東芝電子元件及存儲裝置株式會社（“東芝”）近日宣布，最新推出一款可用于驅動碳化硅（SiC）MOSFET的柵極驅動光電耦合器——“TLP5814H”。該器件具備＋6.8 A／–4.8 A的輸出電流，采用小型SO8L封裝并提供有源米勒鉗位功能。今日開始支持批量供貨。在逆變器等串聯使用MOSFET或IGBT的電路中，當下橋臂[2]關閉時，米勒電流[1]可能會產生柵極電壓，進而導致上橋臂和下橋臂[3]出現短路等故障。常見的保護措施有，在柵極關閉時，對柵極施加負電壓。對于部分SiC MOSFET而言，具有比硅（Si
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東芝 SiC MOSFET 柵極驅動 光電耦合器
隨著Al工作負載日趨復雜和高耗能，能提供高能效并能夠處理高壓的可靠SiC JFET將越來越重要。在第一篇文章(SiC JFET并聯難題大揭秘，這些挑戰讓工程師 “頭禿”！http://cqxgywz.com/article/202503/467642.htm)和第二篇文章(SiC JFET并聯的五大難題，破解方法終于來了！http://cqxgywz.com/article/202503/467644.htm)中我們重點介紹了SiC JFET并聯設計的挑戰，本文將介紹演示和測試結果。演
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SiC JFET 并聯設計
服務多重電子應用領域、全球排名前列的半導體公司意法半導體 (STMicroelectronics，簡稱ST) ，和中國化合物半導體龍頭企業（涵蓋LED、碳化硅、光通信、RF、濾波器和氮化鎵等產品）三安光電近日宣布，雙方在重慶設立的8英寸碳化硅晶圓合資制造廠（即“安意法半導體有限公司”，以下簡稱安意法）現已正式通線。這一里程碑標志著意法半導體和三安正朝著于2025年年底前實現在中國本地生產8英寸碳化硅這一目標穩步邁進，屆時將更好地滿足中國新能源汽車、工業電源及能源等市場對碳化硅日益增長的需求。三安光電和意法
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安意法 意法半導體 碳化硅 碳化硅晶圓
在這里，我們比較了碳化硅 （SiC） 與硅以及在汽車和可再生能源等行業的電力電子中的應用。我們將探討硅和碳化硅之間的顯著差異，并了解 SiC 為何以及如何塑造電力電子的未來。硅 （Si） 到碳化硅 （SiC）：改變電力電子的未來電力電子技術在過去幾年中取得了前所未有的進步。硅 （Si） 等傳統半導體材料一直主導著電力電子和可再生能源行業。然而，碳化硅 （SiC） 的出現徹底改變了這一領域，為卓越的性能和效率鋪平了道路。無與倫比的效率、熱性能和高壓能力使碳化硅成為用于電子和半導體器件的下一代半導體材料。硅與
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碳化硅 SiC 電力電子
1 我國能源汽車已突破1000萬輛，今年將增長24%據賽迪顧問 2024 年 12 月發布的數據預測顯示，我國新能源汽車的新車全球市占率有望穩居七成以上，我國從汽車大國邁向汽車強國的步伐更加堅實。據中國汽車工業協會的統計數據顯示，2024年我國汽車產銷分別完成3128.2萬輛和3143.6萬輛，同比分別增長3.7％和4.5％，繼續保持在3000萬輛以上規模，產銷總量連續16年穩居全球第一。其中，新能源汽車產銷首次突破1000萬輛，分別達到1288.8萬輛和1286.6萬輛，同比分別增長34.4％和35.5
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電驅 碳化硅 SiC 新能源汽車 800V
自央視頻官方獲悉，格力電器董事長董明珠在紀錄片中，再次回應外界對格力造芯片質疑，并談到了格力建設的芯片工廠，直言“是大家把芯片看得太神秘”。董明珠表示，造芯片不是格力電器孤勇地冒險，是作為中國制造企業的責任與擔當。格力做了亞洲第一座全自動化的碳化硅工廠，整個芯片的制造過程是自己完成的。而在芯片工廠制造的過程中，格力解決了一個最大的問題。“傳統的芯片工廠用的環境設備都是進口的，比如恒溫狀態，而這正好是格力強項。所以我們自主制造了整套系統的環境設備，要比傳統的降溫模式更節能，而這可以降低企業的成本。”董明珠也
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格力電器 SiC 芯片工廠
電力電子器件高度依賴于硅（Si）、碳化硅（SiC）和氮化鎵高電子遷移率晶體管（GaN HEMT）等半導體材料。雖然硅一直是傳統的選擇，但碳化硅器件憑借其優異的性能與可靠性而越來越受歡迎。相較于硅，碳化硅具備多項技術優勢（圖1），這使其在電動汽車、數據中心，以及直流快充、儲能系統和光伏逆變器等能源基礎設施領域嶄露頭角，成為眾多應用中的新興首選技術。圖1：硅器件（Si）與碳化硅（SiC）器件的比較什么是碳化硅Cascode JFET技術？眾多終端產品制造商已選擇碳化硅技術替代傳統硅技術，基于雙極結型晶體管（B
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SiC Cascode JFET AC-DC
簡介本白皮書重點介紹 Wolfspeed 專為高功率電子應用而設計的第 4 代碳化硅 (SiC) MOSFET 技術?；谠谔蓟鑴撔骂I域的傳承，Wolfspeed 定期推出尖端技術解決方案，重新定義行業基準。在第 4 代發布之前，第 3 代碳化硅 MOSFET 憑借多項重要設計要素的平衡，已在廣泛用例中得到驗證，為硬開關應用的全面性能設定了基準。市場上的某些廠商只關注特定品質因數?(FOM)，如導通損耗、室溫下的 RDS(on) 或 RDS(on) × Qg，而 Wolfspeed 則采用了一
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Wolfspeed 碳化硅 高功率應用
●? ?英飛凌開始向客戶提供首批采用先進的200 mm碳化硅（SiC）晶圓制造技術的SiC產品●? ?這些產品在奧地利菲拉赫生產，為高壓應用領域提供一流的SiC功率技術●? ?200 mm SiC的生產將鞏固英飛凌在所有功率半導體材料領域的技術領先優勢英飛凌200mm SiC晶圓英飛凌科技股份公司在200 mm SiC產品路線圖上取得重大進展。公司將于2025年第一季度向客戶提供首批基于先進的200 mm SiC技術的產品。這些產品在位于奧地利菲
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英飛凌 碳化硅 SiC 200mm碳化硅
SiC 器件性能表現突出，能實現高功率密度設計，有效應對關鍵環境和能源成本挑戰，也因此越來越受到電力電子領域的青睞。與硅 (Si) MOSFET 和 IGBT 相比，SiC 器件的運行頻率更高，有助于實現高功率密度設計、減少散熱、提高能效，并減輕電源轉換器的重量。其獨特的材料特性可以減少開關和導通損耗。與 Si MOSFET 相比，SiC 器件的電介質擊穿強度更高、能量帶隙更寬且熱導率更優，有利于開發更緊湊、更高效的電源轉換器。安森美 (onsemi)的 1200V?分立器件和模塊中的 M3S
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SiC 電源轉換
據深圳平湖實驗室官微消息，為降低材料損耗，深圳平湖實驗室新技術研究部開發激光剝離工藝來替代傳統的多線切割工藝，其工藝過程示意圖如下所示：激光剝離工藝與多線切割工對照：有益效果：使用激光剝離工藝，得到6/8 inch SiC襯底500μm和350μm產品單片材料損耗≤120 μm，出片率提升40%，單片成本降低約22%。激光剝離技術在提高生產效率、降低成本方面具有顯著效果，該工藝的推廣，對于快速促進8 inch SiC襯底產業化進程有著重要意義。不僅為SiC襯底產業帶來了輕資產、高效益的新模式，也為其他硬質
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激光剝離 碳化硅
簡介本白皮書重點介紹 Wolfspeed 專為高功率電子應用而設計的第 4 代碳化硅 (SiC) MOSFET 技術?；谠谔蓟鑴撔骂I域的傳承，Wolfspeed 定期推出尖端技術解決方案，重新定義行業基準。在第 4 代發布之前，第 3 代碳化硅 MOSFET 憑借多項重要設計要素的平衡，已在廣泛用例中得到驗證，為硬開關應用的全面性能設定了基準。市場上的某些廠商只關注特定品質因數 (FOM)，如導通損耗、室溫下的 RDS(on) 或 RDS(on) × Qg，而 Wolfspeed 則采用了一種更為廣泛
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第4代碳化硅 碳化硅 Wolfspeed
英飛凌在200mm SiC產品路線圖上取得重大進展。公司將于2025年第一季度向客戶提供首批基于先進的200mm SiC技術的產品。這些產品在位于奧地利菲拉赫的生產基地制造，將為高壓應用領域提供先進的SiC功率技術，包括可再生能源系統、鐵路運輸和電動汽車等。此外，英飛凌位于馬來西亞居林的生產基地正在從150mm晶圓向直徑更大、更高效的200mm晶圓過渡。新建的第三廠區將根據市場需求開始大批量生產。英飛凌200mm SiC晶圓Rutger Wijburg博士—英飛凌科技首席運營官我們正在按計劃實施SiC產品
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英飛凌 200mm SiC
碳化硅（SiC）作為一種高性能材料，在大功率器件、高溫器件和發光二極管等領域有著廣泛的應用。其中，基于等離子體的干法蝕刻在SiC的圖案化及電子器件制造中起到了關鍵作用，現分述如下:干法蝕刻概述碳化硅反應離子蝕刻碳化硅反應離子蝕刻案例ICP的應用與優化1、干法蝕刻概述干法蝕刻的重要性精確控制線寬：當器件尺寸進入亞微米級（<1μm）時，等離子體蝕刻因其相對各向異性的特性，能夠精確地控制線寬，成為SiC蝕刻的首選方法?；瘜W穩定性挑戰：SiC的化學穩定性極高（Si-C鍵合強度大），使得濕法蝕刻變得困難。濕法
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碳化硅 蝕刻工藝 干法蝕刻
DC總線電壓為400 V或更大的電氣系統，由單相或三相電網功率或儲能系統（ESS）提供動力，可以通過固態電路保護提高其可靠性和彈性。在設計高壓固態電池斷開連接開關時，需要考慮一些基本的設計決策。關鍵因素包括半導體技術，設備類型，熱包裝，設備堅固性以及在電路中斷期間管理電感能量。本文討論了選擇功率半導體技術的設計注意事項，并為高壓，高電流電池斷開開關定義了半導體包裝，以及表征系統寄生電感和過度流動保護限制的重要性。 寬帶半導體技術的優勢需要仔細考慮以選擇的半導體材料以實現具有的狀態阻力，的離狀態泄漏電流，
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SIC 電池斷開開關
碳化硅（sic）介紹
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