英飛凌宣布，其碳化硅功率半導體器件被豐田新款純電動車型 bZ4X 選用，旗下 CoolSiC 碳化硅 MOSFET 將應用于該車的車載充電器（OBC）與直流 - 直流轉換器（DC/DC）中。對于歐洲電子工程新聞網的讀者而言，這一消息清晰體現出碳化硅的應用正加速突破牽引逆變器領域，延伸至汽車核心的功率轉換模塊；同時也凸顯出車企正愈發廣泛地采用寬禁帶半導體器件，以實現電動汽車快充提速、續航提升等可量化的性能優化。碳化硅深度融入豐田電動汽車功率電子系統據官方消息，豐田此次為 bZ4X 的車載充電器和直流 - 直
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英飛凌 CoolSiC 碳化硅 MOSFET 豐田 bZ4X
英飛凌（Infineon）近日推出了其首款采用光耦仿真（opto-emulator），旨在簡化從傳統基于光耦的控制方案向新一代碳化硅（SiC）功率級的遷移。據官方新聞稿介紹，新型 EiceDRIVER? 1ED301xMC12I 系列器件在引腳上與現有的光耦仿真器和光耦合器兼容。對于《eeNews Europe》的讀者——尤其是從事工業與能源系統設計的工程師而言，這一產品意義重大：它提供了一條無需徹底重新設計控制板即可快速升級至更高效率SiC方案的路徑。同時，這也凸顯了當前柵極驅動器性能正不斷演
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英飛凌 IC SiC
在碳化硅（SiC）技術的應用中，許多工程師對SiC的性能評價存在誤解，尤其是關于“單位面積導通電阻（Rsp）”和“高溫漂移”的問題。作為“碳化硅何以英飛凌”的系列文章，本文將繼續為您揭開這些誤區的真相（誤區一見：碳化硅何以英飛凌？—— 溝槽柵技術可靠性真相），并介紹英飛凌如何通過技術創新應對這些挑戰。常見誤區2：“SiC的性能主要看單位面積導通電阻Rsp，電阻越小，產品越好。與平面柵相比，溝槽柵SiC的電阻在高溫下漂移更大，這是否會影響可靠性”01多元化的性能評價更全面Rsp并非唯一評價標準雖然Rsp越小
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英飛凌 碳化硅 MOSFET
汽車零部件供應商舍弗勒已啟動新款高壓逆變器功率模塊的量產工作。該模塊采用羅姆的碳化硅功率場效應晶體管裸片，是雙方戰略合作的重要成果。這款逆變器組件也被稱為功率模塊（brick），是電動汽車牽引逆變器的核心功率單元，其功能是通過邏輯信號控制驅動電機，并生成驅動電機運轉所需的高頻電流。牽引逆變器作為電動汽車高壓電池與驅動電機之間的橋梁，核心作用是將電池輸出的直流電轉換為交流電，進而精準調控電機的轉速、扭矩等關鍵運行參數。目前，市面上的電動汽車大多搭載 400V 電壓平臺的電池包。為實現更快的充電速度與更高的系
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SiC 電動汽車 高壓 逆變器 功率模塊
本教程聚焦SiC JFET 在固態斷路器中的應用，核心內容包括三大板塊，闡釋 SiC JFET 的關鍵特性、系統說明 SiC JFET 如何推動電路保護系統取得重大進步、通過評估和測試結果展示產品性能。我們已介紹過
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安森美 功率電路 SiC JFET 熱插拔控制
本教程聚焦SiC JFET 在固態斷路器中的應用，核心內容包括三大板塊，闡釋 SiC JFET 的關鍵特性、系統說明 SiC JFET 如何推動電路保護系統取得重大進步、通過評估和測試結果展示產品性能。我們已介紹過浪涌電流、應對不斷攀升的電力需求、為什么要使用固態斷路器。本文為系列教程的第二部分，將介紹SSCB 采用 SiC JFET 的四個理由。斷路器制造商首要關注的是發熱問題。 所有半導體在電流流過其中時都會產生熱量。 這種熱量可以用導通電阻來衡量， 其表示符號為 RDS(on) 。當然，
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安森美 功率電路 固態斷路器 SiC JFET
輸配電系統與各類靈敏用電設備的安全運行，離不開對長時間過載與瞬態短路故障的妥善防護。這些風險若未及時管控，輕則導致設備損壞，重則引發系統癱瘓。隨著電力系統電壓等級持續提升、電動汽車高壓化趨勢加劇，電路中可能出現的最大故障電流已達到前所未有的水平，對保護裝置的響應速度與耐受能力提出了更嚴苛的要求，超快速交流/直流斷路器由此成為關鍵需求。在過去很長一段時間里，機械斷路器（EMB）始終是這類保護場景的主流選擇。但隨著用電場景對可靠性、響應速度的要求不斷升級，傳統機械斷路器的局限性逐漸凸顯，而固態斷路器（SSCB
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安森美 固態斷路器 SiC JFET
電動汽車 (EV)、可再生能源系統和人工智能 (AI) 數據中心等領域電氣化進程的持續提速，正不斷給電源系統帶來更大壓力，對電源系統的效率、小型化及低溫運行能力提出了更高要求。這構成了一個長期存在的難題：功率密度的提升與系統尺寸的縮減往往會造成嚴重的散熱瓶頸。這是當下電源系統設計人員面臨的核心挑戰，高效的散熱管理已成為一大設計難關。全球市場正加速碳化硅 (SiC) 技術的應用落地，但散熱設計卻時常成為掣肘 SiC 性能發揮的因素。傳統封裝方案往往力不從心，難以滿足大功率碳化硅
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安森美 散熱 碳化硅 T2PAK封裝
全球微電子工程公司Melexis近日宣布，其創新的MLX91299硅基RC緩沖器已被全球先進的功率半導體模塊制造商利普思（Leapers）選用，將其集成于新一代功率模塊中。此次合作標志著雙方在技術創新與系統優化上的深度融合，共同致力于推動汽車與工業能源管理領域的發展。利普思的功率模塊憑借卓越的性能和可靠性，廣泛應用于電動汽車、充電基礎設施、可再生能源系統及工業功率轉換等高要求場景。隨著市場對高效率、功率密度及可靠性需求的不斷提升，利普思正積極探索能在更高開關頻率與電壓下穩定運行的碳化硅（SiC）功率器件。
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Melexis 邁來芯 RC緩沖器 利普思 SiC
安森美（onsemi）憑借其業界領先的Si和SiC技術，從變電站的高壓交流/直流轉換，到處理器級的精準電壓調節，為下一代AI數據中心提供了從3kW到25-30kW HVDC的供電全環節高能效、高密度電源解決方案。特別是近期，安森美攜手英偉達，共推下一代AI數據中心加速向800V直流供電方案轉型，這種技術能力的廣度和深度使安森美成為少數能以可擴展、可實際落地的設計滿足現代AI基礎設施嚴苛供電需求的公司之一。在2025 PCIM Asia 展會期間，安森美 SiC JFET產品市場經理Brandon Beck
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安森美 碳化硅 AI
歲末將至，回顧2025年科技領域，英飛凌在碳化硅（SiC）賽道成績斐然，憑借一系列創新產品與前沿技術，為行業發展注入強勁動力，成為行業矚目的焦點。小編貼心地按照產品發布和技術發布這兩大板塊，給大家挑選部分亮點產品，方便各位看官全方位了解，咱們這就開整！01產品發布：多元布局，精準覆蓋多領域需求1CoolSiC? MOSFET G2 1200V和1400V單管：多種封裝組合全面升級，滿足多樣化應用場景11.8CoolSiC? MOSFET G2 1200V單管CoolSiC? MOSFET G2 1400V
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英飛凌 碳化硅
Power SiC市場持續轉型。繼2019年至2024年間前所未有的投資浪潮后，Yole Group表示，行業現正進入調整周期。汽車市場放緩導致硅碳需求下降，硅碳供應鏈發生了轉變。 利用率下降、產能過剩和投資減少的循環引發了行業參與者的擔憂。盡管放緩，SiC仍是電氣化路線圖的核心，預計到2030年設備收入將接近100億美元。行業首個重大投資周期由2019-2024年資本支出熱潮推動，造成了顯著的上游產能過剩。設備資本支出在2023年達到約30億美元的峰值，導致上游硅碳價值鏈出現顯著產能過剩。20
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●? ?動態無線充電道路系統可在客車與卡車行駛于道路及高速公路上時為其充電●? ?英飛凌定制碳化硅模塊可大幅提高功率密度，使電動汽車搭載更小的電池，實現24小時全天候運行●? ?動態無線充電道路系統解決方案是減少交通運輸領域碳排放的一項關鍵創新Electreon?的動態無線充電系統采用英飛凌的碳化硅模塊，大幅提升了其性能、可靠性與能效英飛凌科技股份公司將為領先的電動汽車（EV）無線充電解決方案提供商 Electreon提供定制碳化硅（S
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Melexis正在制造全硅RC緩沖器，用于集成在碳化硅動力模塊中。目前正在向潛在客戶采樣，所有零件將是新零件編號“MLX91299”的變體，并以裸芯片形式交付，準備與電源模塊內的MOSFET和二極管芯片進行頂部線連接。反金屬化兼容燒結和焊接。該硅吸收器設計用于直流鏈路，最高可達1000伏直流，峰值可達1200伏，擊穿額定值將超過1500伏。據公司介紹，它們“在電壓超過150伏時保持恒定電容，并在10nA附近表現出泄漏電流”。“有多種R和C組合，比如4.3nF在1.45Ω或1.1nF在5.23Ω。”具體生產
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全硅 RC 緩沖器 碳化硅 MOSFET 電壓瞬變抑制
截至2025年11月，碳化硅（SiC）市場正處于價值重新評估和結構分歧的關鍵階段。在價格方面，低端散裝硅碳材料因成本失控而價格上漲，而主流6英寸硅碳基材在供應過剩下持續暴跌。然而，在應用方面，SiC卓越的導熱率使其成為英偉達Rubin平臺和臺積電先進封裝中AI芯片散熱的戰略材料，預示著由高性能計算應用驅動的高價值增長第二波浪潮。硅基價格趨勢：原材料上漲壓力，高端基材價格大幅降幅SiC市場在定價動態上展現出明顯的差異。一方面，散裝SiC材料的價格——如黑色和綠色SiC粉末及顆粒——一直在上漲。根據包括CIP
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碳化硅（sic）介紹
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