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gan+sic 文章 最新資訊

開關電源轉換器高性能碳化硅(SiC)功率半導體器件

  • 進入21世紀,開關電源技術將會有更大的發展,這需要我國電力電子、電源、通信、器件、材料等工業和學術各界努...
  • 關鍵字: 開關電源  轉換器  碳化硅(SiC)  

“主流GaN”的發展和未來

  • 電子產品世界,為電子工程師提供全面的電子產品信息和行業解決方案,是電子工程師的技術中心和交流中心,是電子產品的市場中心,EEPW 20年的品牌歷史,是電子工程師的網絡家園
  • 關鍵字: GaN  恩智浦  氮化鎵  射頻功率晶體管  

科銳推出突破性GaN基固態放大器平臺

  • 科銳公司(Nasdaq: CREE)宣布推出具有革新性功率與帶寬性能的全新Ku波段40V、0.25微米碳化硅襯底氮化鎵基(GaN-on-SiC)裸芯片產品系列。該創新型產品系列能夠使得固態放大器替代行波管,從而提高效率和可靠性。
  • 關鍵字: 科銳  放大器  GaN  

英飛凌推出新的CoolSiCTM 1200V SiC JFET系列

  • 在“2012年歐洲電力電子、智能運動、電能品質國際研討會與展覽會”上,英飛凌科技股份公司(FSE: IFX / OTCQX: IFNNY)推出新的CoolSiCTM 1200V SiC JFET 系列,該產品系列增強了英飛凌在SiC(碳化硅)產品市場的領先地位。這個革命性的新產品系列,立足于英飛凌在SiC技術開發以及高質量、大批量生產方面十多年的豐富經驗。
  • 關鍵字: 英飛凌  SiC  JFET  

超過20kV:半導體元件的世界最高耐壓

  •   日本京都大學工學研究系電子工學專業教授木本恒暢等人的研究小組,試制出了耐壓高達21.7kV的SiC制PiN二極管。此前雖有耐壓為十數kV的半導體功率元件,但超過20kV的尚為首次,“是半導體元件中的世界最高值”(木本)。   該二極管的設想用途為置換變電站使用的硅制GTO。比如,日本的電網電壓為6.6kV,因此要求耐壓達到20kV。據稱目前是使用3~4個數kV的GTO來確保耐壓的。如果使用耐壓超過20kV的SiC制PiN二極管,一個即可滿足要求。由此,轉換器及冷卻器等便可實現
  • 關鍵字: SIC  二極管  半導體  

羅姆清華探索校企合作新模式

  • ??????? TRIFIA 2012年清華-羅姆國際產學連攜論壇于4月28日在清華羅姆電子館召開,來自清華的教授跟與會者分享了與羅姆合作以來在某些領域取得的成果以及一些教學科研經驗。會后,羅姆株式會社常務董事高須秀視先生和清華電子工程系系主任王希勤教授接受了采訪,我們了解到了更多羅姆和清華在產學研方面的相關合作。 以“羅姆”命名清華樓,并無排他性 ?????
  • 關鍵字: 羅姆  SiC  

技術講座:用氧化鎵能制造出比SiC性價比更高的功率

  • 與SiC和GaN相比,beta;-Ga2O3有望以低成本制造出高耐壓且低損失的功率半導體元件,因而引起了極大關注。契機源于日本信息通信研究機構等的研究小組開發出的beta;-Ga2O3晶體管。下面請這些研究小組的技術人員,以論
  • 關鍵字: SiC  講座  功率元件  氧化鎵    

技術講座:用氧化鎵能制造出比SiC性價比更高的功率元件(二)

  • 基板成本也較低采用β-Ga2O3制作基板時,可使用“FZ(floatingzone)法”及“EFG(edge-definedfilm-fed...
  • 關鍵字: 氧化鎵  SiC  功率元件  MOSFET  LED  

技術講座:用氧化鎵能制造出比SiC性價比更高的功率元件(一)

  • 與SiC和GaN相比,β-Ga2O3有望以低成本制造出高耐壓且低損失的功率半導體元件,因而引起了極大關注。契機源...
  • 關鍵字: SiC  功率元件  GaN  導通電阻  

采用IMEC的SiC技術完成生物電信號采集

  • 采用IMEC的SiC技術完成生物電信號采集,人體信息監控是一個新興的領域,人們設想開發無線腦電圖(EEG)監控設備來診斷癲癇病人,可穿戴的無線EEG能夠極大地改善病人的活動空間,并最終通過因特網實現家庭監護。這樣的無線EEG系統已經有了,但如何將他們的體積
  • 關鍵字: IMEC  SiC  生物電信號采集    

硅上GaN LED分析

  • 硅上GaN LED不必受應力的影響,一定量的應力阻礙了輸出功率。英國一個研究小組通過原位工具監測溫度和晶片曲率,制備出低位錯密度的扁平型150mm外延片,并將這些芯片安裝到器件中,使得內量子效率接近40%。硅襯底在
  • 關鍵字: GaN  LED  分析    

世界首家“全SiC”功率模塊開始量產

  • 日本知名半導體制造商羅姆株式會社(總部:日本京都市)推出的“全SiC”功率模塊(額定1200V/100A)開始投入量產。該產品的內置功率半導體元件全部采用SiC(Silicon Carbide:碳化硅)構成。
  • 關鍵字: 羅姆  半導體  SiC  

用SiC撬動新能源、汽車電子新興市場

  • 由于具有低功耗、高耐壓、高耐溫、高可靠性等優點,SiC功率器件被廣泛應用于電動汽車/混合動力車中的逆變器、轉換器、PFC電路等領域、傳統工業(尤其是軍工)中的功率轉換領域以及太陽能、風能等新能源中的整流、逆變等領域,很多半導體廠商都看好SiC技術的未來,并積極投身其中,在08年收購生產SiC晶圓的德國SiCrystal公司之后,羅姆半導體(ROHM)已經在SiC領域形成了從晶圓制造、前期工序、后期工序再到功率模塊的一條龍生產體系,并率先市場SiC器件的量產,羅姆要將SiC器件應用于哪些新興領域?如何發揮其
  • 關鍵字: 羅姆  太陽能  SiC  

瑞薩電子推出三款低損耗碳化硅功率器件

  • 全球領先的高級半導體和解決方案的供應商瑞薩電子株式會社(以下簡稱“瑞薩電子”)宣布推出三款碳化硅(SiC)復合功率器件,它們是RJQ6020DPM、RJQ6021DPM和RJQ6022DPM。三款產品在單一封裝中結合了多個碳化硅二極管和多個功率晶體管,組成電源轉換電路。這些功率器件是瑞薩電子推出的采用碳化硅的第二個功率半導體產品系列。碳化硅是一種能有效降低損耗的新材料。全新功率器件旨在用于家電(如空調)、PC服務器和太陽能發電系統等電力電子產品。
  • 關鍵字: 瑞薩電子  功率器件  SiC  

科銳推出芯片型碳化硅功率器件

  • 碳化硅(SiC)功率器件領域的市場領先者科銳公司將繼續引領高效率電子電力模組變革,宣布推出業界首款符合全面認證的可應用于電力電子模組的裸芯片型及芯片型碳化硅MOSFET功率器件。科銳碳化硅ZFET MOSFET器件和二極管適用于高階電力電子電路,與傳統硅器件相比,可實現更高的能源效率。
  • 關鍵字: 科銳  SiC  MOSFET  
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