本輪半導體行業復蘇的核心引擎，當屬NAND閃存的價格暴漲。據摩根士丹利證券預測，MLC（及成熟制程TLC）產品價格從今年首季到第四季漲幅將超過200%，下半年供需失衡幅度或達40%，缺口持續擴大助推價格飆升。DRAM漲幅逐步收斂，反觀NAND價格動能轉強，甚至超越DRAM：預估一般型DRAM在第二季度合約價格將上漲約58%-63%，NAND閃存則上漲約70%-75%。目前全球2GB至64GB容量的NAND產能幾近消失，終端客戶庫存普遍僅剩六至九個月，供需結構轉趨緊繃。大摩科技產業分析師在最新釋出的報告中指
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NAND LTA 存儲器 閃存 DRAM AI 閃迪
核心要點Rowhammer（行錘） 仍是 DRAM 的主要安全威脅，Rowpress（行壓） 正成為新的相關威脅。內存控制器發出的新型刷新指令可緩解問題，但并非完美解決方案。更小的垂直結構 DRAM 單元有望從根本上消除問題，但距離量產仍需數年。Rowhammer 已經困擾了數代 DRAM 產品，并且隨著制程進步愈發嚴重。與之相關的新型漏洞 Rowpress 也隨之出現。新的刷新指令可以減輕不良影響，但要徹底根除問題，可能只能依靠新一代 DRAM 存儲單元結構。新思科技（Synopsys）應用工程執行董事
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DRAM 安全危機
如今的內存市場，簡直像維多利亞時代那位被焦慮裹挾的貴婦一樣歇斯底里。最典型的例子就是通用 DRAM 領域：現貨價格小幅回調，就引發了 “行業末日” 的唱衰論調，甚至連帶股價大跌。但三星這類真正的行業巨頭卻始終淡定，并且鐵了心按計劃持續提價。三星 2026 年一季度 DRAM 價格翻倍后，二季度內存產品再平均漲價 30%據韓國《ETNews》報道，三星已對其 DRAM 產品執行 ** 季度環比約 30%的提價供貨。關鍵在于，此次漲價是在2026 年一季度 DRAM 均價同比大漲 100%** 的基礎上繼續上
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三星 DRAM
TrendForce最新存儲器產業研究指出，大廠逐步退出成熟DDR4以下產品制造的策略不變，在市場供給結構持續收斂下，過去幾個月，整體價格已累積驚人漲幅。 由于目前市場供需仍未平衡，市場普遍看好，內存報價漲勢，至少將延伸到今年下半年。TrendForce考量供給持續縮減，以及訂單轉移，但臺廠產能擴張不及等因素，預估2026年第二季consumer DRAM合約價格，仍將持續季增45~50%。內存業者則更樂觀的預期，今年全年價格都將維持向上趨勢。TrendForce表示，2026年3月consumer DR
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內存 TrendForce DRAM
韓國媒體ETnews報道，三星在一季度將DRAM合約價上漲了100%之后，二季度的DRAM合約價將再度上漲30%。由于隨著對AI基礎設施投資的擴展，包括三星在內的主要內存制造商將產能集中在HBM上，通用DRAM的供應變得不足，導致價格急劇上漲。據悉，三星已確認于3月底與主要客戶完成價格談判，并簽署了供應合同。DRAM合約價30%的漲幅囊括了AI芯片所需的HBM、PC和智能手機所需的通用DRAM。而三星此前在第一季度已經將DRAM的平均價格提高了100%。這意味著，如果2025年DRAM價格為10000韓元
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DRAM SK海力士 美光 三星
4月2日，據外資投行摩根士丹利針對美光科技（Micron）的跟蹤報告顯示，美光董事長兼CEO Sanjay Mehrotra在近期投資人會議中透露，盡管美光正在加速擴產DRAM，但新產能最快要到2027年底才能出貨。因此，DRAM供不應求的局面將持續至2027年。此外，部分關鍵半導體設備的產能不足也是導致這一現象的重要原因。 目前，人工智能芯片對高帶寬內存（HBM）的強勁需求，成為DRAM市場供不應求的核心瓶頸。美光計劃在2025年第三季度將其HBM市場份額提升至與整體DRAM市場份額持平的水平
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美光 DRAM
根據上交所官網披露的信息顯示，國產DRAM巨頭長鑫科技科創板IPO審核狀態變更為“中止”，引起市場關注。關于此次“中止”，上交所給出的說明為“長鑫科技集團股份有限公司因發行上市申請文件中記載的財務資料已過有效期，需要補充提交。”需要指出的是，目前的“中止”狀態并非“終止”。本次“中止”屬于IPO審核過程中的技術性暫停，而非審核終止，不妨礙企業IPO的正常審核，通常在企業補充披露審計材料并提交更新稿后，審核程序將恢復，上市進程未受實質性影響。針對此次IPO中止，長鑫科技相關消息人士明確回應，此次狀態調整屬于
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長鑫科技 IPO DRAM
中東沖突的蔓延正通過氦氣短缺影響半導體供應鏈。伊朗對全球主要氦氣生產國卡塔爾的設施發動襲擊，導致現貨價格翻番，并加劇了合同壓力。氦氣在晶圓刻蝕中不可替代，這對芯片生產構成重大風險，尤其對三星電子和SK海力士等韓國企業造成嚴重影響 —— 市值蒸發超過2000億美元。最新報告顯示，伊朗對卡塔爾能源設施的襲擊嚴重影響了氦氣（被譽為“黃金氣體”）的供應。這種看似“小眾”的工業氣體正逐漸成為全球芯片產業的關鍵風險因素。據報道，卡塔爾占全球氦氣供應量的30%以上，其核心生產設施受損導致全球供應驟減。短短兩周內，氦氣現
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半導體 芯片 氦氣 溴 DRAM NAND
據彭博社報道，存儲芯片巨頭閃迪（Sandisk）旗下子公司閃迪科技（Sandisk Technology）近日通過私募配售方式，以10億美元收購南亞科技1.39億股股份，占其流通普通股比例約3.9%。 南亞科技是中國臺灣地區的一家領先DRAM芯片制造商，專注于消費電子、計算機及服務器等領域的DRAM產品研發與生產。根據雙方達成的多年戰略供應協議，南亞科技將向閃迪科技持續供應DRAM產品。這標志著雙方的合作從單純的買賣關系升級為資本紐帶下的深度綁定。 此次交易價格較南亞科技30日均價折讓
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閃迪 南亞科技 DRAM 供應鏈合作
最新消息，由超過6.6萬名韓國三星電子工會成員參與表決的投票結果顯示，93.1%的工會成員贊成罷工。若無重大變化，三星電子工會成員將于5月21日至6月7日全面罷工。據悉，本次罷工將是三星史上最大規模的罷工計劃。關鍵訴求：取消績效獎金上限三星勞資雙方此前就2026年薪資問題進行了多輪談判，但雙方就部分議題的分歧持續擴大，談判最終破裂。如果此次罷工得以實施，這將是三星自1969年成立以來遭遇的第二次大罷工，距離上一次2024年7月的25天總罷工僅不到兩年。三星工會要求提高績效獎金計算標準的透明度，取消績效獎金
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三星 存儲 DRAM NAND HBM
據韓媒Chosun Biz、韓聯社等援引市調機構Counterpoint Research數據顯示，2026年第一季度，64GB服務器級DRAM模塊（RDIMM）DDR5價格較2025年第四季度上漲150%，移動終端用12GB LPDDR5X上漲130%。即使是前代的8GB SO-DIMM DDR4，價格也暴漲180%。不僅是DRAM價格出現130%~180%的大幅上漲，NAND產品線也上漲約130%~150%，漲幅遠超此前預期的季度增長100%。業界預測，存儲供應短缺狀況預計將持續至2027年下半年。A
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DRAM NAND
SK 海力士宣布，已成功開發基于第六代 10 奈米級（1c）制程技術的 16Gb LPDDR6 DRAM。公司表示，該產品已完成全球首度 1c LPDDR6 驗證，預計今年上半年完成量產準備，并于下半年開始供貨。LPDDR（Low Power Double Data Rate）是一種主要應用于智能手機與平板等行動裝置的低功耗 DRAM 標準，通過低電壓運作降低能源消耗。SK 海力士表示，新一代 LPDDR6 主要鎖定 On-device AI 應用，例如智能手機、平板電腦等終端設備。與
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SK 海力士 LPDDR6 DRAM
隨著人工智能熱潮推動存儲需求增長，半導體設備制造商在收獲紅利的同時，也在加深與頭部存儲廠商的合作。據路透社報道，應用材料（Applied Materials）已與美光科技（Micron）、SK 海力士達成合作，共同開發對人工智能與高性能計算至關重要的下一代芯片。3 月 10 日，應用材料發布新聞稿稱，已與 SK 海力士簽署長期合作協議，加速 DRAM 與 HBM 技術研發。雙方將在應用材料新建的研發中心 ——設備與工藝創新與商業化中心（EPIC Center），聚焦存儲材料、工藝整合及 3D 先進封裝技術
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應用材料 美光 SK海力士 半導體 DRAM HBM NAND
海力士宣布成功研發首款 LPDDR6 動態隨機存取存儲器，超性能版LPDDR6內存較LPDDR5X速度提升33%、能效提升20%，16Gb 芯片速率達 10.7Gbps，基于 10nm 工藝打造。LPDDR6 內存架構一旦落地于 SOCAMM 模組，或將成為數據中心市場的一大助力。這家存儲芯片廠商同時透露，此款 LPDDR6 內存基于其 2024 年發布的領先 10nm 級（1c）工藝節點打造。新款 LPDDR6 內存芯片基礎運行速率超 10.7Gbps，遠超目前市場上性能最強的在售 LPDDR5X 內存
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