- 華為全聯接大會2022中國深圳站期間上， 華為發布業界首個面向數據中心Diskless架構的微存儲——華為OceanStor Micro系列，打造綠色集約、安全可靠的數據中心 。據了解，華為OceanStor Micro微存儲本質上是傳統盤框的智能化升級，以基于NOF+技術的高速網絡連接Diskless服務器，支持上層分布式軟件的透明訪問，實現計算和存儲資源獨立彈性擴展，消除兩者的生命周期管理差異。華為閃存存儲領域總裁黃濤詳細闡述了OceanStor Micro微存儲的創新設計理念。他
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華為 微存儲 閃存
- 作為全球化的半導體企業，正如在2022年度閃存峰會和2022年度三星內存技術日上所承諾的，三星今日宣布，已開始量產三星產品中具有最高存儲密度的1Tb（太字節）三比特單元（TLC）第8代V-NAND。1Tb的全新V-NAND在目前三星V-NAND中具有最高的存儲密度，可為全球企業系統提供容量更大、密度更高的存儲解決方案。三星電子第八代V-NAND，1Tb三星閃存產品與技術執行副總裁SungHoi
Hu表示："市場對更高密度、更大容量存儲的需求，推動了V-NAND層數的增加，三星采用3D縮放（3
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三星 V-NAND 存儲密度
- 據業內消息，近期三星電子宣布已經開始大規模量產236層3D NAND閃存芯片(第八代V-NAND閃存)。據悉，三星第八代V-NAND閃存芯片擁有高達2400MTps的傳輸速度，搭配高端主控使用可以讓消費級SSD的傳輸速度達到直接越級的12GBps。三星電子表示，第八代V-NAND閃存會提供128GB+1TB的搭配方案，具體的細則比如芯片的大小和實際密度等數據并沒有做詳細介紹，但是三星電子表示其擁有業界最高的比特密度。官方表示，第八代V-NAND閃存芯片相比于現階段相同容量的閃存芯片可提高大約1/5的單晶生
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- IT之家 11 月 7 日消息，雖然還沒有發布任何實際產品，但三星電子現宣布已經開始大規模生產其 236 層 3D NAND 閃存芯片，該公司將其命名為第 8 代 V-NAND。新一代存儲芯片可帶來 2400MTps 的傳輸速度，當搭配高端主控使用時，它可使得消費級 SSD 的傳輸速度輕松超過 12GBps。據介紹，第 8 代 V-NAND 可提供 1Tb (128GB) 的方案，三星電子沒有公開 IC 的大小和實際密度，不過他們稱之為業界最高的比特密度。三星聲稱，與現有相同容量的閃存芯片相比，
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- NAND 閃存用于各種消費和工業產品，從筆記本電腦和手機到工業機器人、醫療設備和嵌入式物聯網設備，如傳感器和控制器。 在我們日益互聯的世界中，這些應用程序中的所有脆弱點都需要足夠和強大的安全措施，包括數據存儲系統。 因此，在選擇或設計 NAND 閃存存儲系統時，必須確保存儲器的安全性滿足應用程序的要求。執行現代安全技術需要足夠的處理能力。 作為存儲系統的“大腦”，NAND閃存控制器必須足夠強大以支持整個存儲系統所需的安全級別。 本文概述了 NAND 閃存的安全性，涵蓋了最常見的硬件和軟件技術，有助于告知讀
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存儲系統 數字安全 海派世通 NAND
- 近日，SK海力士考慮“撤出中國”、“轉移中國工廠設備”等消息引發業界高度關注，對此，SK海力士于10月26日就中國工廠運營作出澄清說明。SK海力士表示，公司在10月26日的第三季度業績發表會上，針對由于地緣政治問題及多種因素導致中國工廠運營受困的各種假想情境，作出了可能會考慮應急方案(Contingency Plan)的原則性回復。其中，“中國工廠的設備轉移”等相關發言是針對可能性極低的極端情況作出的現場回復，SK海力士澄清并未研究過與此相關的具體計劃。另外，針對美國對芯片設備出口的管制，SK海力士表示，
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SK海力士 DRAM NAND
- 在過去很長時間里，存儲卡的容量都是 2 的 N 次方，比如 2GB、4GB、8GB、16GB…… 但在 CFast、XQD、CFexpress 卡出現以后，市場上就出現了 80GB、120GB、240GB、325GB…… 等“非標準規格”。這背后的原因是什么？正式動筆后，我發現這件事情并不是三言兩語能夠講清楚的……ET 會盡量剝離掉與大家關系不大的知識點，大家在閱讀時也可以忽略括號和 * 內的部分。科普存儲卡、固態硬盤都以閃存顆粒（NAND Flash）作為存儲介質，而閃存顆粒本身是有擦寫次數限制的（即寫
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- SK海力士于10月12日通過聲明表示，公司完成與美國商務部進行協商，確保在接下來一年內不獲取個別許可的前提下為中國工廠供應所需的半導體生產設備。借此，SK海力士預期將能夠在接下來一年內不獲取美方個別許可的前提下為中國工廠保障生產設備的供應，進而維持在中國的生產經營。SK海力士表示：“公司與美方圓滿完成了就在中國持續生產半導體產品的協商。SK海力士將繼續與韓國政府及美國商務部緊密合作，在遵循國際原則的前提下為保障中國工廠的運營盡最大的努力。”美國商務部先前于10月7日發布稱，將限制用于在中國生產18納米以下
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SK海力士 DRAM NAND
- 如何開發出尺寸更小、速度更快、功耗更少、成本更低，同時容量更大的閃存產品，這是美光研發工程師每天都要應對的挑戰。隨著各國對數字化轉型和云遷移的重視，世界對存儲容量和性能的要求越來越大。美光正在迎接這一創新變局。這些變化體現在異構計算、邊緣計算、數據中心、金融系統實時大數據更新，以及移動設備、消費電子、汽車信息娛樂系統帶來智能化沉浸式體驗。美光232層NAND技術為這些高性能存儲應用環境提供了可能。優秀的架構，高效優化存儲顆粒的使用空間和密度 美光推出的全球首款232層NAND基于CuA架構，通過增加NAN
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- 根據集邦科技研究顯示，目前NAND Flash正處于供過于求，下半年起買方著重去化庫存而大幅減少采購量，賣方開出破盤價以鞏固訂單，使第三季NAND晶圓（wafer）價格跌幅達30～35％，但各類NAND Flash終端產品仍疲弱，原廠庫存因此急速上升，預期將導致第四季NAND Flash總體平均價格跌幅擴大至15～20％。集邦表示，因為需求低迷導致NAND Flash下半年價格大跌，多數原廠的NAND Flash產品銷售也將自今年底前正式步入虧損，意即部分供貨商在運營陷入虧損的壓力下，對于采取減產以降低虧
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- 市調機構表示，在高通脹影響下，消費性產品需求疲軟且旺季不旺，第三季DRAM位消耗與出貨量持續呈現季減，各終端買方因需求明顯下滑而推遲采購，導致供貨商庫存壓力進一步升高。同時，各DRAM供貨商為求增加市占的策略不變，市場上已有「第三、四季合并議價」或「先談量再議價」的情形，導致第四季DRAM價格續跌13％～18％。標準型DRAM方面，由于筆電需求疲弱，OEM廠仍將著重去化DRAM庫存，而DRAM供應端在營業利益仍佳的前提下，未有實際減產情形，故位產出仍持續升高，供貨商庫存壓力日益明顯。以DDR4與DDR5來
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集邦 DRAM NAND
- IT之家 9 月 16 日消息，9 月 8 日，蘋果召開新品發布會，正式發布了 iPhone 14 系列手機，起價 5999 元。在此之前，韓媒消息稱中國廠商長江存儲已經進入蘋果供應鏈，將供貨 iPhone 14 系列 NAND 閃存。后續蘋果也承認正考慮從長江存儲采購 NAND 芯片，但僅會用于在中國銷售的部分 iPhone。在 iPhone 14 系列之前，蘋果高度依賴三星電子、SK 海力士等韓國存儲芯片廠商。因此，市場觀察人士認為，蘋果與長江存儲合作，將使他們 NAND 閃存的供應商進一步
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- 根據市場研究機構TrendForce最近發布的報告顯示，在2022年二季度全球NAND Flash閃存市場中，三星電子與SK海力士拿下了全球52.9%的市場份額。根據數據顯示，2022年二季度三星電子NAND銷售額為59.8億美元，環比下滑5.4%，排名第一。SK海力士因為對英特爾NAND閃存業務收購的完成，2022年二季度銷售額位36.15億美元，環比增長12.1%，超越了鎧俠，成為了全球第二大NAND閃存廠商，兩家韓國廠商已經那拿下了全球NAND市場52.9%的份額。
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NAND 內存
- 江波龍（股票代碼：301308）近期發布了中國大陸首款FORESEE 512Mb SPI NAND Flash。FORESEE 512Mb SPI NAND Flash由江波龍完全自主研發，能夠極大地幫助客戶降低整機系統成本，并提升終端的產品競爭力。目前，FORESEE 512Mb SPI NAND Flash已全面量產，在智能穿戴、物聯網模塊、安防監控、網絡通訊等領域得到廣泛應用。加量減價，降本與增效兼得替換256Mb以上大容量SPI NOR Flash的上佳選擇根據系統存儲容量需求的不同，客
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- 據國外媒體報道，當前全球最大的存儲芯片制造商三星電子，預計會在年內開始生產236層NAND閃存。此外，它還計劃在本月開設一個新的研發中心，負責更先進NAND閃存產品的開發。韓國媒體在報道中還表示，三星目前量產的NAND閃存，最高是176層，在236層的產品量產之后，三星電子NAND閃存的層數就將創下新高。從韓國媒體的報道來看，三星電子對即將量產的236層NAND閃存寄予了厚望。他們在報道中就表示，在NAND閃存市場，三星電子的市場份額占了35%，為全球最高。將層數增加60層后，他們計劃憑借生產技術、價格及
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