imec 文章 最新資訊
imec展示56Gb波束成形發(fā)射機 實現(xiàn)高功率零中頻的D頻段傳輸
- 于本周舉行的國際電機電子工程師學會（IEEE）射頻集成電路國際會議（RFIC Symposium）上，比利時微電子研究中心（imec）發(fā)表了一款基于CMOS技術(shù)的先進波束成形發(fā)射機，用來滿足D頻段的無線傳輸應用。該發(fā)射器具備優(yōu)異的輸出功率及能源效率，同時支持每通道56Gb/s的超高數(shù)據(jù)傳輸率。該組件也是比利時微電子研究中心（imec）研究人員目前正在開發(fā)的四路波束成形收發(fā)機芯片之核心構(gòu)件。運用這項技術(shù)，他們希望可以協(xié)助部署新一代100GHz以上的高頻短距無線傳輸服務。 imec先進CMOS波束成
- 關(guān)鍵字： imec 波束成形 發(fā)射機 高功率 零中頻 D頻段傳輸
imec助推歐洲芯片法 2納米芯片試驗將獲25億歐元投資
- 比利時微電子研究中心(imec)于本周舉行的2024年全球技術(shù)論壇（ITF World 2024)，宣布即將推出納米芯片（NanoIC）試驗制程。鑒于歐盟《芯片法案》的發(fā)展愿景，該試驗制程致力于加速創(chuàng)新、驅(qū)動經(jīng)濟成長，并強化歐洲半導體生態(tài)系。此納米芯片試驗制程聚焦開發(fā)2納米以下的系統(tǒng)單芯片，將為歐洲汽車、電信、健康衛(wèi)生等各大產(chǎn)業(yè)提供支持，以利用最新的芯片創(chuàng)新設(shè)計來開發(fā)經(jīng)得起未來考驗的產(chǎn)品。imec現(xiàn)有的試驗制造廠區(qū)已建立了數(shù)十年，該試驗制程將作為其擴建的廠房。政府及民間單位預計將注入高達25億歐元的共同投
- 關(guān)鍵字： imec 歐洲芯片法 2納米
運用能量產(chǎn)率模型 突破太陽能預測極限
- 能量產(chǎn)率模型（Energy Yield Model）由歐洲綠能研究組織EnergyVille成員—比利時微電子研究中心（imec）和比利時哈瑟爾特大學（UHasselt）所開發(fā)，該模型利用由下而上（bottom-up）設(shè)計方法，精準巧妙地結(jié)合太陽能板的光學、溫度及電氣動力學，正在為太陽能預測帶來全新氣象。在追求永續(xù)能源方面，太陽能扮演著關(guān)鍵角色，然而，太陽能具備難以預測的特性，挑戰(zhàn)了準確預測能量（和財務）產(chǎn)率的實現(xiàn)。比利時微電子研究中心（imec）和比利時哈瑟爾特大學（UHasselt），透過他們在歐洲綠
- 關(guān)鍵字： 量產(chǎn)率模型 太陽能 imec
半大馬士革集成中引入空氣間隙結(jié)構(gòu)面臨的挑戰(zhàn)
- l 隨著芯片制造商向3nm及以下節(jié)點邁進，后段模塊處理迎來挑戰(zhàn)l 半大馬士革集成方案中引入空氣間隙結(jié)構(gòu)可能有助于縮短電阻電容的延遲時間 隨著器件微縮至3nm及以下節(jié)點，后段模塊處理迎來許多新的挑戰(zhàn)，這使芯片制造商開始考慮新的后段集成方案。 在3nm節(jié)點，最先進的銅金屬化將被低電阻、無需阻擋層的釕基后段金屬化所取代。這種向釕金屬化的轉(zhuǎn)變帶來減成圖形化這一新的選擇。這個方法也被稱為“半大馬士革集成”，結(jié)合了最小間距互連的減成圖形化與通孔結(jié)構(gòu)的傳統(tǒng)大馬士革。
- 關(guān)鍵字： 半大馬士革 空氣間隙結(jié)構(gòu) 泛林 imec
革命性醫(yī)療成像 imec用非侵入超音波監(jiān)測心臟
- 比利時微電子研究中心（imec）的研究人員，推出為超音波成像應用所開發(fā)的創(chuàng)新第二代壓電式微機械超音波換能器（PMUT）數(shù)組。該數(shù)組具備一層氮化鋁鈧（AlScN）壓電層，在水中實現(xiàn)優(yōu)異的影像擷取，波束控制深度達到10cm。此次取得的技術(shù)突破為曲面感測、革命性醫(yī)療成像及監(jiān)測這類復雜的超音波應用提供了發(fā)展條件。近期imec攜手其衍生新創(chuàng)Pulsify Medical，一同推動心臟監(jiān)測技術(shù)朝向非侵入式且無需醫(yī)師操作的方向發(fā)展。超音波成像的技術(shù)進展在非侵入性的情況下，透過超音波成像來呈現(xiàn)腹中胎兒影像的聲波應用廣為人
- 關(guān)鍵字： 超音波 感測 醫(yī)療成像 imec
IMEC發(fā)布1nm以下制程藍圖：FinFET將于3nm到達盡頭
- 近日，比利時微電子研究中心(IMEC)發(fā)表1納米以下制程藍圖，分享對應晶體管架構(gòu)研究和開發(fā)計劃。外媒報導，IMEC制程藍圖顯示，F(xiàn)inFET晶體管將于3納米到達盡頭，然后過渡到Gate All Around(GAA)技術(shù)，預計2024年進入量產(chǎn)，之后還有FSFET和CFET等技術(shù)。△Source：IMEC隨著時間發(fā)展，轉(zhuǎn)移到更小的制程節(jié)點會越來越貴，原有的單芯片設(shè)計方案讓位給小芯片(Chiplet)設(shè)計。IMEC的制程發(fā)展愿景，包括芯片分解至更小，將緩存和存儲器分成不同的晶體管單元，然后以3D排列堆疊至其
- 關(guān)鍵字： IMEC 1nm 制程 FinFET
imec觀點：微影圖形化技術(shù)的創(chuàng)新與挑戰(zhàn)
- 此篇訪談中，比利時微電子研究中心（imec）先進圖形化制程與材料研究計劃的高級研發(fā)SVP Steven Scheer以近期及長期發(fā)展的觀點，聚焦圖形化技術(shù)所面臨的研發(fā)挑戰(zhàn)與創(chuàng)新。本篇訪談內(nèi)容，主要講述這些技術(shù)成果的背后動力，包含高數(shù)值孔徑（high NA）極紫外光（EUV）微影技術(shù)的進展、新興內(nèi)存與邏輯組件的概念興起，以及減少芯片制造對環(huán)境影響的需求。怎么看待微影圖形化這塊領(lǐng)域在未來2年的發(fā)展？Steven Scheer表示：「2019年，極紫外光（EUV）微影技術(shù)在先進邏輯晶圓廠進入量產(chǎn)，如今動態(tài)隨機存
- 關(guān)鍵字： imec 微影圖形化
探索埃米世代導線材料 金屬化合物會擊敗銅嗎？
- 自1990年代中期，銅（Cu）一直用于后段制程，作為內(nèi)連導線（interconnect）與通孔（via）的主流金屬材料。這些年來，銅材在雙鑲嵌整合制程上展現(xiàn)了長年不敗的優(yōu)良導電性與可靠度，因此過去認為在芯片導線應用上無需替換這位常勝軍。但隨著技術(shù)世代演進，局部導線層持續(xù)微縮，關(guān)鍵組件層的線寬降至10nm以下。偏偏在這樣的小尺寸下，銅材的電阻會急遽增加，進而影響電路的整體性能。銅世代告終？此外，銅材需要阻障層（barrier）、襯墊層（liner）與覆蓋層（cap layer）才能維持良好的可靠度；這些外加
- 關(guān)鍵字： 埃米 導線材料 金屬化合物 imec
imec全球首創(chuàng)高光譜照相系統(tǒng) 鎖定動態(tài)全彩成像應用
- 于本周舉行的國際光電工程學會（SPIE）美西光電展（Photonics West）上，比利時微電子研究中心（imec）展示全球首款高光譜多傳感器照相系統(tǒng)，涵蓋可見光與近紅外光的波長范圍，還兼具高分辨率RGB色彩傳感器。即使在動態(tài)情境下，這套系統(tǒng)也能支持高幀數(shù)影像的數(shù)據(jù)擷取，還可以協(xié)助評估特定應用在使用單一裝置的情況下最適合采用的分辨率與光譜范圍。越來越多的企業(yè)正在研究如何利用高光譜影像技術(shù)來提升他們的產(chǎn)品或服務。有些企業(yè)一開始就知道各自所需的光譜范圍，但其他企業(yè)卻必須經(jīng)歷一段測試多臺相機的過程。盡管目前市
- 關(guān)鍵字： imec 高光譜照相 動態(tài)全彩成像
最新超導量子位研究 成功導入CMOS制程
- 量子計算機可望在特定應用領(lǐng)域帶來巨變，包含材料合成、藥物開發(fā)、網(wǎng)絡(luò)安全等等。在量子電路的運算模型中，量子邏輯閘（簡稱量子閘）利用少數(shù)量子來進行基本運算，與傳統(tǒng)數(shù)字電路里的邏輯閘雷同。量子是量子電路的基本構(gòu)件。全球正在努力開發(fā)具備不同類型量子位的量子運算平臺，期望能將應用從實驗室擴展到全球。其中一項前景看好的量子運算技術(shù)透過超導電路運行。Anton Potocnik是深耕量子運算領(lǐng)域的imec資深研究員，他表示：「超導量子位的能量狀態(tài)相對容易操控，經(jīng)過這幾年，研究人員已能將越來越多的量子進行耦合，進而實現(xiàn)更
- 關(guān)鍵字： 超導量子位 CMOS制程 imec
隔空觸覺應用看漲 imec開發(fā)微型超音波數(shù)組技術(shù)
- 比利時微電子研究中心（imec），于本周舉行的2022年IEEE國際超音波會議（International Ultrasonics Symposium），展示了新型壓電式微型超音波換能器（pMUT）數(shù)組，它能與平面顯示器（FPD）制程技術(shù)兼容。新型數(shù)組可以隔空感測高于1kPa的聲壓，滿足隔空觸覺與指向聲波應用。 （A）包含22個直徑為500μm環(huán)形pMUT的相控數(shù)組大范圍影像（B）細部影像此次開發(fā)的pMUT技術(shù)不再聚焦晶圓制程，而是朝向與平面顯示器技術(shù)兼容的方向發(fā)展，方便將來與隔空感測應用整合，
- 關(guān)鍵字： 隔空觸覺 imec 超音波數(shù)組
imec超小型信道生醫(yī)感測芯片 提升模擬數(shù)字轉(zhuǎn)換效能
- 比利時微電子研究中心（imec）于2022年IEEE國際超大規(guī)模集成電路技術(shù)研討會（VLSI Symposium），發(fā)表了一顆具備微縮能力的神經(jīng)訊號讀取芯片，主打世界最小尺寸的訊號紀錄信道，可用于神經(jīng)醫(yī)學實驗，同步擷取神經(jīng)元的局部場電位與動作電位。該微芯片采用創(chuàng)新的模擬數(shù)字轉(zhuǎn)換架構(gòu)，透過交流耦合一階差量三角積分（AC-coupled 1st order delta-delta-sigma architecture）的調(diào)變設(shè)計，可以將微弱的神經(jīng)模擬訊號低失真轉(zhuǎn)換至數(shù)字訊號。超小型信道能直接將輸入訊號進行數(shù)字
- 關(guān)鍵字： imec 生醫(yī)感測芯片 模擬數(shù)字轉(zhuǎn)換
imec首度展示晶背供電邏輯IC布線方案 推動2D/3D IC升級
- 比利時微電子研究中心（imec）于本周舉行的2022年IEEE國際超大規(guī)模集成電路技術(shù)研討會（VLSI Symposium），首度展示從晶背供電的邏輯IC布線方案，利用奈米硅穿孔（nTSV）結(jié)構(gòu)，將晶圓正面的組件連接到埋入式電源軌（buried power rail）上。微縮化的鰭式場效晶體管（FinFET）透過這些埋入式電源軌（BPR）實現(xiàn)互連，性能不受晶背制程影響。 FinFET微縮組件透過奈米硅穿孔（nTSV）與埋入式電源軌（BPR）連接至晶圓背面，與晶圓正面連接則利用埋入式電源軌、通孔對
- 關(guān)鍵字： imec 晶背供電 邏輯IC 布線 3D IC
Imec大會：2036年實現(xiàn)1納米半導體
- 世界上最先進的半導體研究公司Imec最近在比利時安特衛(wèi)普舉行的未來峰會上分享了其"1納米以下 "硅和晶體管路線圖。該路線圖讓我們大致了解了到2036年，該公司將與臺積電、英特爾、三星和ASML等行業(yè)巨頭合作，在其實驗室中研究和開發(fā)下一個主要工藝節(jié)點和晶體管架構(gòu)的時間表。該路線圖包括突破性的晶體管設(shè)計，從將持續(xù)到3納米的標準FinFET晶體管，到2納米和A7（7埃）的新的門控全方位（GAA）納米片和叉片設(shè)計，然后是A5和A2的CFET和原子通道等突破性設(shè)計。需要提醒的是，10個埃等于1納
- 關(guān)鍵字： Imec 1納米
關(guān)于我們 -
廣告服務 -
企業(yè)會員服務 -
網(wǎng)站地圖 -
聯(lián)系我們 -
征稿 -
友情鏈接 -
手機EEPW
Copyright ?2000-2015 ELECTRONIC ENGINEERING & PRODUCT WORLD. All rights reserved.
《電子產(chǎn)品世界》雜志社 版權(quán)所有 北京東曉國際技術(shù)信息咨詢有限公司
京ICP備12027778號-2 北京市公安局備案：1101082052 京公網(wǎng)安備11010802012473
Copyright ?2000-2015 ELECTRONIC ENGINEERING & PRODUCT WORLD. All rights reserved.
《電子產(chǎn)品世界》雜志社 版權(quán)所有 北京東曉國際技術(shù)信息咨詢有限公司
京ICP備12027778號-2 北京市公安局備案：1101082052 京公網(wǎng)安備11010802012473