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nand 閃存 文章 最新資訊

2013年第四季NAND品牌供應(yīng)商營(yíng)收下滑4.5%

  • 　　全球市場(chǎng)研究機(jī)構(gòu)TrendForce 旗下記憶體儲(chǔ)存事業(yè)處DRAMeXchange 表示，在NAND Flash業(yè)者原先對(duì)于 2013年第四季終端裝置出貨過(guò)于樂(lè)觀，導(dǎo)致產(chǎn)出成長(zhǎng)高于后續(xù)實(shí)際需求而讓市況呈現(xiàn)供過(guò)于求，以及SK海力士(Hynix)火災(zāi)影響 NAND 產(chǎn)能調(diào)配等因素下，2013年第四季 NAND Flash 品牌供應(yīng)商營(yíng)收較第三季下滑4.5%，來(lái)到61億6,800萬(wàn)美元。 　　2013年全年整體市況與供需產(chǎn)銷較2012年改善不少，因此第四季營(yíng)收較 2012年同期增加16%;DRAMeXch
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Spansion公司推出突破性接口和世界上最快的NOR閃存

  • 全球行業(yè)領(lǐng)先的嵌入式市場(chǎng)閃存解決方案創(chuàng)新廠商Spansion 公司日前宣布推出突破性的 Spansion? HyperBus? 接口，它能極大地提高讀取性能并減少引腳數(shù)量和空間。主要的片上系統(tǒng)(SoC)制造商都正在廣泛部署Spansion HyperBus接口。
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LSI加盟OCP并貢獻(xiàn)多款設(shè)計(jì)

  • LSI公司(NASDAQ：LSI)日前宣布加盟開(kāi)放計(jì)算項(xiàng)目(OCP)，并且正在為OCP全球社區(qū)貢獻(xiàn)兩款存儲(chǔ)基礎(chǔ)架構(gòu)參考設(shè)計(jì)。
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Spansion與旺宏電子訴訟的真相

  • 很多人可能都很好奇：接下來(lái)Spansion與旺宏的訴訟之戰(zhàn)將何去何從。對(duì)于旺宏來(lái)說(shuō)，訴訟帶來(lái)的公關(guān)效應(yīng)反倒比其索賠聲明更有實(shí)際影響。實(shí)際上，旺宏的主張對(duì)我們毫無(wú)威脅
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甲骨文新一代Exadata X4采用LSI 最新閃存技術(shù)

  • LSI公司 (NASDAQ: LSI)日前宣布LSI Nytro?閃存加速卡已被甲骨文選作PCIe?閃存加速技術(shù)，用于其新一代數(shù)據(jù)庫(kù)一體機(jī)Exadata X4系統(tǒng)中。此外，LSI與甲骨文通力協(xié)作，為Exadata客戶帶了一款最新LSI Nytro技術(shù)——Dynamic Logical Capacity (DLC)。
  • 關(guān)鍵字： LSI  Nytro  Exadata  閃存  

布局存儲(chǔ)器封測(cè) 臺(tái)廠競(jìng)爭(zhēng)卡位

  • 　　存儲(chǔ)器大廠美光擴(kuò)大委外封裝合作，東芝新廠可望今年量產(chǎn)。日月光、力成、南茂、華東等臺(tái)廠積極布局，今年存儲(chǔ)器封測(cè)競(jìng)爭(zhēng)卡位，勢(shì)必激烈。 　　展望今年，國(guó)際存儲(chǔ)器大廠集中資源開(kāi)發(fā)前端制程，包括動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(DRAM)和快閃存儲(chǔ)器(Flash)后段封測(cè)可能擴(kuò)大委外，封測(cè)臺(tái)廠考量自身發(fā)展，積極與國(guó)際大廠洽商合作。 　　美光(Micron)去年以20億美元買下日本存儲(chǔ)器大廠爾必達(dá)(Elpida)，提高美光全球DRAM市占率約1倍。 　　為進(jìn)一步集成DRAM封測(cè)業(yè)務(wù)，去年下半年美光著手洽商DRAM后段封測(cè)
  • 關(guān)鍵字： 存儲(chǔ)器  NAND  

武漢新芯：定位存儲(chǔ)器制造，兩年后或推3D NAND

  • 武漢新芯集成電路制造公司(XMC)2006成立，2012年底起獨(dú)立經(jīng)營(yíng)，是國(guó)有制企業(yè)。為了區(qū)別于本土的制造巨頭SMIC(中芯國(guó)際)和華力微電子(HLMC)等，XMC將立足存儲(chǔ)器制造。近日，武漢新芯董事長(zhǎng)王繼增告訴筆者。
  • 關(guān)鍵字： XMC  存儲(chǔ)器  NOR  NAND  201401  

ARM11 S3C6410系列教程之四：NANDflash操作

  • 在本章開(kāi)始之前，我們先來(lái)看下ARM11S3C6410內(nèi)部結(jié)構(gòu)：
  • 關(guān)鍵字： ARM11  DDR  NAND  flash  寄存器  

武漢新芯：已建成IP體系，欲以存儲(chǔ)器為特色

  • 武漢新芯集成電路制造公司(XMC)是地方政府投資的半導(dǎo)體企業(yè)，2006年由湖北省、武漢市、武漢市東湖高新區(qū)投資，并由東湖高新區(qū)管理的全資國(guó)有企業(yè)，前幾年委托SMIC(中芯國(guó)際)經(jīng)營(yíng)管理，從2012年底起獨(dú)立經(jīng)營(yíng)。
  • 關(guān)鍵字： XMC  存儲(chǔ)器  NAND  

東芝推出采用19納米第二代工藝技術(shù)的新型嵌入式NAND閃存模塊

  • 東京—東芝公司(TOKYO：6502)日前宣布推出新型嵌入式NAND閃存模塊(e·MMC)，該模塊整合了采用19納米第二代工藝技術(shù)制造的NAND芯片。同時(shí)該模塊符合最新的e·MMC?[1]標(biāo)準(zhǔn)，旨在應(yīng)用于智能手機(jī)、平板電腦和數(shù)字?jǐn)z像機(jī)等廣泛的數(shù)字消費(fèi)品。批量生產(chǎn)將從11月底開(kāi)始。
  • 關(guān)鍵字： 東芝  嵌入式  NAND  

基于NAND Flash的大容量立體封裝芯片在嵌入式系統(tǒng)中的應(yīng)用

  • 摘要: NAND Flash應(yīng)用的困難在于管理和需要特殊的系統(tǒng)接口。本文介紹了一種利用MCU存儲(chǔ)器管理接口結(jié)合I/O口來(lái)實(shí)現(xiàn)NAND Flash存儲(chǔ)結(jié)構(gòu)的搭建和管理的方法，并介紹底層的驅(qū)動(dòng)程序。
  • 關(guān)鍵字： Flash  嵌入式  MCU  存儲(chǔ)器  NAND  寄存器  201312  

全新LSI SandForce SSD控制器推高閃存性能

  • 　　客戶端性能超過(guò)1.8GB/s，支持PCIe及SATA雙接口，針對(duì)客戶端、企業(yè)與超大規(guī)模環(huán)境優(yōu)化 　　2013年11月25日，北京–LSI公司(NASDAQ:LSI)日前宣布市場(chǎng)領(lǐng)先的SandForce?閃存控制器產(chǎn)品系列推出第三代。這項(xiàng)業(yè)界最廣泛部署的閃存管理技術(shù)適用于驅(qū)動(dòng)PCIe?及SATA固態(tài)硬盤(SSD)以及閃存卡解決方案。最新LSI?SandForceSF3700閃存控制器系列旨在支持低功耗客戶端計(jì)算應(yīng)用、I/O密集型企業(yè)以及超大規(guī)模環(huán)境，可提供更高水平的
  • 關(guān)鍵字： 閃存  SSD  控制器  

Marvell擴(kuò)大固態(tài)硬盤控制器在全球領(lǐng)先OEM中的市場(chǎng)份額

  • 全球整合式芯片解決方案的領(lǐng)導(dǎo)廠商美滿電子科技(Marvell，納斯達(dá)克代碼：MRVL)日前宣布，其完備的整合式芯片與軟件定義解決方案組合將繼續(xù)加速實(shí)現(xiàn)全球消費(fèi)者和企業(yè)的“美滿互聯(lián)生活(Connected Lifestyle)”。當(dāng)前，Marvell擁有豐富的端到端存儲(chǔ)、網(wǎng)絡(luò)、計(jì)算、移動(dòng)和聯(lián)網(wǎng)解決方案，在行業(yè)中占據(jù)著獨(dú)一無(wú)二的領(lǐng)導(dǎo)地位。
  • 關(guān)鍵字： Marvell  固態(tài)硬盤  NAND  

可管理NAND：適用于移動(dòng)設(shè)備的嵌入式大容量存儲(chǔ)

  • 與多年前相比，現(xiàn)在的移動(dòng)消費(fèi)電子裝置結(jié)構(gòu)復(fù)雜，功能豐富，能夠存儲(chǔ)大量音樂(lè)、照片和視頻內(nèi)容。讓人欣慰的是，存儲(chǔ)...
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10月快閃存儲(chǔ)器NAND供過(guò)于求 合約價(jià)看漲

  • 　　市調(diào)機(jī)構(gòu)集邦科技預(yù)期，第4季儲(chǔ)存型快閃存儲(chǔ)器(NANDFlash)供過(guò)于求情況可望趨緩，10月合約價(jià)看漲。 　　集邦科技表示，海力士(Hynix)中國(guó)大陸無(wú)錫廠發(fā)生火災(zāi)意外，不僅帶動(dòng)動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(DRAM)價(jià)格飆漲，同時(shí)激勵(lì)9月NANDFlash合約價(jià)上漲3%至6%。 　　集邦科技指出，盡管NANDFlash市場(chǎng)銷售并無(wú)好轉(zhuǎn)跡象，不過(guò)，海力士無(wú)錫廠復(fù)工情況依然混沌不明，NANDFlash供給將連帶受到影響，預(yù)期第4季NANDFlash市場(chǎng)供過(guò)于求情況可望趨緩。 　　集邦預(yù)期，近期1至2個(gè)月
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nand 閃存介紹

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