2025年以來，碳化硅產業(yè)迎來關鍵發(fā)展節(jié)點，正式步入8英寸產能轉換的重要階段。在這一背景下，繼中國電科30臺套SiC外延設備順利發(fā)貨之后，碳化硅設備領域又傳動態(tài)：中導光電拿下SiC頭部客戶重復訂單。 近日，中導光電的納米級晶圓缺陷檢測設備NanoPro-150獲得國內又一SiC頭部客戶的重復訂單，該設備用于SiC前道工藝過程缺陷檢測。此外，1月初，該設備產品還成功贏得了國內半導體行業(yè)頭部企業(yè)的重復訂單。 中導光電表示，公司將在SiC晶圓納米級缺陷檢測領域投入更多的研發(fā)資源，通過高精度多
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碳化硅 半導體設備
得益于固態(tài)電路保護，直流母線電壓為400V或以上的電氣系統（由單相或三相電網電源或儲能系統（ESS）供電）可提升自身的可靠性和彈性。在設計高電壓固態(tài)電池斷開開關時，需要考慮幾項基本的設計決策。其中關鍵因素包括半導體技術、器件類型、熱封裝、器件耐用性以及電路中斷期間的感應能量管理。在本文中，我們將討論在選擇功率半導體技術和定義高電壓、高電流電池斷開開關的半導體封裝時的一些設計注意事項，以及表征系統的寄生電感和過流保護限值的重要性。寬帶隙半導體技術的優(yōu)勢在選擇最佳半導體材料時，應考慮多項特性。目標是打造兼具最
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SiC 高電壓電池 斷開開關
英飛凌1992年開始碳化硅技術研發(fā)，是第一批研發(fā)碳化硅的半導體公司之一。2001年推出世界上第一個商用碳化硅二極管，此后生產線不斷升級，2018年收購德國Siltectra公司，2019年推出碳化硅CoolSiCTM MOSFET技術，2024年推出了集成.XT技術的XHPTM 2 CoolSiCTM半橋模塊。英飛凌持續(xù)32年深耕碳化硅功率器件，不斷突破不斷創(chuàng)新，持續(xù)引領碳化硅技術發(fā)展。近日，英飛凌在北京舉辦碳化硅媒體發(fā)布會，深入介紹了其在碳化硅功率器件產品及技術方面的進展及其在工業(yè)與基礎設施領域的應用和
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英飛凌 碳化硅 能源 工業(yè)設備
2024年，全球極端天氣頻發(fā)，成為有氣象記錄以來最熱的一年，颶風、干旱等災害比往年更加嚴重。在此背景下，推動社會的綠色低碳轉型，提升發(fā)展的“綠色含量”已成為廣泛共識。在經濟社會踏“綠”前行的過程中，第三代半導體尤其是碳化硅作為關鍵支撐，如何破局飛速發(fā)展的市場與價格戰(zhàn)的矛盾，除了當下熱門的新能源汽車應用，如何在工業(yè)儲能等其他應用市場多點開花？在日前舉辦的年度碳化硅媒體發(fā)布會上，英飛凌科技工業(yè)與基礎設施業(yè)務大中華區(qū)高管團隊從業(yè)務策略、商業(yè)模式到產品優(yōu)勢等多個維度，全面展示了英飛凌在碳化硅領域30年的深耕積累和
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碳化硅 零碳技術 英飛凌
2024年，全球極端天氣頻發(fā)，成為有氣象記錄以來最熱的一年，颶風、干旱等災害比往年更加嚴重。在此背景下，推動社會的綠色低碳轉型，提升發(fā)展的“綠色含量”已成為廣泛共識。在經濟社會踏“綠”前行的過程中，第三代半導體尤其是碳化硅作為關鍵支撐，如何破局飛速發(fā)展的市場與價格戰(zhàn)的矛盾，除了當下熱門的新能源汽車應用，如何在工業(yè)儲能等其他應用市場多點開花？在日前舉辦的年度碳化硅媒體發(fā)布會上，英飛凌科技工業(yè)與基礎設施業(yè)務大中華區(qū)高管團隊從業(yè)務策略、商業(yè)模式到產品優(yōu)勢等多個維度，全面展示了英飛凌在碳化硅領域30年的深耕積累和
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英飛凌 碳化硅
12月18日消息，格力電器董事長董明珠日前在《珍知酌見》欄目中表示，格力芯片成功了。據董明珠介紹，格力在芯片領域從自主研發(fā)、自主設計、自主制造到整個全產業(yè)鏈已經完成。據報道，格力芯片工廠是一座投資近百億元建設的碳化硅芯片工廠。該項目于2022年12月開始打樁建設，2023年4月開始鋼結構吊裝，當年10月設備移入，12個月實現通線。項目規(guī)劃占地面積600畝，包含芯片工廠、封測工廠以及配套的半導體檢測中心和超級能源站。值得一提的是，該項目關鍵核心工藝國產化設備導入率超過70%，據稱是全球第二組、亞洲第一座全自
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格力 碳化硅 芯片工廠
/ 編輯推薦 /氮化鎵晶體管和碳化硅MOSFET是近年來新興的功率半導體，相比于傳統的硅材料功率半導體，他們都具有許多非常優(yōu)異的特性：耐壓高，導通電阻小，寄生參數小等。他們也有各自與眾不同的特性：氮化鎵晶體管的極小寄生參數，極快開關速度使其特別適合高頻應用。碳化硅MOSFET的易驅動，高可靠等特性使其適合于高性能開關電源中。本文基于英飛凌科技有限公司的氮化鎵晶體管和碳化硅MOSFET產品，對他們的結構、特性、兩者的應用差異等方面進行了詳細的介紹。引 言作為第三代功率半導體的絕代雙驕，氮化鎵晶體
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英飛凌 GaN SiC 電氣工程師
據媒體報道，美國商務部13日宣布，已與德國汽車零部件供應商博世達成初步協議，向其提供至多2.25億美元補貼，用于在加州生產碳化硅（SiC）功率半導體。據悉，這筆資金將支持博世計劃的19億美元投資，改造其位于加州羅斯維爾的工廠，以生產碳化硅功率半導體。此外，美國商務部還將為博世提供約3.5億美元政府貸款。博世計劃于 2026 年開始生產 SiC 芯片，據估計，該項目一旦全面投入運營，可能占美國SiC制造產能的40%以上。
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博世 碳化硅 功率器件
●? ?意法半導體與雷諾集團簽署長期供貨協議，保證安培碳化硅功率模塊的供應安全●? ?合作開發(fā)逆變器電源控制系統和散熱系統，進一步提高安培新一代電機的能效水平●? ?該協議符合安培與供應鏈上游企業(yè)合作，為其每一項電動汽車技術設計最佳解決方案的策略雷諾集團旗下純智能電動汽車制造公司安培 (Ampere) 與服務多重電子應用領域、全球排名前列的半導體公司意法半導體 (STMicroelectronics，簡稱ST)近日宣布了下一步戰(zhàn)略合作行動，雷諾集
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安森美（onsemi）宣布已與Qorvo達成協議，以1.15億美元現金收購其碳化硅結型場效應晶體管(SiC JFET) 技術業(yè)務及其子公司United Silicon Carbide。該收購將補足安森美廣泛的EliteSiC電源產品組合，使其能應對人工智能（AI）數據中心電源AC-DC段對高能效和高功率密度的需求，還將加速安森美在電動汽車斷路器和固態(tài)斷路器(SSCB) 等新興市場的部署。SiC JFET的單位面積導通電阻超低，低于任何其他技術的一半。它們還支持使用硅基晶體管幾十年來常用的現成驅動器。綜合這
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安森美 碳化硅JFET SiC JFET 數據中心電源
據安森美官微消息，近日，安森美（onsemi）宣布已與Qorvo達成協議，以1.15億美元現金收購其碳化硅結型場效應晶體管(SiC JFET) 技術業(yè)務及其子公司 United Silicon Carbide。該交易需滿足慣例成交條件，預計將于2025年第一季度完成。據悉，該收購將補足安森美廣泛的EliteSiC電源產品組合，使其能應對人工智能（AI）數據中心電源AC-DC段對高能效和高功率密度的需求，還將加速安森美在電動汽車斷路器和固態(tài)斷路器(SSCB)等新興市場的部署。安森美電源方案事業(yè)群總裁兼總經理
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安森美 收購 Qorvo SiC JFET
從MOSFET 、二極管到功率模塊，功率半導體產品是我們生活中無數電子設備的核心。從醫(yī)療設備和可再生能源基礎設施，到個人電子產品和電動汽車(EV)，它們的性能和可靠性確保了各種設備的持續(xù)運行。第三代寬禁帶（WBG）解決方案是半導體技術的前沿，如使用碳化硅（SiC）。與傳統的硅（Si）晶體管相比，SiC的優(yōu)異物理特性使基于SiC的系統能夠在更小的外形尺寸內顯著減少損耗并加快開關速度。由于SiC在市場上相對較新，一些工程師在尚未確定該技術可靠性水平之前，對從Si到SiC的轉換猶豫不決。但是，等待本身也會帶來風
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WBG SiC 半導體
隨著清潔能源的快速增長，作為光伏系統心臟的太陽能逆變器儼然已經成為能源革命浪潮中的超級賽道。高效的光伏系統，離不開功率器件。全IGBT方案、混合SiC方案和全SiC方案以其在成本、性能、空間、可靠性等方面不同的優(yōu)勢，均在市場上有廣泛應用。但隨著SiC成本下降，全SiC方案被越來越多的廠家采用。未來10年，光伏逆變器市場狂飆目前，風能和太陽能的總發(fā)電量已經超過了水力發(fā)電。預計到2028年，清潔能源的比重將達到42%。中國市場增長勢頭強勁，已成為全球清潔能源增長的主要驅動力。光伏逆變器承載著將太陽能光伏組件產
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功率模塊 SiC 逆變器
據采埃孚官微消息，采埃孚又一電驅動工廠—采埃孚電驅動系統（沈陽）有限公司近日開業(yè)。作為采埃孚在華的第3家電驅動工廠，沈陽工廠將生產和銷售新能源汽車電驅動橋三合一總成等產品。據介紹，沈陽電驅動工廠的主打產品為新能源汽車的電驅動系統，涵蓋前橋及后橋總成，包含電機、控制器及減速器。其中，控制器搭載了采埃孚High 2.0 SiC技術，圍繞800伏平臺持續(xù)升級，既可以提升安全等級又可以優(yōu)化成本。截至目前，采埃孚在中國共有3家電驅動工廠。2022年9月，采埃孚電驅動技術（杭州）有限公司二期項目投產，主要生產800伏
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柵極氧化層可靠性是SiC器件應用的一個關注點。本節(jié)介紹SiC柵極絕緣層加工工藝，重點介紹其與Si的不同之處。SiC可以通過與Si類似的熱氧化過程，在晶圓表面形成優(yōu)質的SiO2絕緣膜。這在制造SiC器件方面具有非常大的優(yōu)勢。在平面柵SiC MOSFET中，這種熱氧化形成的SiO2通常被用作柵極絕緣膜，并已實現產品化。然而，SiC的熱氧化與Si的熱氧化存在一些差異，在將熱氧化工藝應用于SiC器件時必須考慮到這一點。首先，與Si相比，SiC的熱氧化速率低。因此，該過程需要很長時間，而且還需要高溫。在SiC的熱氧
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碳化硅（sic）介紹
您好，目前還沒有人創(chuàng)建詞條碳化硅（sic）!
歡迎您創(chuàng)建該詞條，闡述對碳化硅（sic）的理解，并與今后在此搜索碳化硅（sic）的朋友們分享。
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