2022年11月2日——中國上海——內存與存儲解決方案領先供應商 Micron Technology Inc.（美光科技股份有限公司，納斯達克股票代碼：MU）今日宣布，其采用全球最先進技術節點的1β DRAM產品已開始向部分智能手機制造商和芯片平臺合作伙伴送樣以進行驗證，并做好了量產準備。美光率先在低功耗LPDDR5X移動內存上采用該新一代制程技術，其最高速率可達每秒8.5Gb。該節點在性能、密度和能效方面都有顯著提升，將為市場帶來巨大收益。除了移動應用，基于1β節點的DRAM產品還具備低延遲、低功耗和高
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美光 1β技術節點 DRAM
IT 之家 11 月 1 日消息，美光今天發布了 LPDDR5X-8500 內存，采用先進 1β 工藝，正在向智能手機制造商和芯片組合作伙伴發送樣品。據官方介紹，美光 2021 年實現 1α 工藝批量出貨，現在最新的 1β 工藝鞏固了美光市場領先地位。官方稱，最新的工藝可提供約 15% 的能效提升和超過 35% 的密度提升，每個 die 容量為 16Gb。美光表示，隨著 LPDDR5X 的出樣，移動產品將率先從 1β DRAM 的提升中獲益，提升新一代智能手機的性能的同時，消
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美光 LPDDR5X-8500 內存 1β DRAM
近日，SK海力士考慮“撤出中國”、“轉移中國工廠設備”等消息引發業界高度關注，對此，SK海力士于10月26日就中國工廠運營作出澄清說明。SK海力士表示，公司在10月26日的第三季度業績發表會上，針對由于地緣政治問題及多種因素導致中國工廠運營受困的各種假想情境，作出了可能會考慮應急方案(Contingency Plan)的原則性回復。其中，“中國工廠的設備轉移”等相關發言是針對可能性極低的極端情況作出的現場回復，SK海力士澄清并未研究過與此相關的具體計劃。另外，針對美國對芯片設備出口的管制，SK海力士表示，
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SK海力士 DRAM NAND
據媒體報道，因筆電市場低迷，沖擊DDR5內存價格跌幅進一步擴大，可望推動各廠商在2023年啟動產品世代轉換，DDR5將隨之放量。從具體跌價幅度來看，TrendForce集邦咨詢預估，2022年第四季度DRAM跌幅約在13%~18%左右，而DDR5價格跌幅大于DDR4。市場消息上，英睿達、美光16GB DDR5 4800筆記本內存條當前秒殺價為499元，而今年6月份售價則一直穩定在699元左右，跌幅超28%。DDR5為何跌跌不休？據了解，PC市場是DDR5的關鍵終端市場之一。然而近期PC市場情況并不樂觀，終
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DDR5 滲透率
10月18日，三星宣布，其最新的LPDDR5X內存已通過驗證，可在驍龍（Snapdragon?）移動平臺上使用，該內存速度可達到當前業界最快的8.5 千兆比特每秒（Gbps）。通過優化應用處理器和存儲器之間的高速信號環境，三星超過了自身在今年3月創下的7.5Gbps的最高運行速度，夯實了在內存市場的地位。三星LPDDR5X DRAM 可達8.5Gbps的運行速度作為十多年來全球移動內存（DRAM）市場的推動者，三星一直在努力推進高端智能手機普及，使更多消費者能夠在移動設備上體驗更為強大的計算性能。憑借低功
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三星 LPDDR5X DRAM
SK海力士于10月12日通過聲明表示，公司完成與美國商務部進行協商，確保在接下來一年內不獲取個別許可的前提下為中國工廠供應所需的半導體生產設備。借此，SK海力士預期將能夠在接下來一年內不獲取美方個別許可的前提下為中國工廠保障生產設備的供應，進而維持在中國的生產經營。SK海力士表示：“公司與美方圓滿完成了就在中國持續生產半導體產品的協商。SK海力士將繼續與韓國政府及美國商務部緊密合作，在遵循國際原則的前提下為保障中國工廠的運營盡最大的努力。”美國商務部先前于10月7日發布稱，將限制用于在中國生產18納米以下
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SK海力士 DRAM NAND
近期，DDR4和DDR5價格持續下跌，吸引了不少消費者的持續關注。目前消費電子疲軟還在繼續，據TrendForce集邦咨詢數據顯示，第四季度DRAM價格跌幅將擴大至13~18%。從積極方面考量，價格的親民化或將加速DDR5的入世，DDR5有望加速成為行業主流。DDR5對比DDR4的優勢從過往歷史看，每代DDR新標準發布后都需要經過2年左右的優化，才能實現性能的較為全面的穩定提升，而后實現對上一代產品的市場替代則可能需要3到5年的時間。業界數據顯示，DDR3和DDR4都享有大約7年的生命周期。據悉，DDR4
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DDR5 DDR4
據TrendForce集邦咨詢最新服務器相關報告指出，CXL（Compute
Express
Link）原是希望能夠整合各種xPU之間的性能，進而優化AI與HPC所需要的硬件成本，并突破原先的硬件限制。CXL的支援仍是以CPU為源頭去考慮，但由于可支援CXL功能的服務器CPU
Intel Sapphire Rapids與AMD Genoa現階段僅支援至CXL
1.1規格，而該規格可先實現的產品則是CXL存儲器擴充（CXL Memory
Expander）。因此，TrendForce認為
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TrendForce 集邦咨詢 存儲器 CXL AI/ML DRAM
芯片已經無處不在：從手機和汽車到人工智能的云服務器，所有這些的每一次更新換代都在變得更快速、更智能、更強大。創建更先進的芯片通常涉及縮小晶體管和其他組件并將它們更緊密地封裝在一起。然而，隨著芯片特征變得更小，現有材料可能無法在所需厚度下實現相同性能，從而可能需要新的材料。 泛林集團發明了一種名為 SPARC 的全新沉積技術，用于制造具有改進電絕緣性能的新型碳化硅薄膜。重要的是，它可以沉積超薄層，并且在高深寬比的結構中保持性能，還不受工藝集成的影響，可以經受進一步處理。SPAR
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SPARC 先進邏輯 DRAM 沉積技術
在過去的十年時間里，隨著程序與應用、數據集與復雜代碼，以及3D模型渲染、8K視頻編輯和高幀速率游戲等領域的空前發展，DDR4技術已不堪重負，難以跟上行業發展步伐。隨著CPU內核數量的不斷增加，為了應對這些海量需求，內存技術也需要進一步擴展。下一代系統中的DDR5內存是實現當前所需性能的最佳解決方案，同時能夠進一步擴展，以滿足未來內容創作、內容發布和內容消費的更高要求。內容創作內容創作者受到了DDR4技術的限制，因為他們的高性能工作臺消耗了增加的內存密度或內存帶寬。等待時間延長導致效率降低，甚至無法進行多任
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DDR5 內存 Crucial 英睿達
市調機構表示，在高通脹影響下，消費性產品需求疲軟且旺季不旺，第三季DRAM位消耗與出貨量持續呈現季減，各終端買方因需求明顯下滑而推遲采購，導致供貨商庫存壓力進一步升高。同時，各DRAM供貨商為求增加市占的策略不變，市場上已有「第三、四季合并議價」或「先談量再議價」的情形，導致第四季DRAM價格續跌13％～18％。標準型DRAM方面，由于筆電需求疲弱，OEM廠仍將著重去化DRAM庫存，而DRAM供應端在營業利益仍佳的前提下，未有實際減產情形，故位產出仍持續升高，供貨商庫存壓力日益明顯。以DDR4與DDR5來
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集邦 DRAM NAND
IT之家 8 月 31 日消息，今年 5 月份，GeIL 發布了 EVO V DDR5 RGB 內存條，采用了雙風扇散熱系統，將 RGB 燈效和雙風扇主動式的散熱設計結合到一體成型的模組中。現在，GeIL EVO V DDR5 RGB 內存條推出了支持 AMD EXPO 超頻技術的型號。據介紹，該系列內存采用了 GeIL 獨家主動雙風扇散熱系統，支持 6400MHz 一鍵超頻，采用了獨家優化的 RGB 照明設計，兼容 AM5 平臺。根據 GeIL 之前的介
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內存條 DDR5 GeIL
根據集邦科技指出，2023年DRAM市場需求位成長僅8.3％，是歷年來首度低于10％，遠低于供給位成長約14.1％，分析至少2023年的DRAM市況在供過于求的情勢下仍相當嚴峻，價格恐將持續下滑。至于NAND Flash仍是供過于求，但價格下跌應有助于搭載容量提升。從各類應用來看，高通膨持續沖擊消費市場需求，故優先修正庫存是品牌的首要目標，尤其前兩年面對疫情造成的上游零組件缺料問題，品牌超額下訂，加上通路銷售遲緩，使得目前筆電整機庫存去化緩慢，造成2023年筆電需求將進一步走弱。標準型PC DRAM方面，
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集邦 DRAM NAND
全球汽車內存領先供應商Micron Technology Inc.（美光科技股份有限公司，納斯達克股票代碼：MU）今日宣布其車規級高性能LPDDR5 DRAM內存和基于3D TLC NAND技術的UFS 3.1產品已被應用于理想汽車最新推出的全尺寸智能旗艦SUV車型——理想L9。美光LPDDR5和UFS 3.1解決方案可助力理想L9的高級駕駛輔助系統（ADAS）實現最高L4級自動駕駛。得益于美光完整的產品組合，理想L9智能座艙系統還集成了美光車規級LPDDR4和UFS 2.1技術，為用戶提供出色的娛樂和用
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美光 智能座艙 DRAM UFS ADAS 域控制器 車載信息娛樂系統
經歷漫長的產品周期，內存進入了DDR5時代。與DDR4內存相比，DDR5在帶寬速度、單芯片密度以及工作頻率等方面有明顯的提升，DDR5標準性能更強，功耗更低。專業設計、視頻剪輯、大型游戲都離不開高容量高性能的內存，為了帶給用戶更好的使用體驗，更高的性能，朗科推出了絕影RGB DDR5。 DDR5將每只模組升級成2個獨立32位子通道，擁有多達8個Bank groups組成32Banks，Burst Length提升至16個，均是DDR4的2倍，在傳輸更大量數據的同時降低了數據傳輸等待時間，帶來全新的體驗。
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朗科 DDR5
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