如果你想要得到顯著的摻雜剖面結構及低阻值的p型GaN，那么就要考慮把你的載體氣體由氫氣置換成氬氣。作者：Vla...
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GaN LED
在當今社會，DNA分析的重要性毋庸置疑。就拿上個月發生的案例來說：英國倫敦一位名叫DamilolaTaylor的十歲男孩...
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GaN LED
日本知名半導體制造商羅姆株式會社(總部：日本京都市)日前面向EV、HEV車(電動汽車、混合動力車)及工業設備，與擁有電力系統和電源封裝技術的Arkansas Power Electronics International(APEI)公司聯合開發出搭載了SiC溝槽MOS的高速、大電流模塊“APEI HT2000”。該模塊一改傳統的Si模塊的設計，由于最大限度地利用了SiC器件的特點，從而大幅改善了電氣特性、機械特性，同時實現了超小型化、輕量化、高效化，在SiC模塊的普及上邁出了巨大的一步。
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羅姆 SiC MOS
日本知名半導體制造商羅姆株式會社(總部：日本京都市)日前面向EV/HEV車(電動汽車/混合動力車)和工業設備的變頻驅動，開發出符合SiC器件溫度特性的可在高溫條件下工作的SiC功率模塊。該模塊采用新開發的高耐熱樹脂，世界首家實現了壓鑄模類型、225℃高溫下工作，并可與現在使用Si器件的模塊同樣實現小型和低成本封裝，在SiC模塊的普及上邁出了巨大的一步。
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羅姆 SiC
超級半導體材料GaN(氮化鎵)的時代正開啟。它比傳統的硅和GaAs(砷化鎵)更加耐壓，已成為大功率LED的關鍵材料之...
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LED GaN MOSFET
據羅姆中國營業本部村井美裕介紹，面對未來的50年，羅姆提出了“相乘戰略”、“功率器件戰略”、“LED戰略”和“傳感器戰略”四大企業戰略。
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羅姆 SiC LED
富士電機計劃生產采用碳化硅作為原料的功率半導體，并在2012年前于該公司位于日本長野縣的松元制作所增設一條產線，此為該公司首次在自家工廠設置碳化硅功率半導體的產線，未來預計在2012年春季開始量產。
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富士電機 SiC
引言 隨著現代技術的發展， 功率放大器已成為無線通信系統中一個不可或缺的部分, 特別是寬帶大功率產生技術已成為現代通信對抗的關鍵技術。作為第三代半導體材料碳化硅（ SiC） , 具有寬禁帶、高熱導率、高擊穿場
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設計 分析 模塊 功率放大器 寬帶 SiC
電子產品世界,為電子工程師提供全面的電子產品信息和行業解決方案,是電子工程師的技術中心和交流中心,是電子產品的市場中心,EEPW 20年的品牌歷史,是電子工程師的網絡家園
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SiC 寬帶功率放大器 模塊設計 放大電路
1993年世界上第一只GaN基藍色LED問世以來，LED制造技術的發展令人矚目。目前國際上商品化的GaN基LED均是...
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LED芯片 硅襯底 GaN
Ⅲ族氮化物半導體材料廣泛用于紫、藍、綠和白光發光二極管，高密度光學存儲用的紫光激光器，紫外光探測器，...
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MOCVD GaN LED芯片
摘要：氮化鎵功率管的寬帶隙、高擊穿電場等特點，使其具有帶寬寬，高效特性等優點。為了研究GaN功率放大器的特點，使用了Agilent ADS等仿真軟件，進行電路仿真設計，設計制作了一種S波段寬帶GaN功率放大器。詳述了電
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GaN S波段 寬帶 放大器
摘要：為了實現GaN基量子阱紅外探測器，利用自洽的薛定諤-泊松方法對GaN基多量子阱結構的能帶結構進行了研究。考慮了GaN基材料中的自發極化和壓電極化效應，通過設計適當的量子阱結構，利用自發極化和壓電極化的互補
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設計 探測器 紅外 量子 GaN
安川電機試制出了利用SiC功率元件的電動汽車（EV）行駛系統（圖1）。該系統由行駛馬達及馬達的驅動部構成。通過...
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安川電機 EV行駛系統 SiC
在由Xilinx主辦的會議上市調公司Semico的Richard Wawrzyniak’s作了有關全球ASIC市場的報告。Semico對于傳統的ASIC市場將只有低增長的預測,而可編程邏輯電路(PLD)在帶寬與可移動聯結等日益增長的需求推動下將有大的發展。
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Xilinx Semico SIC
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