nand 閃存文章最新資訊

中芯國(guó)際推出自主研發(fā)的38納米NAND閃存工藝制程

　　中芯國(guó)際集成電路制造有限公司今日宣布38納米 NAND 閃存工藝制程已準(zhǔn)備就緒，中芯國(guó)際憑此成為唯一一家可為客戶(hù)生產(chǎn) NAND 產(chǎn)品的代工廠(chǎng)。該工藝平臺(tái)完全由中芯國(guó)際自主研發(fā)，可滿(mǎn)足特殊存儲(chǔ)器無(wú)晶圓廠(chǎng)客戶(hù)對(duì)高質(zhì)量、低密度 NAND 閃存持續(xù)增長(zhǎng)的需求，使中芯國(guó)際占據(jù)該領(lǐng)域的領(lǐng)先地位。　　NAND 閃存是近年來(lái)發(fā)展最為迅速的非易失性存儲(chǔ)(NVM)產(chǎn)品。38納米 NAND 閃存主要面向嵌入式產(chǎn)品、移動(dòng)計(jì)算、物聯(lián)網(wǎng)(IoT)、電視及機(jī)頂盒等多種大需求量的特殊應(yīng)用領(lǐng)域。客戶(hù)也可利用此技術(shù)帶動(dòng)串行外設(shè)接
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iPhone 6推升智能手機(jī)NAND搭載容量

　　TrendForce 旗下記憶體儲(chǔ)存事業(yè)處 DRAMeXchange 最新調(diào)查報(bào)告顯示，蘋(píng)果(Apple) 9月份推出大螢?zāi)怀叽绲?iPhone 6 / 6 Plus在全球熱銷(xiāo)，帶動(dòng) 2014全年 iPhone 銷(xiāo)售量提升至1.88支，年成長(zhǎng)率高達(dá)22%，成功扭轉(zhuǎn)過(guò)去一年來(lái)iPhone趨緩的銷(xiāo)售動(dòng)能，重新站穩(wěn)高階智慧型手機(jī)領(lǐng)導(dǎo)廠(chǎng)商的地位;值得注意的是，蘋(píng)果這次的改變除了將螢?zāi)怀叽鐝囊恢眻?jiān)守的4寸，向上突破至4.7與5.5寸，在儲(chǔ)存容量與價(jià)格上也開(kāi)始展現(xiàn)更積極的策略。　　DRAMeXchange
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閃存供應(yīng)商SanDisk第三季度凈利潤(rùn)同比降5%

　　10月17日，美國(guó)閃存供應(yīng)商SanDisk今天發(fā)布了2014財(cái)年第三季度財(cái)報(bào)。財(cái)報(bào)顯示，由于重組和收購(gòu)導(dǎo)致成本增長(zhǎng)9%，SanDisk第三季度凈利潤(rùn)同比下滑5%。由于業(yè)績(jī)未達(dá)分析師預(yù)期，SanDisk股價(jià)在盤(pán)后交易中下跌3%。　　在截至9月28日的今年第三季度，SanDisk凈利潤(rùn)為2.627億美元，合每股收益1.09美元，上年同期凈利潤(rùn)為2.769億美元，合每股收益 1.18美?元;不計(jì)入一次性支出，SanDisk第三季度每股收益1.45美元。同時(shí)，第三季度SanDisk營(yíng)收為17.5億
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干掉閃存 - 下代MRAM首次展示：快7倍

　　近日，日本TDK首次展示了新型存儲(chǔ)技術(shù)MRAM的原型，有望取代如今遍地都是的Flash閃存。MRAM全稱(chēng)磁阻隨機(jī)訪(fǎng)問(wèn)內(nèi)存，已經(jīng)存在一段時(shí)間了，但是TDK將其帶到了一個(gè)新的高度。它以磁荷為數(shù)據(jù)存儲(chǔ)介質(zhì)，而它的名字來(lái)自自旋傳輸矩，也即是寫(xiě)入數(shù)據(jù)的時(shí)候利用電子角動(dòng)量來(lái)改變磁場(chǎng)。　　MRAM技術(shù)的讀寫(xiě)速度可以媲美SRAM、DRAM，當(dāng)同時(shí)又是非易失性的，也就是可以斷電保存數(shù)據(jù)，等于綜合了RAM、Flash的優(yōu)點(diǎn)。　　TDK多年來(lái)一直在研究STT-MRAM，但此前從未公開(kāi)展示。這次拿出的原型芯片
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干掉閃存 - 下代MRAM首次展示：快7倍

　　MRAM以磁荷為數(shù)據(jù)存儲(chǔ)介質(zhì)，而它的名字來(lái)自自旋傳輸矩，也即是寫(xiě)入數(shù)據(jù)的時(shí)候利用電子角動(dòng)量來(lái)改變磁場(chǎng)。MRAM是以取代Flash為使命的。目前TDK已經(jīng)推出這種存儲(chǔ)技術(shù)的原型。
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市場(chǎng)報(bào)告：蘋(píng)果將在2015年購(gòu)買(mǎi)全球25%閃存

　　根據(jù)臺(tái)灣市場(chǎng)研究公司Trendforce的最新報(bào)告，蘋(píng)果將在2015年購(gòu)買(mǎi)全球25%的閃存。DRAM(DynamicRandomAccessMemory)，即動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器，最為常見(jiàn)的系統(tǒng)內(nèi)存。DRAM只能將數(shù)據(jù)保持很短的時(shí)間。蘋(píng)果iPhone、iPad和Mac都使用了這種DRAM內(nèi)存。　　在iPhone和iPad中，蘋(píng)果通常會(huì)配備1GB運(yùn)行內(nèi)存，而Mac配備的內(nèi)存可以高達(dá)16GB。在PC的世界中，使用更高的內(nèi)存可以讓系統(tǒng)運(yùn)行速度更快，不過(guò)增加內(nèi)存的方式現(xiàn)在已經(jīng)逐漸被更換固態(tài)硬盤(pán)替代。在移
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新蘋(píng)效應(yīng) NAND下月涌急單

　　儲(chǔ)存型快閃記憶體(NAND Flash)控制晶片廠(chǎng)群聯(lián) (8299)董事長(zhǎng)潘健成表示，智慧手機(jī)市場(chǎng)本季需求不振，主要是受到市場(chǎng)上迷漫觀(guān)望氣氛影響，直到蘋(píng)果公布iPhone 6系列產(chǎn)品規(guī)格之后，其它手機(jī)品牌廠(chǎng)出現(xiàn)搶零組件熱潮。　　他說(shuō)，10月的急單火紅，第4季零組件拉貨力道優(yōu)于本季。　　潘健成表示，先前消費(fèi)者期待iPhone 6上市，導(dǎo)致iPhone 5系列產(chǎn)品，自今年3月起就銷(xiāo)售不佳;其它品牌的Android系統(tǒng)也在第2季出現(xiàn)清庫(kù)存的情況，上游供應(yīng)商不敢備貨、通路商也不愿意拉貨囤積庫(kù)存
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中芯國(guó)際進(jìn)軍閃存，自主研發(fā)38nm NAND來(lái)了

　　雖然規(guī)模和技術(shù)遠(yuǎn)遠(yuǎn)不如TSMC臺(tái)積電、UMC臺(tái)聯(lián)電等代工巨頭，不過(guò)中芯國(guó)際(SMIC)這兩年發(fā)展的還不錯(cuò)，28nm工藝年初也正式量產(chǎn)了，還從 TSMC手中搶到了部分高通處理器訂單，現(xiàn)在他們準(zhǔn)備進(jìn)軍新的市場(chǎng)領(lǐng)域了——向客戶(hù)推出38nm工藝的NAND閃存，而且是中芯國(guó)際自主研發(fā)的技術(shù)。　　中芯國(guó)際進(jìn)軍閃存，自主研發(fā)38nm NAND來(lái)了　　NAND閃存的重要性不必說(shuō)，目前SSD固態(tài)硬盤(pán)以及消費(fèi)電子上所用的存儲(chǔ)器多數(shù)都是基于NAND閃存，目前全球主要的NAND產(chǎn)能都掌握在三星
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東芝四日市新廠(chǎng)動(dòng)土2015年起量產(chǎn)3D NAND

　　核心提示：東芝(Toshiba)在2014年9月9日于日本四日市工廠(chǎng)，主持采用更高精度制程N(yùn)AND Flash廠(chǎng)、第五工廠(chǎng)第二期工程完工典禮，與3D NAND Flash廠(chǎng)、第二工廠(chǎng)新工程動(dòng)土典禮，象征在NAND Flash市場(chǎng)的積極作為。　　東芝(Toshiba)在2014年9月9日于日本四日市工廠(chǎng)，主持采用更高精度制程N(yùn)AND Flash廠(chǎng)、第五工廠(chǎng)第二期工程完工典禮，與3D NAND Flash廠(chǎng)、第二工廠(chǎng)新工程動(dòng)土典禮，象征在NAND Flash市場(chǎng)的積極作為。　　由于智能型手
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中芯國(guó)際進(jìn)軍閃存，自主研發(fā)38nm NAND來(lái)了

　　雖然規(guī)模和技術(shù)遠(yuǎn)遠(yuǎn)不如TSMC臺(tái)積電、UMC臺(tái)聯(lián)電等代工巨頭，不過(guò)中芯國(guó)際(SMIC)這兩年發(fā)展的還不錯(cuò)，28nm工藝年初也正式量產(chǎn)了，還從TSMC手中搶到了部分高通處理器訂單，現(xiàn)在他們準(zhǔn)備進(jìn)軍新的市場(chǎng)領(lǐng)域了——向客戶(hù)推出38nm工藝的NAND閃存，而且是中芯國(guó)際自主研發(fā)的技術(shù)。　　NAND閃存的重要性不必說(shuō)，目前SSD固態(tài)硬盤(pán)以及消費(fèi)電子上所用的存儲(chǔ)器多數(shù)都是基于NAND閃存，目前全球主要的NAND產(chǎn)能都掌握在三星電子、東芝/閃迪、SK Hynix及Intel、美光合
關(guān)鍵字：中芯國(guó)際 NAND

東芝在閃存峰會(huì)上展示最新NAND和存儲(chǔ)產(chǎn)品

　　東芝公司今天宣布，該公司在閃存峰會(huì)(Flash Memory Summit)上展示其最新的NAND閃存和存儲(chǔ)產(chǎn)品。閃存峰會(huì)是全球最大的閃存討論會(huì)，于8月5至7日在美國(guó)加州圣塔克拉拉市的圣塔克拉拉會(huì)議中心(Santa Clara Convention Center)舉行。　　閃存峰會(huì)的展覽環(huán)節(jié)在會(huì)議的最后兩天8月6日和7日舉行，東芝在504號(hào)展位布展。　　主要展品 ??? 1、企業(yè)級(jí)固態(tài)硬盤(pán)(eSSD)：　　??? 企業(yè)級(jí)讀密集型
關(guān)鍵字：東芝 NAND 固態(tài)硬盤(pán)

匯聚中國(guó)移動(dòng)行業(yè)生態(tài)系統(tǒng)領(lǐng)導(dǎo)廠(chǎng)商第二屆閃迪年度客戶(hù)研討會(huì)圓滿(mǎn)舉行

　　全球領(lǐng)先的閃存存儲(chǔ)解決方案供應(yīng)商閃迪公司今日宣布，來(lái)自移動(dòng)設(shè)備、平板電腦和消費(fèi)類(lèi)電子產(chǎn)品行業(yè)生態(tài)系統(tǒng)的300多位領(lǐng)導(dǎo)廠(chǎng)商本周齊聚中國(guó)深圳，參加閃迪舉辦的第二屆年度“Future Proof Storage”研討會(huì)。本次活動(dòng)于8月26日舉行，囊括了中國(guó)及世界各地極具影響力的領(lǐng)先移動(dòng)科技公司(包括幾乎所有領(lǐng)先芯片組供應(yīng)商的代表)，共同探討塑造移動(dòng)互聯(lián)市場(chǎng)的新技術(shù)、新應(yīng)用、新趨勢(shì)和閃存技術(shù)演進(jìn)。Future Proof Storage 研討會(huì)邀請(qǐng)了移動(dòng)行業(yè)中的十幾位領(lǐng)導(dǎo)者擔(dān)任演講嘉賓
關(guān)鍵字：閃迪智能手機(jī) NAND

終端需求多元化帶動(dòng)NAND Flash市場(chǎng)穩(wěn)健增長(zhǎng)

　　TrendForce旗下內(nèi)存儲(chǔ)存事業(yè)處DRAMeXchange最新調(diào)查顯示，由于智能手機(jī)、平板電腦等移動(dòng)裝置需求穩(wěn)健增長(zhǎng)，固態(tài)硬盤(pán)在筆記本電腦以及服務(wù)器與數(shù)據(jù)中心的需求增加，而物聯(lián)網(wǎng)應(yīng)用也將逐漸導(dǎo)入NANDFlash，2015年NANDFlash整體產(chǎn)業(yè)規(guī)模將提升至266億美元，年增長(zhǎng)9%。　　DRAMeXchange研究協(xié)理?xiàng)钗牡帽硎荆?014年NANDFlash需求位增長(zhǎng)率為36%，在更多元化的產(chǎn)品開(kāi)始導(dǎo)入NANDFlash的挹注下，2015年的需求位增長(zhǎng)率將依舊有35%。市場(chǎng)趨勢(shì)觀(guān)察的重
關(guān)鍵字： NAND Flash 穿戴性裝置

第二季NAND Flash品牌廠(chǎng)商分析與營(yíng)收排行

今年第二季NANDFlash品牌供貨商營(yíng)收達(dá)76.49億美元，季成長(zhǎng)5.6%，隨著智能手機(jī)與平板電腦等進(jìn)入出貨旺季，仍可望提升NANDFlash下半年的市場(chǎng)表現(xiàn)。
關(guān)鍵字： Intel NAND

三星、東芝競(jìng)擴(kuò)產(chǎn)NAND Flash報(bào)價(jià)恐跌三成

　　全球NANDFlash(儲(chǔ)存型快閃記憶體)供給成長(zhǎng)持續(xù)大于需求，預(yù)估NANDFlash今年底報(bào)價(jià)將較去年跌掉三成，且跌勢(shì)恐將一直延續(xù)至2018年。　　市調(diào)機(jī)構(gòu)IHSiSuppli最新報(bào)告預(yù)測(cè)，NANDFlash今年底報(bào)價(jià)將跌至0.49美元每GB，遠(yuǎn)低于去年的0.71美元，預(yù)估2018年將進(jìn)一步跌至0.14美元，其間年復(fù)合成長(zhǎng)率為負(fù)的28%。　　NANDFlash產(chǎn)出過(guò)多是導(dǎo)致價(jià)格崩跌的主因，若以1GB等量單位計(jì)算，IHSiSuppl估計(jì)，2018年NANDFlash產(chǎn)出將自2013年的
關(guān)鍵字：東芝 NAND