碳化硅（sic） 文章 最新資訊
英飛凌CoolSiC碳化硅MOSFET獲豐田bZ4X車型采用
- 英飛凌宣布，其碳化硅功率半導(dǎo)體器件被豐田新款純電動車型 bZ4X 選用，旗下 CoolSiC 碳化硅 MOSFET 將應(yīng)用于該車的車載充電器（OBC）與直流 - 直流轉(zhuǎn)換器（DC/DC）中。對于歐洲電子工程新聞網(wǎng)的讀者而言，這一消息清晰體現(xiàn)出碳化硅的應(yīng)用正加速突破牽引逆變器領(lǐng)域，延伸至汽車核心的功率轉(zhuǎn)換模塊；同時(shí)也凸顯出車企正愈發(fā)廣泛地采用寬禁帶半導(dǎo)體器件，以實(shí)現(xiàn)電動汽車快充提速、續(xù)航提升等可量化的性能優(yōu)化。碳化硅深度融入豐田電動汽車功率電子系統(tǒng)據(jù)官方消息，豐田此次為 bZ4X 的車載充電器和直流 - 直
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英飛凌推出帶光耦仿真輸入的隔離式柵極驅(qū)動IC，加速SiC方案設(shè)計(jì)
- 英飛凌（Infineon）近日推出了其首款采用光耦仿真（opto-emulator），旨在簡化從傳統(tǒng)基于光耦的控制方案向新一代碳化硅（SiC）功率級的遷移。據(jù)官方新聞稿介紹，新型 EiceDRIVER? 1ED301xMC12I 系列器件在引腳上與現(xiàn)有的光耦仿真器和光耦合器兼容。對于《eeNews Europe》的讀者——尤其是從事工業(yè)與能源系統(tǒng)設(shè)計(jì)的工程師而言，這一產(chǎn)品意義重大：它提供了一條無需徹底重新設(shè)計(jì)控制板即可快速升級至更高效率SiC方案的路徑。同時(shí)，這也凸顯了當(dāng)前柵極驅(qū)動器性能正不斷演
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碳化硅何以英飛凌？—— SiC MOSFET性能評價(jià)的真相
- 在碳化硅（SiC）技術(shù)的應(yīng)用中，許多工程師對SiC的性能評價(jià)存在誤解，尤其是關(guān)于“單位面積導(dǎo)通電阻（Rsp）”和“高溫漂移”的問題。作為“碳化硅何以英飛凌”的系列文章，本文將繼續(xù)為您揭開這些誤區(qū)的真相（誤區(qū)一見：碳化硅何以英飛凌？—— 溝槽柵技術(shù)可靠性真相），并介紹英飛凌如何通過技術(shù)創(chuàng)新應(yīng)對這些挑戰(zhàn)。常見誤區(qū)2：“SiC的性能主要看單位面積導(dǎo)通電阻Rsp，電阻越小，產(chǎn)品越好。與平面柵相比，溝槽柵SiC的電阻在高溫下漂移更大，這是否會影響可靠性”01多元化的性能評價(jià)更全面Rsp并非唯一評價(jià)標(biāo)準(zhǔn)雖然Rsp越小
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SiC為電動汽車的高壓逆變器功率模塊
- 汽車零部件供應(yīng)商舍弗勒已啟動新款高壓逆變器功率模塊的量產(chǎn)工作。該模塊采用羅姆的碳化硅功率場效應(yīng)晶體管裸片，是雙方戰(zhàn)略合作的重要成果。這款逆變器組件也被稱為功率模塊（brick），是電動汽車牽引逆變器的核心功率單元，其功能是通過邏輯信號控制驅(qū)動電機(jī)，并生成驅(qū)動電機(jī)運(yùn)轉(zhuǎn)所需的高頻電流。牽引逆變器作為電動汽車高壓電池與驅(qū)動電機(jī)之間的橋梁，核心作用是將電池輸出的直流電轉(zhuǎn)換為交流電，進(jìn)而精準(zhǔn)調(diào)控電機(jī)的轉(zhuǎn)速、扭矩等關(guān)鍵運(yùn)行參數(shù)。目前，市面上的電動汽車大多搭載 400V 電壓平臺的電池包。為實(shí)現(xiàn)更快的充電速度與更高的系
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功率電路進(jìn)階教程：固態(tài)斷路器采用SiC JFET的四個(gè)理由
- 本教程聚焦SiC JFET 在固態(tài)斷路器中的應(yīng)用，核心內(nèi)容包括三大板塊，闡釋 SiC JFET 的關(guān)鍵特性、系統(tǒng)說明 SiC JFET 如何推動電路保護(hù)系統(tǒng)取得重大進(jìn)步、通過評估和測試結(jié)果展示產(chǎn)品性能。我們已介紹過浪涌電流、應(yīng)對不斷攀升的電力需求、為什么要使用固態(tài)斷路器。本文為系列教程的第二部分，將介紹SSCB 采用 SiC JFET 的四個(gè)理由。斷路器制造商首要關(guān)注的是發(fā)熱問題。 所有半導(dǎo)體在電流流過其中時(shí)都會產(chǎn)生熱量。 這種熱量可以用導(dǎo)通電阻來衡量， 其表示符號為 RDS(on) 。當(dāng)然，
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聚焦固態(tài)斷路器核心：安森美SiC JFET特性深度解讀
- 輸配電系統(tǒng)與各類靈敏用電設(shè)備的安全運(yùn)行，離不開對長時(shí)間過載與瞬態(tài)短路故障的妥善防護(hù)。這些風(fēng)險(xiǎn)若未及時(shí)管控，輕則導(dǎo)致設(shè)備損壞，重則引發(fā)系統(tǒng)癱瘓。隨著電力系統(tǒng)電壓等級持續(xù)提升、電動汽車高壓化趨勢加劇，電路中可能出現(xiàn)的最大故障電流已達(dá)到前所未有的水平，對保護(hù)裝置的響應(yīng)速度與耐受能力提出了更嚴(yán)苛的要求，超快速交流/直流斷路器由此成為關(guān)鍵需求。在過去很長一段時(shí)間里，機(jī)械斷路器（EMB）始終是這類保護(hù)場景的主流選擇。但隨著用電場景對可靠性、響應(yīng)速度的要求不斷升級，傳統(tǒng)機(jī)械斷路器的局限性逐漸凸顯，而固態(tài)斷路器（SSCB
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散熱難題終結(jié)者！細(xì)數(shù)碳化硅T2PAK封裝的優(yōu)勢
- 電動汽車 (EV)、可再生能源系統(tǒng)和人工智能 (AI) 數(shù)據(jù)中心等領(lǐng)域電氣化進(jìn)程的持續(xù)提速，正不斷給電源系統(tǒng)帶來更大壓力，對電源系統(tǒng)的效率、小型化及低溫運(yùn)行能力提出了更高要求。這構(gòu)成了一個(gè)長期存在的難題：功率密度的提升與系統(tǒng)尺寸的縮減往往會造成嚴(yán)重的散熱瓶頸。這是當(dāng)下電源系統(tǒng)設(shè)計(jì)人員面臨的核心挑戰(zhàn)，高效的散熱管理已成為一大設(shè)計(jì)難關(guān)。全球市場正加速碳化硅 (SiC) 技術(shù)的應(yīng)用落地，但散熱設(shè)計(jì)卻時(shí)常成為掣肘 SiC 性能發(fā)揮的因素。傳統(tǒng)封裝方案往往力不從心，難以滿足大功率碳化硅
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Melexis硅基RC緩沖器獲利普思選用，攜手開啟汽車與工業(yè)能源管理技術(shù)新征程
- 全球微電子工程公司Melexis近日宣布，其創(chuàng)新的MLX91299硅基RC緩沖器已被全球先進(jìn)的功率半導(dǎo)體模塊制造商利普思（Leapers）選用，將其集成于新一代功率模塊中。此次合作標(biāo)志著雙方在技術(shù)創(chuàng)新與系統(tǒng)優(yōu)化上的深度融合，共同致力于推動汽車與工業(yè)能源管理領(lǐng)域的發(fā)展。利普思的功率模塊憑借卓越的性能和可靠性，廣泛應(yīng)用于電動汽車、充電基礎(chǔ)設(shè)施、可再生能源系統(tǒng)及工業(yè)功率轉(zhuǎn)換等高要求場景。隨著市場對高效率、功率密度及可靠性需求的不斷提升，利普思正積極探索能在更高開關(guān)頻率與電壓下穩(wěn)定運(yùn)行的碳化硅（SiC）功率器件。
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安森美全鏈路碳化硅解決方案，賦能AI時(shí)代高效能源變革
- 安森美（onsemi）憑借其業(yè)界領(lǐng)先的Si和SiC技術(shù)，從變電站的高壓交流/直流轉(zhuǎn)換，到處理器級的精準(zhǔn)電壓調(diào)節(jié)，為下一代AI數(shù)據(jù)中心提供了從3kW到25-30kW HVDC的供電全環(huán)節(jié)高能效、高密度電源解決方案。特別是近期，安森美攜手英偉達(dá)，共推下一代AI數(shù)據(jù)中心加速向800V直流供電方案轉(zhuǎn)型，這種技術(shù)能力的廣度和深度使安森美成為少數(shù)能以可擴(kuò)展、可實(shí)際落地的設(shè)計(jì)滿足現(xiàn)代AI基礎(chǔ)設(shè)施嚴(yán)苛供電需求的公司之一。在2025 PCIM Asia 展會期間，安森美 SiC JFET產(chǎn)品市場經(jīng)理Brandon Beck
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年終盤點(diǎn)：英飛凌2025年碳化硅領(lǐng)域重磅產(chǎn)品與技術(shù)驚艷亮相
- 歲末將至，回顧2025年科技領(lǐng)域，英飛凌在碳化硅（SiC）賽道成績斐然，憑借一系列創(chuàng)新產(chǎn)品與前沿技術(shù)，為行業(yè)發(fā)展注入強(qiáng)勁動力，成為行業(yè)矚目的焦點(diǎn)。小編貼心地按照產(chǎn)品發(fā)布和技術(shù)發(fā)布這兩大板塊，給大家挑選部分亮點(diǎn)產(chǎn)品，方便各位看官全方位了解，咱們這就開整！01產(chǎn)品發(fā)布：多元布局，精準(zhǔn)覆蓋多領(lǐng)域需求1CoolSiC? MOSFET G2 1200V和1400V單管：多種封裝組合全面升級，滿足多樣化應(yīng)用場景11.8CoolSiC? MOSFET G2 1200V單管CoolSiC? MOSFET G2 1400V
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SiC市場發(fā)展周期修正
- Power SiC市場持續(xù)轉(zhuǎn)型。繼2019年至2024年間前所未有的投資浪潮后，Yole Group表示，行業(yè)現(xiàn)正進(jìn)入調(diào)整周期。汽車市場放緩導(dǎo)致硅碳需求下降，硅碳供應(yīng)鏈發(fā)生了轉(zhuǎn)變。 利用率下降、產(chǎn)能過剩和投資減少的循環(huán)引發(fā)了行業(yè)參與者的擔(dān)憂。盡管放緩，SiC仍是電氣化路線圖的核心，預(yù)計(jì)到2030年設(shè)備收入將接近100億美元。行業(yè)首個(gè)重大投資周期由2019-2024年資本支出熱潮推動，造成了顯著的上游產(chǎn)能過剩。設(shè)備資本支出在2023年達(dá)到約30億美元的峰值，導(dǎo)致上游硅碳價(jià)值鏈出現(xiàn)顯著產(chǎn)能過剩。20
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英飛凌高功率碳化硅技術(shù)升級優(yōu)化 助力Electreon動態(tài)無線充電道路系統(tǒng)升級
- ●? ?動態(tài)無線充電道路系統(tǒng)可在客車與卡車行駛于道路及高速公路上時(shí)為其充電●? ?英飛凌定制碳化硅模塊可大幅提高功率密度，使電動汽車搭載更小的電池，實(shí)現(xiàn)24小時(shí)全天候運(yùn)行●? ?動態(tài)無線充電道路系統(tǒng)解決方案是減少交通運(yùn)輸領(lǐng)域碳排放的一項(xiàng)關(guān)鍵創(chuàng)新Electreon?的動態(tài)無線充電系統(tǒng)采用英飛凌的碳化硅模塊，大幅提升了其性能、可靠性與能效英飛凌科技股份公司將為領(lǐng)先的電動汽車（EV）無線充電解決方案提供商 Electreon提供定制碳化硅（S
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全硅RC緩沖器，用于碳化硅MOSFET
- Melexis正在制造全硅RC緩沖器，用于集成在碳化硅動力模塊中。目前正在向潛在客戶采樣，所有零件將是新零件編號“MLX91299”的變體，并以裸芯片形式交付，準(zhǔn)備與電源模塊內(nèi)的MOSFET和二極管芯片進(jìn)行頂部線連接。反金屬化兼容燒結(jié)和焊接。該硅吸收器設(shè)計(jì)用于直流鏈路，最高可達(dá)1000伏直流，峰值可達(dá)1200伏，擊穿額定值將超過1500伏。據(jù)公司介紹，它們“在電壓超過150伏時(shí)保持恒定電容，并在10nA附近表現(xiàn)出泄漏電流”。“有多種R和C組合，比如4.3nF在1.45Ω或1.1nF在5.23Ω。”具體生產(chǎn)
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硅質(zhì)原材料價(jià)格上漲，而6英寸基材則引發(fā)價(jià)格戰(zhàn)
- 截至2025年11月，碳化硅（SiC）市場正處于價(jià)值重新評估和結(jié)構(gòu)分歧的關(guān)鍵階段。在價(jià)格方面，低端散裝硅碳材料因成本失控而價(jià)格上漲，而主流6英寸硅碳基材在供應(yīng)過剩下持續(xù)暴跌。然而，在應(yīng)用方面，SiC卓越的導(dǎo)熱率使其成為英偉達(dá)Rubin平臺和臺積電先進(jìn)封裝中AI芯片散熱的戰(zhàn)略材料，預(yù)示著由高性能計(jì)算應(yīng)用驅(qū)動的高價(jià)值增長第二波浪潮。硅基價(jià)格趨勢：原材料上漲壓力，高端基材價(jià)格大幅降幅SiC市場在定價(jià)動態(tài)上展現(xiàn)出明顯的差異。一方面，散裝SiC材料的價(jià)格——如黑色和綠色SiC粉末及顆粒——一直在上漲。根據(jù)包括CIP
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