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gan ic 文章 最新資訊

功率半導(dǎo)體的革命：SiC與GaN的共舞（二）

  • GaN和SiC將區(qū)分使用　　2015年，市場(chǎng)上或許就可以穩(wěn)定采購到功率元件用6英寸SiC基板。并且，屆時(shí)GaN類功率元件 ...
  • 關(guān)鍵字： 功率  半導(dǎo)體  SiC  GaN  

【電源入門】如何正確選擇LED照明驅(qū)動(dòng)IC

  • 在LED照明領(lǐng)域，為體現(xiàn)出LED燈節(jié)能和長壽命的特點(diǎn)，正確選擇LED驅(qū)動(dòng)IC至關(guān)重要。沒有好的驅(qū)動(dòng)IC的匹配，LED照...
  • 關(guān)鍵字： LED    驅(qū)動(dòng)    IC    

應(yīng)變工程項(xiàng)目大幅提高了綠色LED的光輸出

  • 中國科學(xué)院近日發(fā)布的一份報(bào)告稱，中國研究人員利用應(yīng)變工程已將150mA的電流注入了530nm發(fā)光的二極管（LED），光的...
  • 關(guān)鍵字： LED    GaN    MOCVD  

Si基GaN功率器件的發(fā)展態(tài)勢(shì)分析

  • 2013年9月5日，首屆“第三代半導(dǎo)體材料及應(yīng)用發(fā)展國際研討會(huì)”在深圳成功召開，來自中科院半導(dǎo)體研究所、南...
  • 關(guān)鍵字： Si基  GaN  功率器件  

最佳電源配置才能獲得最高性價(jià)比

  • 從電源ic方案來看客戶的基本需求，可以了解到，需求點(diǎn)會(huì)集中在對(duì)燈具系統(tǒng)進(jìn)行保護(hù)，工作更安全，壽命更長方面。包括...
  • 關(guān)鍵字： 電源    燈珠    ic  

大尺寸磊晶技術(shù)突破 GaN-on-Si基板破裂問題有解

  • 近年來氮化鎵（GaN）系列化合物半導(dǎo)體材料已被證實(shí)極具潛力應(yīng)用于液晶顯示器（LCD）之背光模組、光學(xué)儲(chǔ)存系統(tǒng)、高頻 ...
  • 關(guān)鍵字： 大尺寸  磊晶技術(shù)  GaN-on-Si  基板破裂  

AMOLED顯示器電源所需IC簡述

  • OLED 屏幕分為被動(dòng)矩陣 （PMOLED） 及主動(dòng)矩陣 （AMOLED） 兩種類型。PMOLED顯示器的成本較低，也較易于生產(chǎn)制造。然 ...
  • 關(guān)鍵字： AMOLED  顯示器  電源  IC  

TSMC和Cadence合作開發(fā)3D-IC參考流程以實(shí)現(xiàn)3D堆疊

  • 全球電子設(shè)計(jì)創(chuàng)新領(lǐng)先企業(yè)Cadence設(shè)計(jì)系統(tǒng)公司(NASDAQ：CDNS)日前宣布，臺(tái)積電與Cadence合作開發(fā)出了3D-IC參考流程，該流程帶有創(chuàng)新的真正3D堆疊。該流程通過基于Wide I/O接口的3D堆疊，在邏輯搭載存儲(chǔ)器設(shè)計(jì)上進(jìn)行了驗(yàn)證 ，可實(shí)現(xiàn)多塊模的整合。
  • 關(guān)鍵字： Cadence  臺(tái)積  3D-IC  

Mentor工具被納入臺(tái)積電真正3D堆疊集成的3D-IC參考流程

  • Mentor Graphics 公司(納斯達(dá)克代碼：MENT)日前宣布其解決方案已由臺(tái)積電使用真正3D堆疊測(cè)試方法進(jìn)行了驗(yàn)證，可用于臺(tái)積電3D-IC參考流程。該流程將對(duì)硅中介層產(chǎn)品的支持?jǐn)U展到也支持基于TSV的、堆疊的die設(shè)計(jì)。
  • 關(guān)鍵字： Mentor  3D-IC  

TSMC和Cadence合作開發(fā)3D-IC參考流程以實(shí)現(xiàn)真正的3D堆疊

  • 　　? 新參考流程增強(qiáng)了CoWoSTM (chip-on-wafer-on-substrate)芯片設(shè)計(jì) 　　? 使用帶3D堆疊的邏輯搭載存儲(chǔ)器進(jìn)行過流程驗(yàn)證 　　全球電子設(shè)計(jì)創(chuàng)新領(lǐng)先企業(yè)Cadence設(shè)計(jì)系統(tǒng)公司(NASDAQ：CDNS)今天宣布，臺(tái)積電與Cadence合作開發(fā)出了3D-IC參考流程，該流程帶有創(chuàng)新的真正3D堆疊。該流程通過基于Wide I/O接口的3D堆疊，在邏輯搭載存儲(chǔ)器設(shè)計(jì)上進(jìn)行了驗(yàn)證 ，可實(shí)現(xiàn)多塊模的整合。它將臺(tái)積電的3D堆疊技術(shù)和Cadence?3D-IC解決方案相結(jié)合，包
  • 關(guān)鍵字： Cadence  3D-IC  

信息消費(fèi)“大勢(shì)”將至 IC業(yè)面臨考驗(yàn)

  • 　　“激水之疾，至于漂石者，勢(shì)也”。現(xiàn)如今，“信息消費(fèi)”的“勢(shì)”已然到來。智能手機(jī)、平板電腦、智能電視、移動(dòng)互聯(lián)網(wǎng)以及相關(guān)的應(yīng)用服務(wù)等新型信息消費(fèi)高速發(fā)展，今年1至5月，中國信息消費(fèi)規(guī)模已達(dá)1.38萬億元，預(yù)計(jì)到2015年總體規(guī)模將突破3.2萬億元，年均增長20%以上，帶動(dòng)相關(guān)行業(yè)新增產(chǎn)出超過1.2萬億元。信息消費(fèi)領(lǐng)域成長的潛力正待無限釋放。 　　正所謂信息消費(fèi)、終端先行，而終端先行的先決條件離不開IC及傳感器等的“鼎力
  • 關(guān)鍵字： IC  移動(dòng)互聯(lián)網(wǎng)  

硅基GaN LED及光萃取技術(shù)實(shí)現(xiàn)高性價(jià)比照明

  • 傳統(tǒng)的氮化鎵（GaN）LED元件通常以藍(lán)寶石或碳化硅（SiC）為襯底，因?yàn)檫@兩種材料與GaN的晶格匹配度較好，襯底常用尺寸為...
  • 關(guān)鍵字： GaN    LED    光萃取技術(shù)  

遲來的決定 印度兩座晶圓廠獲準(zhǔn)建設(shè)

  • 　　沙漠上的五星級(jí)酒店要?jiǎng)庸ち?9月13日印度通信與信息技術(shù)部長Kapil Sibal宣布已有兩家企業(yè)聯(lián)盟提出在印度建立半導(dǎo)體晶圓制造工廠。 　　據(jù)路透社報(bào)道，其中一家企業(yè)聯(lián)盟是由IBM、印度Jaiprakash Associates和以色列Tower Jazz公司組成，投資規(guī)模約41.42億美元，另一家則由Hindustan半導(dǎo)體制造公司、意法半導(dǎo)體和矽佳科技(Silterra)組成，投資規(guī)模約39.77億美元。 　　建設(shè)這兩個(gè)晶圓廠的目的是減少進(jìn)口(目前印度國內(nèi)約80%的需求都是通過進(jìn)口來滿足)。
  • 關(guān)鍵字： IC  晶圓  

道康寧加盟EV集團(tuán)開放平臺(tái)

  • 　　全球MEMS(微電子機(jī)械系統(tǒng))、納米技術(shù)和半導(dǎo)體市場(chǎng)晶圓鍵合及光刻設(shè)備的領(lǐng)先供應(yīng)商EV集團(tuán)(EVG)今天宣布，道康寧公司已加入該集團(tuán)的“頂尖技術(shù)供應(yīng)商”網(wǎng)絡(luò)，為其室溫晶圓鍵合及鍵合分離平臺(tái)——LowTemp?平臺(tái)的開發(fā)提供大力支持。道康寧是全球領(lǐng)先的有機(jī)硅及硅技術(shù)創(chuàng)新企業(yè)，此次加盟EVG這個(gè)業(yè)內(nèi)領(lǐng)先的合作伙伴網(wǎng)絡(luò)堪稱此前雙方緊密合作的延續(xù)，之前的合作包括對(duì)道康寧的簡便創(chuàng)新雙層臨時(shí)鍵合技術(shù)進(jìn)行嚴(yán)格的測(cè)試。今年7月，EVG推出全新的LowTemp公開平臺(tái)，并
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功率器件的利器 GaN

  • 　　GaN是什么? 　　什么是GaN?GaN中文名：氮化嫁，用化學(xué)元素來解釋就是V族化合物。六方晶系鉛鋅礦型結(jié)構(gòu)，為直接帶隙半導(dǎo)體。室溫禁帶寬度3.39eV。電子和空穴有效慣性質(zhì)量分別為0.19和0.6。電阻率>107Ω·m，電子遷移率 (1.25～1.50)×10-2m2/(V·s)。采用化學(xué)氣相淀積法制備。 　　GaN材料的研究與應(yīng)用是全球半導(dǎo)體研究的熱點(diǎn)，是研制微電子器件、光電子器件的新型半導(dǎo)體材料，并與SIC、金剛石等半導(dǎo)體材料一起，被
  • 關(guān)鍵字： GaN  功率器件  
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