比利時微電子研究中心(imec)于本周舉行的2024年全球技術論壇（ITF World 2024)，宣布即將推出納米芯片（NanoIC）試驗制程。鑒于歐盟《芯片法案》的發展愿景，該試驗制程致力于加速創新、驅動經濟成長，并強化歐洲半導體生態系。此納米芯片試驗制程聚焦開發2納米以下的系統單芯片，將為歐洲汽車、電信、健康衛生等各大產業提供支持，以利用最新的芯片創新設計來開發經得起未來考驗的產品。imec現有的試驗制造廠區已建立了數十年，該試驗制程將作為其擴建的廠房。政府及民間單位預計將注入高達25億歐元的共同投
l 隨著芯片制造商向3nm及以下節點邁進，后段模塊處理迎來挑戰l 半大馬士革集成方案中引入空氣間隙結構可能有助于縮短電阻電容的延遲時間 隨著器件微縮至3nm及以下節點，后段模塊處理迎來許多新的挑戰，這使芯片制造商開始考慮新的后段集成方案。 在3nm節點，最先進的銅金屬化將被低電阻、無需阻擋層的釕基后段金屬化所取代。這種向釕金屬化的轉變帶來減成圖形化這一新的選擇。這個方法也被稱為“半大馬士革集成”，結合了最小間距互連的減成圖形化與通孔結構的傳統大馬士革。
近日，比利時微電子研究中心(IMEC)發表1納米以下制程藍圖，分享對應晶體管架構研究和開發計劃。外媒報導，IMEC制程藍圖顯示，FinFET晶體管將于3納米到達盡頭，然后過渡到Gate All Around(GAA)技術，預計2024年進入量產，之后還有FSFET和CFET等技術。△Source：IMEC隨著時間發展，轉移到更小的制程節點會越來越貴，原有的單芯片設計方案讓位給小芯片(Chiplet)設計。IMEC的制程發展愿景，包括芯片分解至更小，將緩存和存儲器分成不同的晶體管單元，然后以3D排列堆疊至其
此篇訪談中，比利時微電子研究中心（imec）先進圖形化制程與材料研究計劃的高級研發SVP Steven Scheer以近期及長期發展的觀點，聚焦圖形化技術所面臨的研發挑戰與創新。本篇訪談內容，主要講述這些技術成果的背后動力，包含高數值孔徑（high NA）極紫外光（EUV）微影技術的進展、新興內存與邏輯組件的概念興起，以及減少芯片制造對環境影響的需求。怎么看待微影圖形化這塊領域在未來2年的發展？Steven Scheer表示：「2019年，極紫外光（EUV）微影技術在先進邏輯晶圓廠進入量產，如今動態隨機存
比利時微電子研究中心（imec）于本周舉行的2022年IEEE國際超大規模集成電路技術研討會（VLSI Symposium），首度展示從晶背供電的邏輯IC布線方案，利用奈米硅穿孔（nTSV）結構，將晶圓正面的組件連接到埋入式電源軌（buried power rail）上。微縮化的鰭式場效晶體管（FinFET）透過這些埋入式電源軌（BPR）實現互連，性能不受晶背制程影響。 FinFET微縮組件透過奈米硅穿孔（nTSV）與埋入式電源軌（BPR）連接至晶圓背面，與晶圓正面連接則利用埋入式電源軌、通孔對
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