2010年，供應商發布了第一波基于GaN技術的功率半導體。但直到最近，這種產品的可用性依然不高，價格也高昂不下，GaN技術一直在尋找理想的應用空間。隨著時間的推移，這些器件預計將逐步應用到電動汽車、移動設備的快速充電適配器、無線充電和其他系統中，GaN基功率半導體器件正在電源市場上攻城拔寨。
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GaN MOSFET
功耗是當今電子設計以及測試中最熱門也是競爭最激烈的領域之一。這是因為人們對高能效有強烈需求，希望能充分利用電池能量，幫助消減能源帳單，或者支持空間敏感或熱量敏感型應用。在經過30年的發展之后，硅MOSFET發
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GaN 測試
與SiC和GaN相比，beta;-Ga2O3有望以低成本制造出高耐壓且低損失的功率半導體元件，因而引起了極大關注。契機源于日本信息通信研究機構等的研究小組開發出的beta;-Ga2O3晶體管。下面請這些研究小組的技術人員，以論
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SiC 講座 功率元件 氧化鎵
中國第三代半導體產業南方基地(以下簡稱“南方基地”)正式落戶東莞。9月30日，中國第三代半導體產業南方基地項目啟動發布會在東莞召開。國家科技部原副部長、國家第三代半導體產業決策委員會主任曹健林，廣東省副省長袁寶成、省科技廳廳長黃寧生，市委副書記、市長梁維東，國家第三代半導體產業技術創新戰略聯盟理事長吳玲等領導出席中國第三代半導體產業南方基地項目啟動發布會并見證簽約儀式。
副市長楊曉棠，市政府黨組成員、松山湖管委會主任殷煥明等參加了啟動儀式。
為廣東實現半導體產業化提
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半導體 GaN
隨著去年Dialog取得了臺灣敦宏科技40%的股份后，國際Fabless業者Dialog于今日又有重要動作。此次的重大發布是與晶圓代工龍頭臺積電(TSMC)在GaN(氮化鎵)元件的合作。
Dialog企業發展及策略資深副總裁Mark Tyndall
透過臺積電以六寸晶圓廠的技術，Dialog推出了DA8801，Dialog企業發展及策略資深副總裁Mark Tyndall在會后接受CTIMES采訪時表示，該款元件為目前產業界首款將邏輯元件與GaN FET整合為單一
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Dialog GaN
德國弗勞恩霍夫應用固體物理研究所(Fraunhofer IAF)近日開發出實現5G網路不可或缺的建構模組：以氮化鎵(GaN)技術制造的高功率放大器電晶體...
下一代行動無線網路——5G，將為需要極低延遲的間和/或高達10Gbps資料傳輸速率的創新應用提供平臺。德國弗勞恩霍夫應用固體物理研究所(Fraunhofer Institute for Applied Solid State Physics，Fraunhofer IAF)近日開發出實現5G網路不可或缺的一種建構模組
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GaN 5G
眾人皆知，由于半導體制程的不斷精進，數位邏輯晶片的電晶體密度不斷增高，運算力不斷增強，使運算的取得愈來愈便宜，也愈來愈輕便，運算力便宜的代表是微電腦、個人電腦，而輕便的成功代表則是筆電、智慧型手機、平板。
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GaN、SiC、Si電源配接電路比較圖 (source：www.nedo.go.jp)
不過，姑且不論摩爾定律(Moors’ Law)能否持續下去，有些電子系統的輕便度仍待改進提升，例如筆電出門經常要帶著一個厚重占體積的電源配接器(Power Ad
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GaN SiC
當諾貝爾獎委員會在2014年宣布物理獎得主是發明藍光LED而得獎的日本學者赤崎勇、天野浩與中村修二三位學者后，掀起日本人對LED及氮化鎵(GaN)注意，也讓相關研究單位及研究計劃獲得更多的支持與關注。
比方2015年以諾貝爾獎得主天野浩帶頭的新單位─名古屋大學GaN聯盟，便有29家企業、14所大學、與2個技術研發基金會加入;日本產業技術總和研究所(AIST)與名古屋大學(NagoyaUniversity)合作，在2016年成立產總研名大氮化鎵半導體先進零組件開創研究實驗室(GaN-OIL)，都是
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GaN LED
當諾貝爾獎委員會在2014年宣布物理獎得主是發明藍光LED而得獎的日本學者赤崎勇、天野浩與中村修二三位學者后，掀起日本人對LED及氮化鎵(GaN)注意，也讓相關研究單位及研究計劃獲得更多的支持與關注。
比方2015年以諾貝爾獎得主天野浩帶頭的新單位─名古屋大學GaN聯盟，便有29家企業、14所大學、與2個技術研發基金會加入;日本產業技術總和研究所(AIST)與名古屋大學(Nagoya University)合作，在2016年成立產總研名大氮化鎵半導體先進零組件開創研究實驗室(GaN-OIL)，都
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GaN 藍光LED
橫跨多重電子應用領域、全球領先的半導體供應商意法半導體(STMicroelectronics，簡稱ST)的享譽業界的碳化硅(SiC)功率元器件，讓高科技創業公司Zaptec開發出世界上最小、最智能、最安全的電動汽車充電站ZapCharger。Zaptec是變壓器產業革命性的創新性初創公司。
作為市場首款內置電子變壓器的電動汽車便攜式充電器，ZapCharger可以連接任何電網給任何電動汽車充電。意法半導體的SiC MOSFET[1]碳化硅功率芯片具有非凡的功率轉換性能，讓Zaptec工程師得以設
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意法半導體 SiC
SiC功率半導體正進入多個應用領域
當首款碳化硅(SiC)二極管于2001年推出時，整個產業都對SiC功率半導體的未來發展存在疑慮，它會有市場嗎?它能夠真正實現商業化嗎?然而15年之后的今天，人們不再會有這樣的疑慮。SiC功率半導體市場是真實存在的，而且具有廣闊的發展前景。2015年，SiC功率半導體市場(包括二極管和晶體管)規模約為2億美元，到2021年，其市場規模預計將超過5.5億美元，這期間的復合年均增長率預計將達19%。毫無懸念，消耗大量二極管的功率因素校正(powerfactorcor
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SiC 功率半導體
當前，全球半導體產業正處于深度變革，化合物半導體成為產業發展新的關注點，我國應加緊產業布局，搶占發展的主動權。
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GaAs GaN
臺灣臺積電(TSMC)在“ISPSD 2016”上公開了受托生產服務的藍圖及試制元件的特性等。該公司將采用在直徑150mm(6英寸)的硅基板上形成GaN層的“硅基氮化鎵”(GaN on Si)技術生產GaN晶體管。
臺積電打算開展受托生產的GaN晶體管有三種類型：(1)常開型(Normal On)MISFET、(2)常開型HEMT、(3)常關型(Normal Off)。按耐壓高低來分有40V、100V和650V產品。
其中，耐壓650V的常關
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臺積電 GaN
移動應用、基礎設施與航空航天、國防等應用中領先的RF解決方案供應商Qorvo, Inc.今日宣布，推出六款全新50V氮化鎵(GaN)晶體管---QPD1009和QPD1010，以及QPD1008(L)和QPD1015(L)，專門設計用于優化商業用雷達、通信系統及航空電子應用的功率性能。
Qorvo 國防與航空航天產品總經理Roger Hall表示：“全新50V GaN晶體管系列通過提供更高功率增益和功率附加效率來提升系統性能。Qorvo可以更好地實現相位陣列雷達等先進設備的要求，提供
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Qorvo GaN
通訊電源是服務器，基站通訊的能源庫，為各種傳 輸設備提供電能，保證通訊系統正常運行，通信電源系統在整個通信行業中占的比例比較小，但它是整個通信網絡的關鍵基礎設施，是通信網絡上一個完整而又不可 替代的關鍵部件。通信電源產品種類繁多，一般集中放在機房里，如圖1所示。
圖1：通訊電源機房 目前主流的通訊電源，其參數如下： ? 輸入電壓AC:90-264V 50/60Hz ? 輸出功率：2kw ?
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SiC PFC
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