久久ER99热精品一区二区-久久精品99国产精品日本-久久精品免费一区二区三区-久久综合九色综合欧美狠狠

首頁　 資訊　 商機(jī) 　 下載　 拆解 　 高校　 招聘 　 雜志　 會(huì)展　 EETV　 百科 　 問答　 電路圖　 工程師手冊(cè) 　 Datasheet　 100例 　 活動(dòng)中心　 E周刊閱讀 　 樣片申請(qǐng)
EEPW首頁 >> 主題列表 >> coolsic

coolsic 文章 最新資訊

英飛凌CoolSiC碳化硅MOSFET獲豐田bZ4X車型采用

  • 英飛凌宣布，其碳化硅功率半導(dǎo)體器件被豐田新款純電動(dòng)車型 bZ4X 選用，旗下 CoolSiC 碳化硅 MOSFET 將應(yīng)用于該車的車載充電器（OBC）與直流 - 直流轉(zhuǎn)換器（DC/DC）中。對(duì)于歐洲電子工程新聞網(wǎng)的讀者而言，這一消息清晰體現(xiàn)出碳化硅的應(yīng)用正加速突破牽引逆變器領(lǐng)域，延伸至汽車核心的功率轉(zhuǎn)換模塊；同時(shí)也凸顯出車企正愈發(fā)廣泛地采用寬禁帶半導(dǎo)體器件，以實(shí)現(xiàn)電動(dòng)汽車快充提速、續(xù)航提升等可量化的性能優(yōu)化。碳化硅深度融入豐田電動(dòng)汽車功率電子系統(tǒng)據(jù)官方消息，豐田此次為 bZ4X 的車載充電器和直流 - 直
  • 關(guān)鍵字： 英飛凌  CoolSiC  碳化硅  MOSFET  豐田  bZ4X  

英飛凌拓展 CoolSiC? MOSFET 750 V G2系列，提供超低導(dǎo)通電阻和新型封裝

  • 【2026年1月12日, 德國(guó)慕尼黑訊】全球功率系統(tǒng)和物聯(lián)網(wǎng)領(lǐng)域的半導(dǎo)體領(lǐng)導(dǎo)者英飛凌科技股份公司（FSE代碼：IFX / OTCQX代碼：IFNNY）推出全新封裝的 CoolSiC? MOSFET 750V G2系列，旨在為汽車和工業(yè)電源應(yīng)用提供超高系統(tǒng)效率和功率密度。該系列現(xiàn)提供 Q-DPAK、D2PAK 等多種封裝，產(chǎn)品組合覆蓋在25°C情況下的典型導(dǎo)通電阻（RDS(on)）值60 mΩ。CoolSiC? MOSFET 750 V G2系列的核心特性之一是其創(chuàng)新的頂部散熱 Q-DPAK 封裝，該封裝可
  • 關(guān)鍵字： 英飛凌  CoolSiC  

英飛凌推出采用Q-DPAK和TOLL封裝的全新工業(yè)CoolSiC MOSFET 650V G2，實(shí)現(xiàn)更高的功率密度

  • 簡(jiǎn)介CoolSiC MOSFET G2 溝槽式 MOSFET 發(fā)揮碳化硅的性能優(yōu)勢(shì)，通過降低能量損耗來提高功率轉(zhuǎn)換過程中的效率。將 SiC 性能提升到一個(gè)新水平，同時(shí)滿足所有常見電源方案組合的最高質(zhì)量標(biāo)準(zhǔn)： AC-DC、DC-DC 和 DC-AC。與 Si 替代品相比，SiC MOSFET 可以在許多應(yīng)用中提供額外的性能，其中包括光伏逆變器、熱量存儲(chǔ)系統(tǒng)、電動(dòng)汽車充電、電源、電機(jī)驅(qū)動(dòng)、牽引逆變器、板載充電器、DC 對(duì) DC 轉(zhuǎn)換器等。碳化硅器件必備要素 —— 立足當(dāng)下布局，引領(lǐng)未來市場(chǎng)豐富的 CoolSi
  • 關(guān)鍵字： 英飛凌   CoolSiC MOSFET 650V G2   功率轉(zhuǎn)換  

英飛凌擴(kuò)展其CoolSiC?產(chǎn)品系列，推出專為高功率與計(jì)算密集型應(yīng)用而設(shè)計(jì)的400V和440V MOSFET

  • 全球功率系統(tǒng)和物聯(lián)網(wǎng)領(lǐng)域的半導(dǎo)體領(lǐng)導(dǎo)者英飛凌科技股份公司通過增加頂部散熱（TSC）的TOLT封裝及TO-247-3和TO-247-4封裝擴(kuò)展其CoolSiC? 400V G2 MOSFET產(chǎn)品組合。此外，英飛凌還推出了三款額定電壓為440V（連續(xù)）和455V（瞬態(tài)）的TOLL封裝新產(chǎn)品。新的CoolSiC? MOSFET具有更優(yōu)的熱性能、系統(tǒng)效率和功率密度。其專為滿足高功率與計(jì)算密集型應(yīng)用需求而設(shè)計(jì)，涵蓋了AI服務(wù)器電源、光伏逆變器、不間斷電源、D類音頻放大器、電機(jī)驅(qū)動(dòng)、固態(tài)斷路器等領(lǐng)域。這款新產(chǎn)品可為這
  • 關(guān)鍵字： 英飛凌  CoolSiC  MOSFET  

英飛凌推出采用Q-DPAK封裝的CoolSiC? MOSFET 1200V G2

  • 全球功率系統(tǒng)和物聯(lián)網(wǎng)領(lǐng)域的半導(dǎo)體領(lǐng)導(dǎo)者英飛凌科技股份公司近日推出了采用頂部散熱（TSC）Q-DPAK封裝的CoolSiC? MOSFET 1200 V G2。這款新型半導(dǎo)體器件能夠提供更加出色的熱性能、系統(tǒng)效率和功率密度，專為應(yīng)對(duì)工業(yè)應(yīng)用的高性能和高可靠性要求而設(shè)計(jì)，例如電動(dòng)汽車充電機(jī)、光伏逆變器、不間斷電源、電機(jī)驅(qū)動(dòng)和固態(tài)斷路器等。采用Q-DPAK封裝的CoolSiC??MOSFET 1200V G2這款CoolSiC 1200 V G2所采用的技術(shù)相較于上一代產(chǎn)品有顯著的提升，可在導(dǎo)通電阻（
  • 關(guān)鍵字： 英飛凌  CoolSiC  MOSFET  1200V  

英飛凌推出具有超低導(dǎo)通電阻的CoolSiC? MOSFET 750 V G2

  • 全球功率系統(tǒng)和物聯(lián)網(wǎng)領(lǐng)域的半導(dǎo)體領(lǐng)導(dǎo)者英飛凌科技股份公司近日推出新型CoolSiC? MOSFET 750 V G2。這款新型CoolSiC? MOSFET 750 V G2專為提升汽車及工業(yè)功率轉(zhuǎn)換應(yīng)用的系統(tǒng)效率和功率密度而設(shè)計(jì)。它提供一系列精細(xì)化的產(chǎn)品組合，在25°C時(shí)R?DS(on)?值為4至60 mΩ，廣泛適用于車載充電器（OBC）、?DC-DC轉(zhuǎn)換器、電動(dòng)汽車（xEV）輔助設(shè)備等應(yīng)用，以及電動(dòng)汽車充電、光伏逆變器、儲(chǔ)能系統(tǒng)、通訊和開關(guān)電源（SMPS）等工業(yè)應(yīng)用。英飛
  • 關(guān)鍵字： 英飛凌  超低導(dǎo)通電阻  CoolSiC    

英飛凌推出新型CoolSiC? JFET技術(shù)，實(shí)現(xiàn)更加智能、快速的固態(tài)配電

  • 近日，為推動(dòng)下一代固態(tài)配電系統(tǒng)的發(fā)展，英飛凌科技股份公司正在擴(kuò)展其碳化硅（SiC）產(chǎn)品組合，推出了新型CoolSiC? JFET產(chǎn)品系列。新系列產(chǎn)品擁有極低的導(dǎo)通損耗、出色的關(guān)斷能力和高可靠性，使其成為先進(jìn)固態(tài)保護(hù)與配電系統(tǒng)的理想之選。憑借強(qiáng)大的短路能力、線性模式下的熱穩(wěn)定性以及精確的過壓控制，CoolSiC? JFET可在各種工業(yè)和汽車應(yīng)用中實(shí)現(xiàn)可靠且高效的系統(tǒng)性能，包括固態(tài)斷路器（SSCB）、AI數(shù)據(jù)中心熱插拔模塊、電子熔斷器、電機(jī)軟啟動(dòng)器、工業(yè)安全繼電器以及汽車電池隔離開關(guān)等。英飛凌科技零碳工業(yè)功率
  • 關(guān)鍵字： 英飛凌  CoolSiC  JFET  固態(tài)配電  

CoolSiC?肖特基二極管G5 10-80A 2000V，TO-247-2封裝

  • CoolSiC?肖特基二極管10-80A 2000V G5系列現(xiàn)在也采用TO-247-2封裝。在高達(dá)1500V的高直流母線系統(tǒng)中，該二極管可實(shí)現(xiàn)更高的效率和設(shè)計(jì)簡(jiǎn)化。此外，由于采用了.XT互聯(lián)技術(shù)，它們還具有一流的散熱性能。該二極管與配套的CoolSiC? MOSFET 2000V產(chǎn)品完美匹配。產(chǎn)品型號(hào)：■ IDWD10G200C5■ IDWD25G200C5■ IDWD40G200C5■ IDWD50G200C5■ IDWD80G200C5產(chǎn)品特點(diǎn)■ 無
  • 關(guān)鍵字： 二極管  CoolSiC  

英飛凌推出CoolSiC?肖特基二極管2000 V的TO-247-2封裝，在提升效率的同時(shí)簡(jiǎn)化設(shè)計(jì)

  • 目前，許多工業(yè)應(yīng)用正朝著更高功率水平、且功率損耗最小化的方向發(fā)展，實(shí)現(xiàn)這一目標(biāo)的方法之一是提高直流母線電壓。針對(duì)這一市場(chǎng)趨勢(shì)，全球功率系統(tǒng)和物聯(lián)網(wǎng)領(lǐng)域的半導(dǎo)體領(lǐng)導(dǎo)者英飛凌科技股份公司（FSE代碼：IFX / OTCQX代碼：IFNNY）于?2024年9月推出CoolSiC?肖特基二極管2000 V G5產(chǎn)品系列，這是首款擊穿電壓達(dá)到2000 V的碳化硅二極管分立器件。該產(chǎn)品系列目前擴(kuò)展到TO-247-2封裝，其引腳可與現(xiàn)有的大多數(shù)TO-247-2封裝兼容。該產(chǎn)品系列非常適合最高直流母線電壓為15
  • 關(guān)鍵字： 英飛凌  CoolSiC  肖特基二極管  

英飛凌推出采用Q-DPAK和TOLL封裝的全新工業(yè)CoolSiC? MOSFET 650 V G2

  • 電子行業(yè)正在向更加緊湊而強(qiáng)大的系統(tǒng)快速轉(zhuǎn)型。為了支持這一趨勢(shì)并進(jìn)一步推動(dòng)系統(tǒng)層面的創(chuàng)新，全球功率系統(tǒng)、汽車和物聯(lián)網(wǎng)領(lǐng)域的半導(dǎo)體領(lǐng)導(dǎo)者英飛凌科技股份公司正在擴(kuò)展其CoolSiC? MOSFET 650 V單管產(chǎn)品組合，推出了采用Q-DPAK和TOLL封裝的兩個(gè)全新產(chǎn)品系列。這兩個(gè)產(chǎn)品系列采用頂部和底部冷卻并基于CoolSiC? Generation 2（G2）?技術(shù)，其性能、可靠性和易用性均有顯著提高。它們專門用于中高功率開關(guān)模式電源（SMPS）開發(fā)，包括AI服務(wù)器、可再生能源、充電樁、電動(dòng)交通工
  • 關(guān)鍵字： 英飛凌  CoolSiC  MOSFET  

第二代 CoolSiC? MOSFET G2分立器件 1200 V TO-247-4HC高爬電距離

  • 采用TO-247-4HC高爬電距離封裝的第二代CoolSiC? MOSFET G2 1200V 12mΩ至78mΩ系列以第一代技術(shù)的優(yōu)勢(shì)為基礎(chǔ)，加快了系統(tǒng)設(shè)計(jì)的成本優(yōu)化，實(shí)現(xiàn)高效率、緊湊設(shè)計(jì)和可靠性。第二代產(chǎn)品在硬開關(guān)工況和軟開關(guān)拓?fù)涞年P(guān)鍵性能指標(biāo)上都有顯著改進(jìn)，適用于所有常見的交流-直流、直流-直流和直流-交流各種功率變換。產(chǎn)品型號(hào)：■ IMZC120R012M2H■ IMZC120R017M2H■ IMZC120R022M2H■ IMZC120R026M2H■&
  • 關(guān)鍵字： CoolSiC  MOSFET  

技術(shù)洞察 | 英飛凌CoolSiC?和CoolGaN?產(chǎn)品，升級(jí)電源和機(jī)架架構(gòu)，滿足AI服務(wù)器的需求

  • 前言人工智能（AI）的迅猛發(fā)展推動(dòng)了數(shù)據(jù)中心處理能力的顯著增長(zhǎng)。如圖1所示，英飛凌預(yù)測(cè)單臺(tái)GPU的功耗將呈指數(shù)級(jí)上升，預(yù)計(jì)到2030年將達(dá)到約2000W?[1]?，而AI服務(wù)器機(jī)架的峰值功耗將突破驚人的300kW。這一趨勢(shì)促使數(shù)據(jù)中心機(jī)架的AC和DC配電系統(tǒng)進(jìn)行架構(gòu)升級(jí)，重在減少?gòu)碾娋W(wǎng)到核心設(shè)備的電力轉(zhuǎn)換和配送過程中的功率損耗。圖2（右）展示了開放計(jì)算項(xiàng)目（OCP）機(jī)架供電架構(gòu)的示例。每個(gè)電源架由三相輸入供電，可容納多臺(tái)PSU；每臺(tái)PSU由單相輸入供電。機(jī)架將直流電壓（例如，50V）輸
  • 關(guān)鍵字： 英飛凌  AI  CoolSiC  CoolGaN  

實(shí)現(xiàn)3.3KW高功率密度雙向圖騰柱PFC數(shù)字電源方案

  • 隨著社會(huì)經(jīng)濟(jì)發(fā)展、能源結(jié)構(gòu)變革，近幾年全球?qū)矣脙?chǔ)能系統(tǒng)的需求量一直保持相當(dāng)程度的增長(zhǎng)。2023年，全球家用儲(chǔ)能系統(tǒng)市場(chǎng)銷售額達(dá)到了87.4億美元，預(yù)計(jì)2029年將達(dá)到498.6億美元，年復(fù)合增長(zhǎng)率（CAGR）為33.68%（2023-2029）；便攜儲(chǔ)能市場(chǎng)經(jīng)過了一輪爆發(fā)式增長(zhǎng)的狂歡后，現(xiàn)在也迎來了穩(wěn)定增長(zhǎng)期，從未來看，預(yù)計(jì)在2027年便攜儲(chǔ)能市場(chǎng)將達(dá)到900億元；AI Server市場(chǎng)規(guī)模持續(xù)增長(zhǎng)，帶來了數(shù)字化、智能化服務(wù)器所需的高功率服務(wù)器電源的需求，現(xiàn)在單機(jī)3KW的Power也成為了標(biāo)配。對(duì)于
  • 關(guān)鍵字： Infineon  XMC1400  CoolSiC  Mosfet   高功率密度  雙向圖騰柱  PFC  數(shù)字電源  

貿(mào)澤開售適合能量轉(zhuǎn)換應(yīng)用的新型英飛凌CoolSiC G2 MOSFET

  • 專注于引入新品的全球電子元器件和工業(yè)自動(dòng)化產(chǎn)品授權(quán)代理商貿(mào)澤電子?(Mouser Electronics)?即日起開售英飛凌公司的CoolSiC? G2 MOSFET。CoolSiC? G2 MOSFET系列采用新一代碳化硅?(SiC) MOSFET溝槽技術(shù)，開啟了電力系統(tǒng)和能量轉(zhuǎn)換的新篇章，適用于光伏逆變器、能量?jī)?chǔ)存系統(tǒng)、電動(dòng)汽車充電、電源和電機(jī)驅(qū)動(dòng)應(yīng)用。貿(mào)澤供貨的英飛凌CoolSiC? G2?MOSFET可在所有常見電源方案組合（AC-DC、DC-DC和DC-A
  • 關(guān)鍵字： 貿(mào)澤  英飛凌  CoolSiC G2  MOSFET  

英飛凌推出CoolSiC MOSFET 400V，重新定義AI服務(wù)器電源的功率密度和效率

  • 隨著人工智能（AI）處理器對(duì)功率的要求日益提高，服務(wù)器電源（PSU）必須在不超出服務(wù)器機(jī)架規(guī)定尺寸的情況下提供更高的功率，這主要是因?yàn)楦呒?jí)GPU的能源需求激增。到本十年末，每顆高級(jí)GPU芯片的能耗可能達(dá)到2千瓦或以上。這些需求以及更高要求的應(yīng)用和相關(guān)特定客戶需求的出現(xiàn)，促使英飛凌科技股份公司（FSE代碼：IFX / OTCQX代碼：IFNNY）開發(fā)電壓650 V以下的SiC MOSFET產(chǎn)品。現(xiàn)在，英飛凌基于今年早些時(shí)候發(fā)布的第二代（G2）CoolSiCTM技術(shù)，推出全新CoolSiC??MOS
  • 關(guān)鍵字： 英飛凌  CoolSiC MOSFET  AI服務(wù)器電源  
共25條 1/2 1 2 »

coolsic介紹

您好，目前還沒有人創(chuàng)建詞條coolsic!
歡迎您創(chuàng)建該詞條，闡述對(duì)coolsic的理解，并與今后在此搜索coolsic的朋友們分享。    創(chuàng)建詞條

熱門主題

樹莓派    linux   
關(guān)于我們 - 廣告服務(wù) - 企業(yè)會(huì)員服務(wù) - 網(wǎng)站地圖 - 聯(lián)系我們 - 征稿 - 友情鏈接 - 手機(jī)EEPW
Copyright ?2000-2015 ELECTRONIC ENGINEERING & PRODUCT WORLD. All rights reserved.
《電子產(chǎn)品世界》雜志社 版權(quán)所有 北京東曉國(guó)際技術(shù)信息咨詢有限公司
備案 京ICP備12027778號(hào)-2 北京市公安局備案：1101082052    京公網(wǎng)安備11010802012473