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臺(tái)積電大膽轉(zhuǎn)型：熊本Fab 2從6nm跳躍至2nm

盡管臺(tái)積電在亞利桑那的擴(kuò)張迅速推進(jìn)，但其日本業(yè)務(wù)進(jìn)展較慢，吸引了密切關(guān)注。不過(guò)，熊本Fab 2的計(jì)劃可能正在發(fā)生變化。日經(jīng)新聞曾建議轉(zhuǎn)向4nm——最初計(jì)劃為6nm和7nm——但Mirror Media現(xiàn)在報(bào)道了一個(gè)更大膽...

臺(tái)積電熊本 2025-12-22

恩智浦將關(guān)閉ECHO Fab晶圓廠，退出氮化鎵5G PA芯片制造

12 月 14 日消息，參考媒體 Light Reading 報(bào)道，NXP 恩智浦已做出了關(guān)閉亞利桑那州錢(qián)德勒 ECHO Fab 晶圓廠的決定，該企業(yè)也將退出氮化鎵 (GaN) 半導(dǎo)體 5G PA（功率放大器）芯片的制造...

恩智浦 ECHO Fab 2025-12-15

X-FAB為180納米XH018工藝新增隔離等級(jí)，提升SPAD集成能力

全球公認(rèn)的卓越的模擬/混合信號(hào)晶圓代工廠X-FAB Silicon Foundries（“X-FAB”）近日宣布，在其180納米XH018半導(dǎo)體工藝平臺(tái)中推出新的隔離等級(jí)，旨在支持更緊湊、更高效的單光子雪崩二極管（SPA...

X-FAB 180納米 2025-06-23

ST宣布擴(kuò)大新加坡"廠內(nèi)實(shí)驗(yàn)室"項(xiàng)目，推進(jìn)"壓電MEMS"開(kāi)發(fā)應(yīng)用

●? ?新一期廠內(nèi)實(shí)驗(yàn)室合作項(xiàng)目包括與新加坡科技研究局屬下材料研究與工程研究所 (A*STAR IMRE) 以及新加坡國(guó)立大學(xué) (NUS)的合作項(xiàng)目●? ?此為新加坡半導(dǎo)體行業(yè)迄今為止最大的公私研發(fā)合作項(xiàng)目之一●? ?專...

意法半導(dǎo)體 Lab-in-Fab 2025-06-04

英特爾將在愛(ài)爾蘭工廠大批量生產(chǎn)3nm芯片

據(jù)外媒報(bào)道，英特爾確認(rèn)將于今年晚些時(shí)候在其位于愛(ài)爾蘭萊克斯利普的Fab 34量產(chǎn)3nm芯片。據(jù)了解，Intel 3是該公司的第二個(gè)EUV光刻節(jié)點(diǎn)，每瓦性能比Intel 4工藝提高了18%。Intel公司在年度報(bào)告中表示，...

英特爾 3nm 2025-03-31

X-FAB推出基于其110nm車(chē)規(guī)BCD-on-SOI技術(shù)的嵌入式數(shù)據(jù)存儲(chǔ)解決方案

全球公認(rèn)的卓越的模擬/混合信號(hào)晶圓代工廠X-FAB Silicon Foundries（“X-FAB”）近日宣布一項(xiàng)非易失性存儲(chǔ)領(lǐng)域的重大創(chuàng)新。該創(chuàng)新利用X-FAB同類(lèi)最佳的SONOS技術(shù)：基于其高壓BCD-on-SOI...

X-FAB BCD-on-SOI 2024-12-05