全球公認的卓越的模擬/混合信號晶圓代工廠X-FAB Silicon Foundries（“X-FAB”）近日宣布，在電隔離技術領域取得重大進展——X-FAB在2018年基于其先進工藝XA035推出針對穩健的分立電容或電感耦合器優化之后，現又在此平臺上實現了將電隔離元件與有源電路的直接集成。這是X-FAB對半導體制造工藝上的又一重大突破。這一集成方法使隔離產品的設計更加靈活，從而應對可再生能源、EV動力系統、工廠自動化和工業電源領域的新興機遇。XA035基于350納米工藝節點，非常適合制造車用傳感器和高壓工
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X-FAB 電隔離解決方案
全球公認的卓越的模擬/混合信號晶圓代工廠X-FAB Silicon Foundries（“X-FAB”）近日宣布，新增集成無源器件（IPD）制造能力，進一步增強其在射頻（RF）領域的廣泛實力。公司在歐洲微波展（9月17至22日，柏林）舉辦前夕推出XIPD工藝；參加此次活動的人員可與X-FAB技術人員（位于438C展位）就這一創新進行交流。X-FAB XIPD晶圓上的電感器測試結構XIPD源自廣受歡迎的X-FAB XR013 130nm RF SOI工藝——該技術利用工程基底和厚銅金屬化層，讓客戶能夠在其器
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X-FAB 無源器件 晶圓代工廠
中國北京，2023年6月15日——全球公認的卓越的模擬/混合信號晶圓代工廠X-FAB Silicon Foundries（“X-FAB”）今日宣布，正在開展photonixFAB項目---該項目旨在為中小企業和大型實體機構在光電子領域的創新賦能，使其能夠輕松獲得具有磷化銦（InP）和鈮酸鋰（LNO）異質集成能力的低損耗氮化硅（SiN）與絕緣體上硅（SOI）光電子平臺。在此過程中，模擬/混合信號晶圓代工領域的先進廠商X-FAB Silicon Foundries（“X-FAB”）牽頭發起一項戰略倡議，旨在推
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X-FAB 硅光電子 PhotonixFab 光電子
中國北京，2023年6月2日——全球公認的卓越的模擬/混合信號晶圓代工廠X-FAB Silicon Foundries（“X-FAB”）今日宣布，X-FAB成為業界首家推出110納米BCD-on-SOI解決方案的代工廠，由此加強了其在BCD-on-SOI技術領域的突出地位。全新XT011 BCD-on-SOI平臺反映了模擬應用中對更高數字集成和處理能力日益增長的需求。其將SOI和DTI極具吸引力的特性結合在一起，因此與傳統Bulk BCD工藝相比，高密度數字邏輯和模擬功能可以更容易地集成至單個芯片。X-F
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X-FAB 110納米 BCD-on-SOI
近期，一眾國內廠商擴產、量產碳化硅的消息頻繁發布。如博世收購了美國半導體代工廠TSI以在2030年底之前擴大自己的SiC產品組合；安森美半導體考慮投資20億美元擴產碳化硅芯片；SK集團宣布，旗下SK
powertech位于釜山的新工廠結束試運行，將正式量產碳化硅，產能將擴大近3倍。除此之外，據外媒報道，日本半導體巨頭瑞薩和德國晶圓代工廠X-FAB也于近日宣布了擴產碳化硅的計劃。其中，瑞薩電子將于2025年開始生產使用碳化硅 (SiC）來降低損耗的下一代功率半導體產品。報道指出，按照計劃，瑞薩電子擬在目
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碳化硅 瑞薩 X-FAB
全球公認的卓越的模擬/混合信號晶圓代工廠X-FAB Silicon Foundries（“X-FAB”）與萊布尼茨IHP研究所今日共同宣布，將推出創新的130納米SiGe BiCMOS平臺，進一步擴大與萊布尼茨高性能微電子研究所（IHP）的長期合作關系。作為新協議的一部分，X-FAB將獲得IHP的尖端SiGe技術授權，將這一技術的性能優勢帶給大批量市場的客戶群體。130納米SiGe BiCMOS平臺新創建的130納米平臺顯著加強了X-FAB的技術組合，提供了獨特的解決方案，達到滿足下一代通信要求所需的更高
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X-FAB 萊布尼茨IHP
近年來，受到全球半導體產能短缺、新冠疫情以及季節性需求等因素的影響，存儲器件的價格呈現出較大的波動態勢。 J.P. Morgan, Gartner and Deloitte等主要行業分析機構的分析師都預測了半導體產能的短缺將持續整個2022年，甚至更長。根據WSTS的數據分析，2022年全球存儲器件市場的規模將達到1716.82億美元，較之前預估的2022年增加135.21億美元，同比增長將會達到8.5%。 圖 | WSTS的電子元器件市場預測（2021年11月）圖源：WSTS&nbs
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嵌入式存儲 X-FAB NVM
基礎半導體器件領域的專家Nexperia宣布已完成收購Newport Wafer Fab (NWF)的交易，此舉可助力公司實現宏偉的增長目標和投資，進一步提高全球產能。通過此次收購，Nexperia獲得了該威爾士半導體硅芯片生產工廠的100%所有權。Nexperia Newport將繼續在威爾士半導體生態系統中占據重要地位，引領新港地區和該區域其他工廠的技術研發。 Nexperia是Newport Wafer Fab所提供晶圓代工服務的客戶，并于2019年通過投資Neptune 6 Limite
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Nexperia Fab
昨天XDA大神Max Weinbach曝光了一款全新的三星折疊屏新機——Galaxy Fold e/Lite，今天它又帶來了這款折疊屏新機的更多消息。規格上這款Galaxy Fold Lite升級為驍龍865處理器，不過不支持5G網絡，256GB存儲。外觀上變化較大，最顯眼的應該是外屏可能同Galaxy Z Flip一樣小，換言之如果想要正常使用只能打開手機。屏幕則是塑料材質而非Z Flip的UTG玻璃，鋁合金邊框+玻璃機身，有黑色和紫色可選。更重要的是它的價格，Max表示它的售價會直接在Galaxy F
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Galaxy Fold Lite
據外媒sammobile消息，三星正開發Galaxy Note10 Lite版系列手機。該款手機有望比Galaxy Note 10和Galaxy Note 10+更便宜。這款手機型號已經確認，為“SM-N770F”，將有黑色和紅色兩種配色，將提供128 GB的內置內存，此外沒有關于規格的信息。三星正開發Galaxy Note10 Lite版系列手機就產品理念而言，Galaxy Note10 Lite比Galaxy Note 10（SM-N970）更接近Galaxy Note 3 Neo（SM-N750&n
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三星 Galaxy Note10 Lite
眾所周知華為為了應對潛在的風險多年來一直在開發自己的鴻蒙操作系統作為其“B計劃”。早前也有消息稱華為將于今年年末推出一款采用鴻蒙操作系統的移動設備，根據最新消息顯示，這款機型很有可能是即將發布的華為Mate 30?Lite。
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華為 Mate 30 Lite 鴻蒙操作系統
5月14日消息，知名爆料人士Roland Quandt曝光了一款中端新品—華為P20 Lite 2019。
根據Roland Quandt曝光的渲染圖，華為P20 Lite 2019采用了挖孔屏方案，這是繼華為nova 4之后第二款采用該方案的華為手機。據悉，華為P20 Lite 2019采用了5.84英寸FHD+LCD顯示屏，后置三攝呈縱向排布，支持背部指紋識別。
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GlobalFoundries 從新 CEO 上任以來，大刀闊斧進行改革，宣布退出全球高端技術的開發，又將新加坡 8 寸廠 Fab 3E 賣給臺積電旗下的世界先進后，業界再度點名“下一刀”，是為購自 IBM 的紐約 12 寸廠尋找買家。據傳美系 IDM 大廠有興趣，看來新任 CEO 這把削減成本的大刀要一砍到底，GlobalFoundries 經歷大改革后可否涅槃重生值得關注。Thomas Caulfield 接替任職逾 4 年的 Sanjay Jha，出任 GlobalFoundries 的新 CEO
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GlobalFoundries Fab IBM
隨著提高效率成為眾需求中的重中之重，并且能源成本也在不斷增加，以前被認為是奇特且昂貴的碳化硅(SiC)和氮化鎵(GaN)等技術，現已變得更具性價比。此外，隨著市場的增長，由于規模經濟的關系，SiC或GaN晶體管和二極管在經濟上也越來越具有吸引力。 功率半導體(如二極管和MOSFET)可以通過幾種機制顯著節省能源。與傳統的硅器件相比，SiC二極管可以實現短得多的反向恢復時間，從而實現更快的開關。此外，其反向恢復電荷要少很多，從而可降低開關損耗。此外，其反向恢復電荷要少很多，從而可降低開關損耗。就其本身
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X-FAB SiC
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