創新型碳化硅功率解決方案的全球引領者 Wolfspeed 公司近日宣布與全球可再生能源解決方案創新者深圳市禾望電氣股份有限公司（禾望電氣，Hopewind）達成合作。兩家公司通過將 Wolfspeed 尖端的 2.3 kV LM Pack 模塊集成到禾望電氣先進的高度模塊化、輕量化的 950 Vac 風電變流器之中，共同推動下一代風電解決方案的開發。作為中國最大的風電變流器供應商之一，禾望電氣對其風電解決方案采用了新穎的方法：該產品采用碳化硅（SiC）器件和高可靠性封裝技術，實現了功率密度提升 38% 和
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禾望電氣 Wolfspeed 碳化硅 風能
安森美(onsemi) 宣布已與奧拉半導體（Aura Semiconductor）完成Vcore電源技術及相關知識產權（IP）的授權交易。此項戰略交易增強了安森美的電源管理產品組合與路線圖，加速實現公司在人工智能（AI）數據中心應用中覆蓋從電網到核心的完整電源樹的愿景。安森美在硅及碳化硅（SiC）技術領域擁有數十年的創新積累，為固態變壓器、電源、800 V直流配電以及核心供電等應用提供行業領先的解決方案。通過整合這些技術，安森美將成為少數幾家能夠以可擴展、實用的設計，滿足現代AI基礎設施嚴苛電力需求的公司
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安森美 奧拉 Vcore 碳化硅 SiC
全球知名半導體制造商ROHM（總部位于日本京都市）今日宣布，已開始量產TOLL（TO-LeadLess）封裝的SiC MOSFET“SCT40xxDLL”系列產品。與同等耐壓和導通電阻的以往封裝產品（TO-263-7L）相比，其散熱性提升約39%，雖然體型小且薄，卻能支持大功率。該產品非常適用于功率密度日益提高的服務器電源、ESS（儲能系統）以及要求扁平化設計的薄型電源等工業設備。與以往封裝產品相比，新產品的體積更小更薄，器件面積削減了約26%，厚度減半，僅為2.3mm。另外，很多TOLL封裝的普通產品的
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ROHM SiC MOSFET
全球碳化硅技術引領者 Wolfspeed, Inc. 公司近日宣布已成功完成其財務重整流程，并已退出美國《破產法》第 11 章的保護。通過此次重整，Wolfspeed 將其總債務削減了約 70%，債務到期日延長至 2030 年，年度現金利息支出也隨之降低了約 60%。此外，公司認為其保持有充足的流動性，可繼續為客戶提供領先的碳化硅解決方案。憑借由自由現金流生成能力支撐的自籌資金商業計劃，Wolfspeed 已蓄勢待發，將充分利用其垂直整合的 200 mm 制造基地，并以安全、可擴展的本土供應鏈為后盾，來推
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Wolfspeed 碳化硅
●? ?英飛凌與羅姆簽署諒解備忘錄，約定互為采用特定碳化硅（SiC）半導體產品的客戶提供第二供應商支持●? ?未來，客戶可在英飛凌與羅姆各自的對應產品間輕松切換，從而提升設計與采購的靈活性●? ?此類產品能提高汽車車載充電器、可再生能源及AI數據中心等應用場景中的功率密度英飛凌科技零碳工業功率事業部總裁Peter Wawer（左）羅姆董事兼常務執行官伊野和英（右）全球功率系統和物聯網領域的半導體領導者英飛凌科技股份公司（總部位于德國諾伊比貝格，以
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英飛凌 羅姆 ROHM SiC功率器件 SiC
全球知名半導體制造商羅姆（總部位于日本京都市）近日宣布，與英飛凌科技股份公司（總部位于德國諾伊比貝格，以下簡稱“英飛凌”）就建立SiC功率器件封裝合作機制簽署了備忘錄。雙方旨在對應用于車載充電器、太陽能發電、儲能系統及AI數據中心等領域的SiC功率器件封裝展開合作，推動彼此成為SiC功率器件特定封裝的第二供應商。未來，用戶可同時從羅姆與英飛凌采購兼容封裝的產品，既能靈活滿足客戶的各類應用需求，亦可輕松實現產品切換。此次合作將顯著提升用戶在設計與采購環節的便利性。英飛凌科技零碳工業功率事業部總裁 Peter
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羅姆 英飛凌 SiC
斷路器是一種用于保護電路免受過流、過載及短路損害的裝置。它不用于保護人員免受電擊，而用于防范此類電擊的裝置被稱為剩余電流裝置（RCD） 或接地故障斷路器（GFCI） 。該裝置可檢測泄漏電流并切斷電路。機電式斷路器的設計可追溯至 20 世紀 20 年代，如今仍被廣泛應用。與早期的熔斷器設計相比，斷路器具有顯著優勢 ——可重復使用，而早期的熔斷器使用一次后就必須更換。如今，隨著寬禁帶半導體技術的發展，固態斷路器正占據更大的市場份額。與硅基半導體相比，寬禁帶半導體開關在正常運行期間具有更低的通態損耗和更高的效率
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安森美 SiC JFET 固態斷路器
隨著電動汽車(EV)逐漸成為主流，人們對電動汽車的性能、充電時間和續航里程的期望持續攀升。要滿足這些需求，不僅需要在用戶界面層面進行創新，更要深入動力系統架構展開革新。而推動這一演進的關鍵趨勢之一，便是電池系統從400V向800V（乃至1200V）的升級。這種轉變能實現充電提速、功率提升與能源高效利用，但同時也帶來了新的設計挑戰。安森美(onsemi)正處于這一變革的前沿。安森美提供一系列碳化硅(SiC) 解決方案，包括650V 和1200V M3S EliteSiC MOSFET和汽車功率模塊(APM)
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安森美 SiC 電動汽車 800V
碳化硅（SiC）在耐高溫、耐電壓和電力效率方面優于傳統硅，全球領導者如英飛凌和 Wolfspeed 正在爭先。現在，韓國也加大了力度——Maeil 商業報紙報道，釜山已開啟了韓國首個 8 英寸碳化硅功率半導體工廠。據報道，釜山廣域市政府于 17 日宣布，EYEQ Lab 在釜山吉昌完成了其新的總部和生產設施。該工廠投資了 1000 億韓元，使韓國首次能夠完全本土化生產 8 英寸碳化硅功率半導體。如《韓國先驅報》所強調，釜山廣域市政府將項目的完成視為一個關鍵里程碑，旨在提升國內8英寸碳化硅功率半導體的生產并
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碳化硅 MOSFET 電源 功率半導體
電力電子行業將進入增長的最后階段，預計到 2025 年評估市場價值將達到 517.3 億美元，到 2030 年將達到 674.2 億美元。5.4% 的穩定復合年增長率源于對能源效率、可再生能源集成和半導體先進技術的需求穩步增長。增長動力：市場的積極勢頭源于相互關聯的現象：清潔能源勢在必行隨著世界試圖實現碳中和，包括太陽能光伏和風電場在內的可再生能源系統將成為主流。因此，電力電子設備被用于這些系統，以實現高效的能源轉換、電網集成和實時管理。交通電氣化隨著電動汽車和混合動力汽車不再被視為小眾市場，現在對高性能
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SiC GaN 電力電子
8 月 27 日，三安在投資者關系平臺上宣布，其湖南三安半導體基地的 8 英寸碳化硅（SiC）芯片生產線正式投產。湖南三安的 8 英寸 SiC 芯片線從建設到投產不到一年，進展比預期更快。截至 2025 年 8 月，湖南三安已建立起相對完整的 SiC 產業鏈產能：6 英寸 SiC 產能為每月 16000 片，8 英寸襯底和外延產能分別為每月 1000 片和 2000 片。此外，該公司還有氮化鎵-on-Silicon 產能為每月 2000 片。湖南三安碳化硅項目的總投資額為160億元人民幣，目標是建立一個兼
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碳化硅 芯片 晶圓廠
中國上海，2025年8月28日——東芝電子元件及存儲裝置株式會社（“東芝”）今日宣布，推出三款650V碳化硅（SiC）MOSFET——“TW027U65C”、“TW048U65C”和“TW083U65C”。這三款產品配備其最新[1]第3代SiC MOSFET芯片，并采用表面貼裝TOLL封裝，適用于開關電源、光伏發電機功率調節器等工業設備。三款器件于今日開始支持批量出貨。 三款新產品是東芝第3代SiC MOSFET，采用通用表面貼裝TOLL封裝，與TO-247和TO-247-4L(X)
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東芝 SiC MOSFET
據“天岳先進”官方微信公眾號消息，8月22日，東芝電子元件及存儲裝置株式會社（以下簡稱“東芝電子元件”）與山東天岳先進科技股份有限公司（以下簡稱“天岳先進”）就SiC功率半導體用襯底達成基本合作協議。雙方將在技術協作與商業合作兩方面展開深入合作，具體包括提升SiC功率半導體特性和品質，以及擴大高品質穩定襯底供應。未來，雙方將圍繞合作細節展開進一步磋商。東芝電子元件憑借在鐵路用SiC功率半導體領域的開發與制造經驗，正加速推進服務器電源用和車載用SiC器件的研發。未來，東芝電子元件計劃進一步降低SiC功率半導
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東芝 天岳先進 SiC 功率半導體襯底
電容-電壓 (C-V) 測量廣泛用于半導體材料和器件表征，可提取氧化物電荷、界面陷阱、摻雜分布、平帶電壓等關鍵參數。傳統基于 SMU 施加電壓并測量電流的準靜態方法適用于硅 MOS，但在?SiC MOS 器件上因電容更大易導致結果不穩定。為解決這一問題，Keithley 4200A-SCS 引入?Force-I QSCV 技術，通過施加電流并測量電壓與時間來推導電容，獲得更穩定可靠的數據。Force-I QSCV 技術在 SiC 功率 MOS 器件上體現出多項優勢。比如僅需 1 臺帶前
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202509 SiC MOSFET 界面陷阱檢測 QSCV 泰克
拓墣產業研究院最新報告指出，第三代半導體產業競爭日益激烈，氮化鎵（GaN）功率元件憑借其高頻、高功率特性，在5G/6G基地臺、航空航天、AI運算等應用領域快速崛起。拓墣預估，2025年全球GaN功率半導體市場規模將達7.5億美元，年增率高達62.7%，至2030年將擴大至43.8億美元，年復合成長率（CAGR）達42.3%。GaN組件具備優異電性能與高可靠性，除了主流通訊以及工業應用外，也加速滲透至智慧城市、無線充電與醫療設備等新興場景。隨中國大陸等地積極推動產業自主，全球GaN供應鏈本土化進程加速，各國
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第三代半導體 GaN 拓墣產業研究院 SiC
碳化硅（sic）介紹
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