nand 閃存 文章 最新資訊
Spansion全新閃存設(shè)備不懼熱力來襲
- 并非所有的嵌入式應(yīng)用都“生而平等”。在設(shè)計者們繼續(xù)尋求途徑改善用戶體驗和性能等方面的過程中，一個必須考慮的重要因素是嵌入式應(yīng)用的運行環(huán)境。從北極地區(qū)冰冷刺骨的戶外天線，到美國德州油氣公司極度炙熱的井下鉆機(jī)，嵌入式應(yīng)用所需支持的環(huán)境千差萬別。嵌入式系統(tǒng)及其組件不僅須支持高溫環(huán)境下功能運作，還必須保持其交流和直流參數(shù)以及其它規(guī)格要求。如果在極端溫度范圍內(nèi)無法滿足所有規(guī)格要求，必須做出得失權(quán)衡，就必須記錄下這一信息，并在設(shè)計過程中進(jìn)行共享。在汽車、消費、工業(yè)、游戲、網(wǎng)絡(luò)或通信應(yīng)用中，
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SanDisk宣布11億美元收購Fusion-io
- 北京時間6月16日晚間消息，SanDisk(102, 3.53, 3.58%) Corp(SNDK)周一宣布，已同意以11億美元現(xiàn)金收購閃存設(shè)備制造商Fusion-io Inc(FIO)。 根據(jù)交易條款，SanDisk將為每股Fusion-io股票支付11.25美元，較該股上周五收盤價溢價21%。 SanDisk預(yù)計此項交易將于其第三財季完成，并將幫助提高其下半財年調(diào)整后每股盈利。 Fusion-io位于美國鹽湖城，主要為數(shù)據(jù)中心生產(chǎn)閃存產(chǎn)品和軟件;Sandisk位于加州
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Marvell推出最新一代SATA SSD控制器，憑借開創(chuàng)性LDPC技術(shù)支持TLC NAND閃存
- 全球整合式芯片解決方案的領(lǐng)導(dǎo)廠商美滿電子科技(Marvell，納斯達(dá)克代碼：MRVL)今日宣布，推出革命性的第五代6Gb/s SATASSD控制器Marvell 88SS1074。這款業(yè)界領(lǐng)先的產(chǎn)品采用了Marvell第三代NANDEdge? 糾錯、低密度奇偶校驗(LDPC)技術(shù)，使消費類及企業(yè)級SSD便于采用15nm TLC NAND閃存。先進(jìn)的Marvell 88SS1074 SATA SSD控制器顯著降低了存儲系統(tǒng)的總體成本，功耗更低，并提供無與倫比的性能。 Marvell公司總裁、聯(lián)合創(chuàng)始人
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TDK推出支持M.2 form factor的SSD SNG4A系列
- 據(jù)悉，TDK株式會社(社長：上釜健宏)將于2014年8月開始銷售工業(yè)用NAND閃存模塊SNG4A系列，該系列產(chǎn)品支持M.2插槽、是尺寸約22mm×42mm的小型SSD，通過采用SLC型NAND閃存使容量陣容可擴(kuò)充至64GByte，并支持串行ATAⅡ。 目前，在消費用途方面M.2作為今后主流的form factor而備受關(guān)注，而在工業(yè)用途方面，預(yù)計M.2的采用也會得到推進(jìn)。工業(yè)用主板所呈現(xiàn)出的趨勢是在重視轉(zhuǎn)發(fā)速度的同時，更加重視可靠性，許多裝置的使用年限都超過了10年。 因此，考
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Spansion 對旺宏電子發(fā)起另外兩項專利訴訟
- 行業(yè)領(lǐng)先的嵌入式市場閃存解決方案創(chuàng)新廠商Spansion 公司(紐約證交所代碼：CODE)于2014年 05 月 08 日宣布對旺宏電子股份有限公司發(fā)起另外兩項專利訴訟，控告其在 NOR Flash 和 XtraROM 等一系列廣泛且不斷擴(kuò)大的存儲產(chǎn)品中，在過往以及當(dāng)前持續(xù)侵犯 Spansion 的諸多專利。Spansion 分別向美國國際貿(mào)易委員會(ITC)與北加利福尼亞州聯(lián)邦地區(qū)法院遞交了起訴書。 涉案的四項專利主要與閃存的制造、結(jié)構(gòu)以及使用相關(guān)。在 2013 年 8 月向 ITC 與北加利
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半導(dǎo)體是電子工業(yè)發(fā)展的基石(下)
- 科研投資 日本資深專業(yè)人士泉谷涉還說：2012年日本國內(nèi)半導(dǎo)體產(chǎn)值約5萬億日元，占GDP的5%，但它對應(yīng)用半導(dǎo)體的服務(wù)業(yè)、硬件業(yè)以及通過IT業(yè)以提高生產(chǎn)力的下游產(chǎn)業(yè)來計算，半導(dǎo)體產(chǎn)生的經(jīng)濟(jì)效益約為100萬億日元 ，兩者之比達(dá)到1：20，如此給力，誰不動心?!但是，半導(dǎo)體業(yè)又一向被稱為“食金蟲”產(chǎn)業(yè)，沒有國家的大力支持，沒有生產(chǎn)設(shè)備和科研經(jīng)費的巨大投入，那是美夢難圓的。 半導(dǎo)體設(shè)備投資也是引導(dǎo)世界經(jīng)濟(jì)增長的要素之一，它每年投資計劃的發(fā)表還常關(guān)聯(lián)到生產(chǎn)設(shè)備、材料公司的股
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美光在上海加大研發(fā)，實現(xiàn)“中國設(shè)計”
- 2014上海慕尼黑電子展期間，美光科技公司嵌入式業(yè)務(wù)部門營銷高級總監(jiān)Amit?Gattani告訴《電子產(chǎn)品世界》，美光看好中國的前景，因為中國“十二五”計劃當(dāng)中明確提出要建立智慧城市、智慧交通、節(jié)能環(huán)保，實現(xiàn)可持續(xù)發(fā)展，注重汽車產(chǎn)業(yè)的節(jié)能排放以及創(chuàng)新，這一切都和美光公司的戰(zhàn)略相吻合。 目前美光在上海有兩個設(shè)計中心，主要是做硬件和集成電路設(shè)計，比如開發(fā)NOR閃存等產(chǎn)品，分別在浦東和漕河涇。還有2012年剛剛建成的美光公司系統(tǒng)工程實驗室，旨在與客戶實現(xiàn)更好的合作，創(chuàng)新開發(fā)各種解決方案。此外美光
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LSI Nytro新品支持橫向擴(kuò)展
- 全新Nytro產(chǎn)品閃存容量翻番，端口增加4倍，適用于大型數(shù)據(jù)中心。企業(yè)級PCIe閃存和緩存解決方案在數(shù)據(jù)中心的應(yīng)用快速增長。 LSI公司日前宣布推出Nytro?MegaRAID??8140-8e8i閃存卡，進(jìn)一步擴(kuò)展了Nytro?產(chǎn)品組合。該閃存卡設(shè)計用于對磁盤數(shù)量和容量有較高要求的橫向擴(kuò)展服務(wù)器和存儲環(huán)境，其可提供1.6TB的板載閃存容量和16個SAS/SATA連接接口。相對于現(xiàn)有的Nytro?MegaRAID閃存卡而言閃存容量翻番，端口數(shù)增加4倍。 LSI?&nb
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英特爾固態(tài)盤：不斷創(chuàng)新滿足用戶需求
- 在今天開幕的英特爾信息技術(shù)峰會(Intel?Developer?Forum，IDF14)上，英特爾公司副總裁兼非易失存儲器解決方案事業(yè)部總經(jīng)理Rob?Crooke就當(dāng)今固態(tài)盤(SSD)的市場狀況、發(fā)展趨勢以及英特爾固態(tài)盤業(yè)務(wù)的策略進(jìn)行了全面剖析。 日益增長的固態(tài)盤市場需求 從1987年至今，非易失性存儲器也早已從NOR時代切換到了NAND時代，閃存產(chǎn)品的容量更是從MB時代進(jìn)入了TB時代。“首先，我們很高興地看到，固態(tài)盤在市場需求方面，將保持高速成長的勢頭，”?
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半導(dǎo)體是電子工業(yè)發(fā)展的基石(上)
- 智慧之石 作為電子工業(yè)發(fā)展基礎(chǔ)的電子器件，已經(jīng)歷了三個巨大變革時代：1.?電子管時代――1905～1947(42年);2.?晶體管時代――1947～1958(11年);3.?集成電路時代――1958～…(到2014年已有56年)。 電子管的發(fā)明拉開了電子時代的序幕，為當(dāng)時蓬勃發(fā)展的無線電報事業(yè)提供了核心器件，在它存在的40多年的時間里，推動了收音機(jī)、電視機(jī)、雷達(dá)、計算機(jī)的發(fā)明和應(yīng)用。美國是電子工業(yè)發(fā)展的代表，1920年即開始廣播，也是30年代最早開始電視廣播的國家之一
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RL78代碼閃存自編程期間響應(yīng)外圍中斷的方法
- RL78產(chǎn)品的閃存，分為數(shù)據(jù)閃存區(qū)和代碼閃存區(qū)。數(shù)據(jù)閃存區(qū)用于存儲數(shù)據(jù)，而代碼閃存區(qū)用于用戶代碼及數(shù)據(jù)的存儲。對于無內(nèi)置數(shù)據(jù)閃存區(qū)的產(chǎn)品，使用代碼閃存區(qū)存儲數(shù)據(jù)，通常是成本導(dǎo)向的最佳方案。本文中作為示例的RL78/I13，是一款具有內(nèi)置數(shù)據(jù)閃存區(qū)的產(chǎn)品，但是它的代碼閃存區(qū)也可兼作數(shù)據(jù)閃存區(qū)。
- 關(guān)鍵字： 閃存 編程 RL78
瑞薩電子研發(fā)出業(yè)內(nèi)首創(chuàng)的28nm微控制器的嵌入式閃存工藝
- 全球領(lǐng)先的半導(dǎo)體及解決方案供應(yīng)商瑞薩電子株式會社日前宣布其已研發(fā)出業(yè)內(nèi)首項應(yīng)用于28?nm制程工藝的微控制器(MCU)的28納米(nm)閃存知識產(chǎn)權(quán)(IP)。 現(xiàn)代發(fā)動機(jī)油耗不斷降低，要求新型控制機(jī)制能夠?qū)?yīng)新式燃燒方法的引入以及小型化所帶來的進(jìn)一步系統(tǒng)升級。高速實時處理，例如根據(jù)對多個傳感器的反饋而產(chǎn)生的載荷變化在多種控制算法之間進(jìn)行動態(tài)切換將成為必備功能，車用MCU中將需要具備當(dāng)前性能的三到五倍的性能。此外，隨著ECU數(shù)目的不斷增多，如果我們考慮電源方面的限制，比如汽車臨時停車時關(guān)掉發(fā)
- 關(guān)鍵字： 瑞薩 MCU 28nm 閃存
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歡迎您創(chuàng)建該詞條，闡述對nand 閃存的理解，并與今后在此搜索nand 閃存的朋友們分享。 創(chuàng)建詞條
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