- 做了一個3KW碳化硅電源！(全稱：碳化硅3KW圖騰柱PFC)它能起到什么作用？具體參數是（第1章）？怎么設計出來的（第2章）？實測情況（第3章）？原理是（第4章）？開源網址入口（第5章）？下文一一為你解答！1.基礎參數雙主控設計：CW32+IVCC1102輸入：AC 110V~270V 20Amax輸出：DC 350V-430V 20Amax功率：3000W設計功率：3500W效率：98.5%能用在哪些地方？① 可以作為3KW LLC電源或者全橋可調電源的前級PFC環節；②
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碳化硅 3KW 電源 電路設計
- 離子注入是SiC器件制造的重要工藝之一。通過離子注入，可以實現對n型區域和p型區域導電性控制。本文簡要介紹離子注入工藝及其注意事項。SiC的雜質原子擴散系數非常小，因此無法利用熱擴散工藝制造施主和受主等摻雜原子的器件結構（形成pn結）。因此，SiC器件的制造采用了基于離子注入工藝的摻雜技術：在SiC中進行離子注入時，對于n型區域通常使用氮（N）或磷（P），這是容易低電阻化的施主元素，而對于p型區域則通常使用鋁（Al）作為受主元素。另外，用于Al離子注入的原料通常是固體，要穩定地進行高濃度的Al離子注入，需
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三菱電機 SiC
- 為適應公司戰略發展需要，經深圳市市場監督管理局核準，深圳基本半導體有限公司于2024年11月15日成功完成股份改制及工商變更登記手續，公司名稱正式變更為“深圳基本半導體股份有限公司”。此次股份改制是基本半導體發展的重要里程碑，標志著公司治理結構、經營機制和組織形式得到全方位重塑，將邁入全新的發展階段。從即日起，公司所有業務經營活動將統一采用新名稱“深圳基本半導體股份有限公司”。公司注冊地址變更至青銅劍科技集團總部大樓，詳細地址為：深圳市坪山區龍田街道老坑社區光科一路6號青銅劍科技大廈1棟801。股改完成后
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基本半導體 銅燒結 碳化硅 功率芯片
- SiC 功率器件市場規模逐年擴大，并將保持高速增長。
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SiC 功率器件
- 意法半導體的STGAP3S系列碳化硅 (SiC) 和 IGBT功率開關柵極驅動器集成了意法半導體最新的穩健的電隔離技術、優化的去飽和保護功能和靈活的米勒鉗位架構。STGAP3S 在柵極驅動通道與低壓控制和接口電路之間采用增強型電容隔離，瞬態隔離電壓 (VIOTM)耐壓9.6kV，共模瞬態抗擾度 (CMTI)達到 200V/ns。通過采用這種的先進的電隔離技術，STGAP3S提高了空調、工廠自動化、家電等工業電機驅動裝置的可靠性。新驅動器還適合電源和能源應用，包括充電站、儲能系統、功率因數校正 (PFC)、
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意法半導體 電隔離柵極驅動器 IGBT SiC MOSFET
- 東芝電子元件及存儲裝置株式會社（“東芝”）近日宣布，最新開發出一款用于車載牽引逆變器[1]的裸片[2]1200 V碳化硅（SiC）MOSFET“X5M007E120”，其創新的結構可實現低導通電阻和高可靠性。X5M007E120現已開始提供測試樣品，供客戶評估。當典型SiC MOSFET的體二極管在反向傳導操作[3]期間雙極通電時，其可靠性會因導通電阻增加而降低。東芝SiC MOSFET通過在MOSFET中嵌入SBD（肖特基勢壘二極管）以弱化體二極管工作的器件結構來緩解上述問題，但如若將SBD布置在芯片上
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東芝 低導通電阻 牽引逆變器 SiC MOSFET 驅動逆變器
- Littelfuse公司是一家工業技術制造公司，致力于為可持續發展、互聯互通和更安全的世界提供動力。公司今日宣布推出SMFA非對稱系列表面貼裝瞬態抑制二極管，這是市場上首款非對稱瞬態抑制解決方案，專為保護碳化硅（SiC）MOSFET柵極免受過壓事件影響而設計。與傳統的硅MOSFET和IGBT相比，SiC MOSFET的開關速度更快、效率更高，因此越來越受到歡迎，對穩健柵極保護的需求也越來越大。SMFA非對稱系列提供了一種創新的單元件解決方案，在簡化設計的同時顯著提高了電路的可靠性。SMFA非對稱系列是市場
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SiC MOSFET柵極保護 非對稱瞬態抑制二極管 Littelfuse
- 碳化硅（SiC）6吋基板新產能大量開出，嚴重供過于求，報價幾乎季季跳水，2024年年中每片低于500美元（約中國大陸制造成本價），第四季價格已有喊到450、400美元（9月400～600美元），甚至更低。產業人士指出，價格崩盤已讓絕大多數業者陷入賠錢銷售，而買家不敢輕易出手撿便宜，因為買方預期SiC價格還會再下降。而明日之星的8吋SiC基板，雖未到真正量產，但2024年報價已快速下滑，尤其是中國大陸價格直落，彷佛坐上溜滑梯，下修速度甚快。業者分析，8吋SiC基板并沒有標準價格，供應鏈端仍屬于試產階段，供給
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碳化硅 基板
- 據“融中心”消息，大連市中韓經濟文化交流協會、韓中文化協會及安徽鉅芯半導體科技有限公司（以下簡稱：鉅芯半導體）在安徽省池州市舉行了一場簽約儀式。此次簽約標志著三方在碳化硅領域的合作正式開始。據悉，三方本次合作的核心內容圍繞碳化硅襯底、碳化硅外延片及汽車空調關鍵零部件的生產展開，將共同打造高質量的碳化硅產品生產線。據了解，今年以來，部分韓國半導體廠商正在持續發力碳化硅產業，并不斷取得新進展。據韓媒ETnews報道，今年3月26日，半導體設計公司Power Cube
Semi宣布，已在韓國首次成功開發出2
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碳化硅 鉅芯半導體
- 全球 14 家 8 英寸 SiC 晶圓廠布局。
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SiC
- 國際能源署（IEA）今年發布的報告稱，2023年全球與能源相關的二氧化碳排放量達到374億噸，較2022年增加4.1億噸，再創新的記錄。其中，交通運輸排放增長最為顯著，激增近2.4億噸，位居第一。軌道交通的溫室氣體排放約為航空出行的五分之一，對于由可再生能源發電驅動的電氣化列車，這一比率則更低。因此，擴建軌道交通基礎設施及電氣化改造是減少CO2排放和實現氣候目標的關鍵。與電動汽車不同的是，電力機車已被廣泛使用了一百多年。然而，全球范圍內的軌道交通電氣化轉型仍然方興未艾，不同國家和地區的軌道交通電氣化率存在
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碳化硅 功率模塊 軌道交通
- 壓縮機是汽車空調的一部分，它通過將制冷劑壓縮成高溫高壓的氣體，再流經冷凝器，節流閥和蒸發器換熱，實現車內外的冷熱交換。傳統燃油車以發動機為動力，通過皮帶帶動壓縮機轉動。而新能源汽車脫離了發動機，以電池為動力，通過逆變電路驅動無刷直流電機，從而帶動壓縮機轉動，實現空調的冷熱交換功能。電動壓縮機是電動汽車熱管理的核心部件，除了可以提高車廂內的環境舒適度（制冷，制熱）以外，對電驅動系統的溫度控制發揮著重要作用，對電池的使用壽命、充電速度和續航里程都至關重要。圖1.電動壓縮機是電動汽車熱管理的核心部件電動壓縮機需
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壓縮機 汽車空調 SiC
- 意法半導體（簡稱ST）推出第四代STPOWER碳化硅（SiC）MOSFET技術。第四代技術有望在能效、功率密度和穩健性三個方面成為新的市場標桿。在滿足汽車和工業市場需求的同時，意法半導體還針對電動汽車電驅系統的關鍵部件逆變器特別優化了第四代技術。公司計劃在2027年前推出更多先進的SiC技術創新成果，履行創新承諾。意法半導體模擬、功率與分立器件、MEMS和傳感器產品部（APMS）總裁Marco Cassis表示：“意法半導體承諾為市場提供尖端的碳化硅技術，推動電動汽車和高能效工業的未來發展。我們將繼續在器
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STPOWER SiC MOSFET 驅動逆變器
- 9月24日，Resonac（原昭和電工）在官網宣布，其與Soitec簽署了一項合作協議，雙方將共同開發用于功率半導體的8英寸碳化硅鍵合襯底。在這次共同開發中，Resonac將向Soitec提供碳化硅單晶，Soitec將使用這些單晶制造碳化硅鍵合襯底。鍵合技術加速碳化硅8英寸轉型據悉，Soitec擁有一種獨有的SmartSiC?技術，該技術通過處理高質量的碳化硅單晶襯底，將處理后的表面鍵合到多晶碳化硅晶圓作為支撐襯底，然后將單晶襯底分割成薄膜，從而從一個碳化硅單晶襯底生產出多個高質量的碳化硅晶圓，由此顯著提
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碳化硅（sic）介紹
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