佛斯功率模塊。“Sunny Central FLEX”是為大規模太陽能發電設施、儲能系統以及下一代技術設計的模塊化平臺，旨在進一步提高電網的效率和穩定性。羅姆半導體歐洲總裁Wolfram Harnack表示：“羅姆新型2kV耐壓SiC MOSFETs是為1,500V DC鏈路實
  • 關鍵字： 羅姆  ROHM  SiC MOSFET  功率模塊  太陽能  

利用 SMFA 系列非對稱 TVS 二極管實現高效 SiC MOSFET 柵極保護

  • 引言碳化硅（ SiC）MOSFET在電源和電力電子領域的應用越來越廣泛。隨著功率半導體領域的發展，開關損耗也在不斷降低。隨著開關速度的不斷提高，設計人員應更加關注MOSFET的柵極驅動電路，確保對MOSFET的安全控制，防止寄生導通，避免損壞功率半導體。必須保護敏感的MOSFET柵極結構免受過高電壓的影響。Littelfuse提供高效的保護解決方案，有助于最大限度地延長電源的使用壽命、可靠性和魯棒性。 柵極驅動器設計措施關于SiC-MOSFET驅動器電路的穩健性，有幾個問題值得考慮。除了驅動器安全切換半導
  • 關鍵字： 碳化硅  MOSFET  電源  功率半導體  

英飛凌推出新型CoolSiC? JFET技術，實現更加智能、快速的固態配電

  • 近日，為推動下一代固態配電系統的發展，英飛凌科技股份公司正在擴展其碳化硅（SiC）產品組合，推出了新型CoolSiC? JFET產品系列。新系列產品擁有極低的導通損耗、出色的關斷能力和高可靠性，使其成為先進固態保護與配電系統的理想之選。憑借強大的短路能力、線性模式下的熱穩定性以及精確的過壓控制，CoolSiC? JFET可在各種工業和汽車應用中實現可靠且高效的系統性能，包括固態斷路器（SSCB）、AI數據中心熱插拔模塊、電子熔斷器、電機軟啟動器、工業安全繼電器以及汽車電池隔離開關等。英飛凌科技零碳工業功率
  • 關鍵字： 英飛凌  CoolSiC  JFET  固態配電  

電源管理小技巧：功率 MOSFET 特性

  • 以Vishay SiE848DF的數據手冊圖作為參考示例，這是一款采用 PolarPAK? 封裝的 N 溝道 30 V 溝槽功率 MOSFET。MOSFET 的封裝限制為 60A 和 25°C。阻斷電壓是多少？阻斷電壓 BVDSS 是可以施加到 MOSFET 的最大電壓。當驅動感性負載時，這包括施加的電壓加上任何感性感應電壓。對于感性負載，MOSFET 兩端的電壓實際上可以是施加電壓的兩倍。MOSFET 的雪崩特性是什么？這決定了 MOSFET 在雪崩條件下可以承受多少能量。如果超過最大漏源電壓并且電流沖
  • 關鍵字： 電源管理  MOSFET  功率MOSFET  

清純半導體和微碧半導體推出第3代SiC MOSFET產品

  • 近日，清純半導體和VBsemi（微碧半導體）分別推出了其第三代碳化硅（SiC）MOSFET產品平臺，標志著功率半導體技術在快充效率、高功率密度應用等領域取得了重大突破。01清純半導體推出第3代SiC MOSFET產品平臺4月21日，清純半導體官微宣布，推出第3代碳化硅（SiC）MOSFET技術平臺，該平臺首款主驅芯片（型號：S3M008120BK）的常溫導通電阻低至8mΩ，比導通電阻系數Rsp達到2.1 mΩ·cm2，處于國際領先水平。source：清純半導體（圖為清純半導體1、2、3代產品比電阻Rs
  • 關鍵字： 清純半導體  微碧半導體  第3代  SiC MOSFET  

SiC MOSFET如何提高AI數據中心的電源轉換能效

  • 如今所有東西都存儲在云端，但云究竟在哪里？答案是數據中心。我們對圖片、視頻和其他內容的無盡需求，正推動著數據中心行業蓬勃發展。國際能源署 (IEA) 指出，[1]人工智能 (AI) 行業的迅猛發展正導致數據中心電力需求激增。預計在 2022 年到 2025 年的三年間，數據中心的耗電量將翻一番以上。 這不僅增加了運營成本，還給早已不堪重負的老舊電力基礎設施帶來了巨大的壓力，亟需大規模的投資升級。隨著數據中心耗電量急劇增加，行業更迫切地需要能夠高效轉換電力的功率半導體。這種需求的增長一方面是為了降低運營成本
  • 關鍵字： SiC MOSFET  AI數據中心  電源轉換能效  
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