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臺積電大膽轉(zhuǎn)型：熊本Fab 2從6nm跳躍至2nm

盡管臺積電在亞利桑那的擴張迅速推進，但其日本業(yè)務(wù)進展較慢，吸引了密切關(guān)注。不過，熊本Fab 2的計劃可能正在發(fā)生變化。日經(jīng)新聞曾建議轉(zhuǎn)向4nm——最初計劃為6nm和7nm——但Mirror Media現(xiàn)在報道了一個更大膽...

臺積電熊本 2025-12-22

恩智浦將關(guān)閉ECHO Fab晶圓廠，退出氮化鎵5G PA芯片制造

12 月 14 日消息，參考媒體 Light Reading 報道，NXP 恩智浦已做出了關(guān)閉亞利桑那州錢德勒 ECHO Fab 晶圓廠的決定，該企業(yè)也將退出氮化鎵 (GaN) 半導體 5G PA（功率放大器）芯片的制造...

恩智浦 ECHO Fab 2025-12-15

X-FAB為180納米XH018工藝新增隔離等級，提升SPAD集成能力

全球公認的卓越的模擬/混合信號晶圓代工廠X-FAB Silicon Foundries（“X-FAB”）近日宣布，在其180納米XH018半導體工藝平臺中推出新的隔離等級，旨在支持更緊湊、更高效的單光子雪崩二極管（SPA...

X-FAB 180納米 2025-06-23

ST宣布擴大新加坡"廠內(nèi)實驗室"項目，推進"壓電MEMS"開發(fā)應(yīng)用

●? ?新一期廠內(nèi)實驗室合作項目包括與新加坡科技研究局屬下材料研究與工程研究所 (A*STAR IMRE) 以及新加坡國立大學 (NUS)的合作項目●? ?此為新加坡半導體行業(yè)迄今為止最大的公私研發(fā)合作項目之一●? ?專...

意法半導體 Lab-in-Fab 2025-06-04

英特爾將在愛爾蘭工廠大批量生產(chǎn)3nm芯片

據(jù)外媒報道，英特爾確認將于今年晚些時候在其位于愛爾蘭萊克斯利普的Fab 34量產(chǎn)3nm芯片。據(jù)了解，Intel 3是該公司的第二個EUV光刻節(jié)點，每瓦性能比Intel 4工藝提高了18%。Intel公司在年度報告中表示，...

英特爾 3nm 2025-03-31

X-FAB推出基于其110nm車規(guī)BCD-on-SOI技術(shù)的嵌入式數(shù)據(jù)存儲解決方案

全球公認的卓越的模擬/混合信號晶圓代工廠X-FAB Silicon Foundries（“X-FAB”）近日宣布一項非易失性存儲領(lǐng)域的重大創(chuàng)新。該創(chuàng)新利用X-FAB同類最佳的SONOS技術(shù)：基于其高壓BCD-on-SOI...

X-FAB BCD-on-SOI 2024-12-05

X-FAB新一代光電二極管顯著提升傳感靈敏度

全球公認的卓越的模擬/混合信號晶圓代工廠X-FAB Silicon Foundries（“X-FAB”）近日宣布，在其現(xiàn)有為光學傳感器而特別優(yōu)化的180nm CMOS半導體工藝平臺——XS018上，現(xiàn)推出四款新型高性能光...

X-FAB 光電二極管 2024-10-11

Intel出售愛爾蘭工廠49%股份：獲110億美元緩解財務(wù)壓力

6月6日消息，據(jù)媒體報道，英特爾近期宣布，已同意以110億美元的價格將其位于愛爾蘭的Fab 34芯片工廠49%的股份出售給阿波羅全球管理公司。這一舉措旨在為英特爾的大規(guī)模擴張計劃引入更多外部資金，同時緩解公司的財務(wù)壓力。...

英特爾 Fab 2024-06-06

X-Fab增強其180納米車規(guī)級高壓CMOS代工解決方案

Source:Yulia Shaihudinova/iStock/Getty Images Plus via Getty Images模擬/混合信號和專業(yè)晶圓代工廠X-Fab Silicon Foundries SE（X...

X-Fab 180納米 2024-06-01

聯(lián)電新加坡Fab 12i P3新廠首批設(shè)備到廠

據(jù)聯(lián)電（UMC）官網(wǎng)消息，5月21日，聯(lián)電在新加坡Fab 12i舉行第三期擴建新廠的上機典禮，首批設(shè)備到廠，象征公司擴產(chǎn)計劃建立新廠的重要里程碑。據(jù)悉，聯(lián)電曾表示新加坡Fab12i P3旨在成為新加坡最先進半導體晶圓代工...

聯(lián)電 Fab 2024-05-23

X-FAB增強其180納米車規(guī)級高壓CMOS代工解決方案

全球公認的卓越的模擬/混合信號晶圓代工廠X-FAB Silicon Foundries（“X-FAB”）近日宣布，更新其XP018高壓CMOS半導體制造平臺，增加全新40V和60V高壓基礎(chǔ)器件——這些器件具有可擴展SOA...

X-FAB 180納米 2024-05-21

X-FAB引入圖像傳感器背照技術(shù)增強CMOS傳感器性能

全球公認的卓越的模擬/混合信號晶圓代工廠X-FAB Silicon Foundries（“X-FAB”）近日宣布，其光學傳感器產(chǎn)品平臺再添新成員——為滿足新一代圖像傳感器性能的要求，X-FAB現(xiàn)已在其備受歡迎的CMOS傳...

X-FAB 圖像傳感器 2024-04-09

格科微發(fā)布系列5000萬像素圖像傳感器

12月22日，科創(chuàng)板上市公司格科微（688728.sh）成功舉辦以“Fab-Lite新模式·引領(lǐng)中國芯未來”為主題的20周年慶典暨臨港工廠投產(chǎn)儀式，及2023年產(chǎn)品推介會暨CEO交流會。圖1 格科微20周年慶典暨臨港工廠...

Fab-Lite 格科微 2023-12-26

總投資573億元！中芯國際12英寸晶圓代工生產(chǎn)線新進展

據(jù)臨港新片區(qū)管委會官網(wǎng)披露文件顯示，日前，中芯國際臨港12英寸晶圓代工生產(chǎn)線項目城鎮(zhèn)污水排入排水管網(wǎng)許可順利獲批。據(jù)悉，中芯國際臨港12英寸晶圓代工生產(chǎn)線項目由中芯國際和中國（上海）自由貿(mào)易試驗區(qū)臨港新片區(qū)管理委員會合作...

中芯國際 12英寸晶圓 2023-12-15

X-FAB推出針對近紅外應(yīng)用的新一代增強性能SPAD器件

全球公認的卓越的模擬/混合信號晶圓代工廠X-FAB Silicon Foundries（“X-FAB”）近日宣布，推出專用近紅外版本的單光子雪崩二極管（SPAD）器件組合。與2021年發(fā)布的前一代SPAD保持同步，新版本...

X-FAB 近紅外 2023-11-17

X-FAB在制造工藝上的突破為電隔離解決方案增加CMOS集成選項

全球公認的卓越的模擬/混合信號晶圓代工廠X-FAB Silicon Foundries（“X-FAB”）近日宣布，在電隔離技術(shù)領(lǐng)域取得重大進展——X-FAB在2018年基于其先進工藝XA035推出針對穩(wěn)健的分立電容或電感...

X-FAB 電隔離解決方案 2023-11-03

X-FAB最新的無源器件集成技術(shù)擁有改變通信行業(yè)游戲規(guī)則的能力

全球公認的卓越的模擬/混合信號晶圓代工廠X-FAB Silicon Foundries（“X-FAB”）近日宣布，新增集成無源器件（IPD）制造能力，進一步增強其在射頻（RF）領(lǐng)域的廣泛實力。公司在歐洲微波展（9月17至...

X-FAB 無源器件 2023-09-14

紅外熱成像機芯新力量：艾睿光電Micro Ⅲ Lite紅外熱成像輕薄時代！

艾睿光電重磅發(fā)布 Micro Ⅲ Lite超小體積、超低重量、微型高性能紅外熱成像機芯。...

艾睿光電紅外熱成像 2023-08-16

X-FAB領(lǐng)導歐資聯(lián)盟助力歐洲硅光電子價值鏈產(chǎn)業(yè)化

中國北京，2023年6月15日——全球公認的卓越的模擬/混合信號晶圓代工廠X-FAB Silicon Foundries（“X-FAB”）今日宣布，正在開展photonixFAB項目---該項目旨在為中小企業(yè)和大型實體機...

X-FAB 硅光電子 2023-06-15

X-FAB率先向市場推出110納米BCD-on-SOI代工解決方案

中國北京，2023年6月2日——全球公認的卓越的模擬/混合信號晶圓代工廠X-FAB Silicon Foundries（“X-FAB”）今日宣布，X-FAB成為業(yè)界首家推出110納米BCD-on-SOI解決方案的代工廠，...

X-FAB 110納米 2023-06-02

碳化硅擴產(chǎn)、量產(chǎn)消息不斷，瑞薩、X-FAB跟進

近期，一眾國內(nèi)廠商擴產(chǎn)、量產(chǎn)碳化硅的消息頻繁發(fā)布。如博世收購了美國半導體代工廠TSI以在2030年底之前擴大自己的SiC產(chǎn)品組合；安森美半導體考慮投資20億美元擴產(chǎn)碳化硅芯片；SK集團宣布，旗下SK powertec...

碳化硅瑞薩 2023-05-22

X-FAB與萊布尼茨IHP研究所達成許可協(xié)議

全球公認的卓越的模擬/混合信號晶圓代工廠X-FAB Silicon Foundries（“X-FAB”）與萊布尼茨IHP研究所今日共同宣布，將推出創(chuàng)新的130納米SiGe BiCMOS平臺，進一步擴大與萊布尼茨高性能微電...

X-FAB 萊布尼茨IHP 2022-09-13

是誰在拉動嵌入式存儲的技術(shù)革新和市場擴張？

近年來，受到全球半導體產(chǎn)能短缺、新冠疫情以及季節(jié)性需求等因素的影響，存儲器件的價格呈現(xiàn)出較大的波動態(tài)勢。 J.P. Morgan, Gartner and Deloitte等主要行業(yè)分析機構(gòu)的分析師都預(yù)測了半導...

嵌入式存儲 X-FAB 2022-07-19

Nexperia獲得Newport Wafer Fab的100%所有權(quán)，正式更名為Nexperia Newport

基礎(chǔ)半導體器件領(lǐng)域的專家Nexperia宣布已完成收購Newport Wafer Fab (NWF)的交易，此舉可助力公司實現(xiàn)宏偉的增長目標和投資，進一步提高全球產(chǎn)能。通過此次收購，Nexperia獲得了該威爾士半導體硅...

Nexperia Fab 2021-07-06

Galaxy Fold Lite曝光：外屏縮小售價砍半1099美元起

昨天XDA大神Max Weinbach曝光了一款全新的三星折疊屏新機——Galaxy Fold e/Lite，今天它又帶來了這款折疊屏新機的更多消息。規(guī)格上這款Galaxy Fold Lite升級為驍龍865處理器，不過...

Galaxy Fold Lite 2020-05-13

傳三星將推出Galaxy Note10 Lite版將有黑紅兩種配色

據(jù)外媒sammobile消息，三星正開發(fā)Galaxy Note10 Lite版系列手機。該款手機有望比Galaxy Note 10和Galaxy Note 10+更便宜。這款手機型號已經(jīng)確認，為“SM-N770F”，將有...

三星 Galaxy Note10 Lite 2019-10-15

外媒：華為Mate 30 Lite或首發(fā)鴻蒙操作系統(tǒng)

眾所周知華為為了應(yīng)對潛在的風險多年來一直在開發(fā)自己的鴻蒙操作系統(tǒng)作為其“B計劃”。早前也有消息稱華為將于今年年末推出一款采用鴻蒙操作系統(tǒng)的移動設(shè)備，根據(jù)最新消息顯示，這款機型很有可能是即將發(fā)布的華為Mate 30?Lit...

華為 Mate 30 Lite 2019-08-12

華為P20 Lite 2019曝光：采用挖孔屏方案

5月14日消息，知名爆料人士Roland Quandt曝光了一款中端新品—華為P20 Lite 2019。根據(jù)Roland Quandt曝光的渲染圖，華為P20 Lite 2019采用了挖孔屏方案，這是繼華為nova...

20 Lite 2019 華為 2019-05-14

GlobalFoundries傳紐約IBM晶圓廠找買家

GlobalFoundries 從新 CEO 上任以來，大刀闊斧進行改革，宣布退出全球高端技術(shù)的開發(fā)，又將新加坡 8 寸廠 Fab 3E 賣給臺積電旗下的世界先進后，業(yè)界再度點名“下一刀”，是為購自 IBM 的紐約 12...

GlobalFoundries Fab 2019-04-22

SiC功率半導體器件需求年增29%，X-FAB計劃倍增6英寸SiC代工產(chǎn)能

　　隨著提高效率成為眾需求中的重中之重，并且能源成本也在不斷增加，以前被認為是奇特且昂貴的碳化硅(SiC)和氮化鎵(GaN)等技術(shù)，現(xiàn)已變得更具性價比。此外，隨著市場的增長，由于規(guī)模經(jīng)濟的關(guān)系，SiC或GaN晶體管和二極...

X-FAB SiC 2018-09-05

不了解半導體FAB廠？看完這篇就懂了

半導體FAB廠 FAQ100問影響工廠成本的主要因素有哪些?答：Direct Material 直接材料，例如：蕊片 Indirect Material間接材料，例如氣體hellip; Labor...

半導體 FAB 2018-08-01

Skorpios收購了一座位于美國德州的Fab

　　據(jù)麥姆斯咨詢報道，美國系統(tǒng)級芯片廠商Skorpios Technologies近日宣布收購了半導體集成廠商Novati Technologies及其位于美國德州奧斯汀的Fab，本次交易的具體金額暫未披露。　　 ...

Skorpios Fab 2017-10-10

【E課堂】不了解半導體FAB廠？看完這篇就懂了

　　影響工廠成本的主要因素有哪些?　　答：Direct Material 直接材料，例如：蕊片 Indirect Material間接材料，例如氣體… Labor人力&n...

FAB 2017-05-04

力爭Fab主動權(quán) 中國瘋狂建廠的背后

　　當下的華夏大地，正被一股天翻地覆的英雄氣概所籠罩。半導體集成電路正成為僅次于互聯(lián)網(wǎng)機器人的熱詞。沒有幾個人能說得清，有多少條8吋、12吋生產(chǎn)線在運籌帷幄之中，又有多少大佬背著錢袋在這個“金礦”...

Fab GlobalFoundries 2017-03-28

X-Fab將收購已進入破產(chǎn)程序法國專業(yè)晶圓代工廠Altis

　　模擬、混合訊號晶圓代工廠X-Fab集團于9月30日宣布，將收購日前已進入破產(chǎn)程序的法國專業(yè)晶圓代工業(yè)者Altis Semiconductor，借此將可讓Altis Semiconductor免于進入破產(chǎn)程序。實際收購...

X-Fab 晶圓 2016-10-12

X-Fab將收購法國Altis資產(chǎn)

X-Fab Altis 2016-10-10

Molex 推出新款薄型 Lite-Trap SMT 線對板連接器系統(tǒng)

　　Molex 公司推出新型 Lite-Trapä SMT (表面貼裝技術(shù)) 線對板連接器系統(tǒng)，具有小巧的外觀尺寸，滿足纖薄型 LED 照明模塊的應(yīng)用要求。該按鈕式連接器的高度僅為 4.20mm，與可拆卸電線式...

Molex Lite-Trap 2014-10-23

全球fab設(shè)備支出2013年將持平 2014年會有24%的增長

　　全球Fab前道設(shè)備支出額預(yù)計在2013年將持平，大約在317億美元,2014年會有24%的增長，至393億美元,見2013年2月底出版的《SEMI全球設(shè)備預(yù)報》。該預(yù)報還指出，2013年全球fab廠設(shè)備支出增長點在于...

Fab 電子制造 2013-03-14

全球fab設(shè)備支出2013年將持平 2014年會有24%的增長

Fab 設(shè)備 2013-03-11

X-FAB發(fā)表XT018獨立溝槽電介質(zhì)(SOI)的工藝

X-FAB Silicon Foundries日前發(fā)表XT018，世界首創(chuàng)180奈米200V MOS的獨立溝槽電介質(zhì)(SOI)的工藝。這種完全隔離型的模塊化工藝讓不同電壓的區(qū)塊能夠整合在單一芯片上，大幅減少了印刷電路板的...

X-FAB XT018 2012-11-08

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