- 富士通半導體(上海)有限公司日前宣布，推出基于硅襯底的氮化鎵(GaN)功率器件芯片MB51T008A，該芯片可耐壓150 V。富士通半導體將于2013年7月起開始提供新品樣片。該產品初始狀態是斷開(Normally-off)，相比于同等耐壓規格的硅功率器件，品質因數(FOM)可降低近一半。
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富士通 功率器件 GaN MB51T008A
- SiC企業不斷增多，成本不斷下降”一文中，作者根津在開篇寫道：“下一代功率半導體已經不再特別。”這是因為，隨著使用SiC和GaN等“下一代功率半導體”的大量發布，在學會和展會的舞臺上，這種功率半導體逐漸帶上了“當代”的色彩。
那么，在使用功率半導體的制造現場，情況又是如何呢?雖然使用SiC和GaN的產品目前尚處開始增加的階段，仍屬于“下一代”，但在功率半導體使用者的心目中，此類產品已逐漸由
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SiC GaN
- GT Advanced Technologies(納斯達克：GTAT)日前推出其新型SiClone(TM) 100碳化硅(SiC)生產爐。 SiClone100采用升華生長技術，能生產出高品質的半導體SiC晶體塊，可最終制成最大直徑為100毫米的芯片。 在其初步階段，SiClone100主要針對本身已經擁有熱場、合格的晶體塊生產配方及正準備開始量產的客戶。
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GT SiC 晶體
- 在未來十年，受電源、光伏(PV)逆變器以及工業電動機的需求驅動，新興的碳化硅(SiC)和氮化鎵(GaN)功率半導體市場將以18%的驚人速度穩步增長。
據有關報告稱，至2022年SiC和GaN功率半導體的全球銷售額將從2012年的1.43億美元增加到28億美元。據預測，未來十年這一市場的銷售額將實現兩位數的年增長率。
SiC肖特基二極管已存在十多年，SiC金氧半場效晶體管(MOSFET)、結晶性場效應晶體管(JFET)和雙極型晶體管(BJT)在最近幾年出現。GaN功率半導體則剛剛進入市場。G
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GaN 半導體 SiC
- 在未來十年，受電源、光伏(PV)逆變器以及工業電動機的需求驅動，新興的碳化硅(SiC)和氮化鎵(GaN)功率半導體市場將以18%的驚人速度穩步增長。
據有關報告稱，至2022年SiC和GaN功率半導體的全球銷售額將從2012年的1.43億美元增加到28億美元。據預測，未來十年這一市場的銷售額將實現兩位數的年增長率。
SiC肖特基二極管已存在十多年，SiC金氧半場效晶體管(MOSFET)、結晶性場效應晶體管(JFET)和雙極型晶體管(BJT)在最近幾年出現。GaN功率半導體則剛剛進入市場。G
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GaN 半導體 SiC
- SiC集成技術在生物電信號采集設計, 人體信息監控是一個新興的領域，人們設想開發無線腦電圖(EEG)監控設備來診斷癲癇病人，可穿戴的無線EEG能夠極大地改善病人的活動空間，并最終通過因特網實現家庭監護。這樣的無線EEG系統已經有了，但如何將他們的體
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SiC 集成技術 生物電信號采集
- 因照明用LED需求大增，三菱化學計劃在2014年初將LED用氮化鎵(GaN)基板產能擴增至現行的2-3倍。
目前，三菱化學利用水島事業所和筑波事業所生產的GaN基板，生產的產品直徑為2寸，月產能分別為1,000片、數百片。
而為了要達到穩定獲利的水平，有必要將產品尺寸擴大至4-6寸，所以，三菱化學計劃借由調整水島事業所現有設備的制程，開始生產直徑為4寸的GaN基板，月產能為200-300片，并計劃憑借新設生產設備或增設廠房等措施，開始生產6寸GaN基板，將GaN基板產能擴增至現行的2-3倍
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LED GaN
- 致力于提供幫助功率管理、安全、可靠與高性能半導體技術產品的領先供應商美高森美公司(Microsemi Corporation，紐約納斯達克交易所代號：MSCC)日前宣布，推出新一代工業溫度碳化硅(SiC)標準功率模塊。新產品非常適用于要求高性能和高可靠性的大功率開關電源、馬達驅動器、不間斷電源、太陽能逆變器、石油勘探和其他高功率高電壓工業應用。該功率模塊系列還擴展了溫度范圍，以滿足下一代功率轉換系統對于功率密度、工作頻率和效率的更高要求。
SiC技術比硅材料提供更高的擊穿電場強度和更好的熱傳導性
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Microsemi SiC
- 進入21世紀以來，隨著摩爾定律的失效大限日益臨近，尋找半導體硅材料替代品的任務變得非常緊迫。在多位選手輪番登場后，有兩位脫穎而出，它們就是氮化鎵(GaN)和碳化硅(SiC)——并稱為第三代半導體材料的雙雄。
SiC早在1842年就被發現了，但直到1955年，才有生長高品質碳化硅的方法出現;到了1987年，商業化生產的SiC進入市場;進入21世紀后，SiC的商業應用才算全面鋪開。相對于Si，SiC的優點很多：有10倍的電場強度，高3倍的熱導率，寬3倍禁帶寬度，高一倍的飽和漂
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ROHM SiC 半導體
- 上海，2012年11月20日 –富士通半導體(上海)有限公司今日宣布采用其基于硅基板的氮化鎵 (GaN) 功率器件的服務器電源單元成功實現2.5kW的高輸出功率，富士通半導體計劃將于2013年下半年開始量產這些GaN功率器件。這些器件可廣泛用于電源增值應用，對實現低碳社會做出重大貢獻。
與傳統硅基功率器件相比，基于GaN的功率器件具有導通電阻低和能夠進行高頻操作等特性。而這些特性恰恰有利于提高電源單元轉換效率，并使電源單元更加緊湊。富士通半導體計劃在硅基板上進行GaN功率器件的商業化
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富士通 功率器件 GaN
- 為努力實現更高的功率密度并滿足嚴格的效率法規要求以及系統正常運行時間要求，工業和功率電子設計人員在進行設計時面臨著不斷降低功率損耗和提高可靠性的難題。 然而，在可再生能源、工業電機驅動器、高密度電源、汽車以及井下作業等領域，要想增強這些關鍵設計性能，設計的復雜程度就會提高，同時還會導致總體系統成本提高。
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飛兆 SiC 晶體管
- 富士通半導體(上海)有限公司日前宣布采用其基于硅基板的氮化鎵 (GaN) 功率器件的服務器電源單元成功實現2.5kW的高輸出功率，富士通半導體計劃將于2013年下半年開始量產這些GaN功率器件。這些器件可廣泛用于電源增值應用，對實現低碳社會做出重大貢獻。
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富士通 功率器 GaN
- 為了防止地球溫室化，減少CO2排放量已成為人類的課題。為了減少CO2排放量，節電與提高電壓的轉換效率是當務之急。在這種背景下，羅姆通過用于LED照明的技術貢獻于節電，通過功率元器件提升轉換效率。
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羅姆 變壓器 SiC
- 電子產品世界,為電子工程師提供全面的電子產品信息和行業解決方案,是電子工程師的技術中心和交流中心,是電子產品的市場中心,EEPW 20年的品牌歷史,是電子工程師的網絡家園
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