- 2018年中國進口了3000多億美元的半導體芯片，其中存儲芯片占據了1/3也就是上千億美元，而且這部分芯片的國產率為0，國內尚無公司能夠大規模量產閃存及內存芯片。在閃存芯片上，紫光集團位于武漢的長江存儲下半年量產64層堆棧的3D閃存，明年將研發128層堆棧的3D閃存。
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存儲 紫光 閃存
- 華為在北京舉辦了主題為“探討閃存未來發展之道，推動產業共贏”首屆華為閃存技術論壇，在業界首次提出面向應用感知的存儲創新理念和未來SSD發展新形態。華為智能計算提出希望與廣大客戶、合作伙伴、Flash廠家、標準組織、高校、媒體等存儲產業的上下游共聚，共同探討并引領閃存技術發展趨勢，持續提升應用性能，滿足用戶需求。 目前，存儲產業正發生著翻天覆地的變化，隨著閃存新技術的發展與廣泛應用，閃存行業正面臨著新的機遇與挑戰! 本次會議重點展現了自研SSD閃存技術和應用研究，并借本次技術論壇活動，為行業提供一個技術生
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華為 閃存
- 中關村在線消息：這近兩年以來的內存和閃存價格都在下跌，做為我們消費者自然是再高興不過了，但像美光這樣的廠商都有點扛不住了。據美光發布的最新季度財報，這家公司的營收下滑了40%，凈利潤更是暴跌78%，而其主要原因正是內存閃存市場價格的下跌。對此，美光計劃在2020財年（也就是大約今年四季度）開始縮減資本支出，以減少內存閃存的產能，希望借此改變市場供需關系。這就意味著，從今年四季度開始，內存閃存的價格可能會有所上漲，反映到消費市場自然就是我們買起來會貴了。所以如果有購買內存閃存計劃的網友們，可以考慮提前準備。
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內存 閃存
- 日本三重縣四日市日前發生停電意外，市場傳出存儲器大廠東芝存儲器(TMC)當地營運的5座 NAND Flash工廠的營運中斷，盡管東芝存儲器尚未對外說明影響，但據傳出，合作投資的威騰(WD)已通知客戶可能無法按照原定時程出貨。
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?威騰 東芝存儲器 NAND Flash
- NAND閃存的價格一跌再跌，2019年第一季度TLC閃存的晶圓合約價下跌了19~28%，eMMC/UFS類閃存合約價下跌了15~20%，消費級固態硬盤價格跌了17~31%，企業級固態硬盤跌了26~32%。即使現在SSD的價格已經白菜價，但是也有人在想等它再跌些再買，那么或許現在該出手了。因為據行業人士預測，預計NAND報價將在Q2至Q3間止跌。
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閃存 SSD
- NAND閃存價格已經連跌了6個季度，這讓上游NAND廠商三星、東芝、美光等損失慘重，紛紛削減NAND產能。在群聯臺北電腦展上，群聯公司董事長潘建成也預測NAND閃存價格已經跌破了成本，未來跌幅會收窄，需求則會升溫。
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NAND 減產
- 截至今年Q2季度，NAND閃存始于2018年Q1季度的降價已經持續了6個季度，此舉導致NAND閃存均價大幅下滑，消費者買大容量手機、SSD硬盤倒是便宜了很多，只不過上游的NAND供應商業績就難看多了。
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東芝 財報 閃存
- NAND閃存持續供過于求，價格不斷走低，消費者們很高興，廠商們很不爽，Intel就在近日的投資者大會上披露，可預期的未來內也不會再建設新的閃存工廠。
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- NAND閃存價格從2018年初到現在已經連跌6個季度了，廠商一方面在削減產能以控制供需情況，另一方面也在加強低成本的NAND閃存開發，今年就會開始從TLC閃存向QLC閃存轉變。SK Hynix去年底宣布了96層堆棧的QLC閃存，號稱是首個4D NAND閃存，今天該公司宣布正式出樣96層QLC閃存，核心容量1Tbit。
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閃存 SK海力士 QLC閃存
- 市場傳出，長江存儲有意改變策略，越過大股東紫光集團的銷售管道，采取自產自銷3D NAND芯片的模式，也讓雙方暗自較勁的角力戰儼然成形。
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紫光集團 長江存儲 3D NAND
- 當前，我們正在經歷第四次工業革命的歷史進程，在這里催生了很多新技術和新市場，比如物聯網、人工智能、新能源、3D打印、納米技術等等。這么多新的技術和產品相互激勵、互相融合，共同推動半導體行業不斷發展，從而改變人類的生活方式。
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物聯網 Entegris 3D NAND
- Admin 固態硬盤 今天由于NVMe的價格溢價下降，預計今年PCIe連接驅動器的銷售量將與SATA固態硬盤達到同等水平。 據報道，固態硬盤(SSD)和閃存卡中使用的NAND閃存大幅降價正在推動市場兩端的銷售。制造商正在為相對有利可圖的企業和數據中心用例定制新的解決方案，而客戶端SSD的低成本正在推動OEM廠商的采用率，以包含在PC中。 根據該報告，最引人注目的是，512 GB固態硬盤的單價與2018年同期的256 GB固態硬盤相匹配，預計到2019年剩余時間內固態硬盤的價格將從512
GB降
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NAND SSD
- Mar. 20, 2019 ----
集邦咨詢半導體研究中心(DRAMeXchange)調查指出，受到服務器需求疲弱、智能手機換機周期延長、蘋果新機銷售不如預期等終端需求不佳沖擊，2019年第一季各類NAND
Flash產品合約價綜合季跌幅近20%，是自2018年初NAND Flash轉為供過于求以來跌幅最劇的一季。 展望第二季，DRAMeXchange分析師葉茂盛表示，歷經第一季的需求低谷之后，智能手機、筆記本電腦及服務器等主要需求較第一季有所改善。另一方面，NAND
Flash供應商
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NAND UFS SSD
- 根據外媒的報道，東芝及其戰略盟友西部數據準備推出更高密度128層3D NAND閃存。在東芝的命名法中，該芯片將命名為BiCS-5。 據介紹，芯片將實現TLC，而不是更新的QLC。這可能是因為NAND閃存制造商仍然對QLC芯片的低產量有擔心。該芯片的數據密度為512
Gb，新的128層芯片的容量比96層芯片多33%，可以在2020到2021年實現商業化生產。 據報道，新芯片每單位信道的寫入性能從66 MB / s增加到132 MB /
s。據報道，該芯片還采用了CuA(陣列電路)，這是一
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東芝 西數 NAND
- 事實上中國巨額的投入也間接促進了韓、美兩國大廠資本開支的上升。三星2017年在DRAM和NAND上投入的資本開支就達到200億美金，因此，我國廠商的數字分攤到每年，還難以和龍頭廠商相比。雖然在量產初期，如此巨大的資本開支也會給中國企業帶來不小的折舊壓力，下行周期中技術、管理略遜的中國企業可能必須經歷幾年內虧損，但若想實現存儲器的國產替代，這種投入十分必要。
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NAND 存儲器
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