據日媒報道，12月20日，日本東芝公司正式退市，結束其作為一家上市公司74年的歷史。今年8月起，以日本國內基金“日本產業合作伙伴”（JIP）為主的財團正式開始向東芝發起總額約2萬億日元的要約收購。東芝在官網發布的文件中稱，該財團將從普通股東收購剩余股份，將東芝收購為全資子公司。公開資料顯示，東芝創立于1875年，距今已有140多年的歷史。東芝是日本制造業的代表之一，在家電、電氣、能源、基建等領域都有巨大影響力。此外，東芝還是日本最大的半導體制造商，曾發明NAND閃存芯片。
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東芝 家電 NAND 閃存 退市
IT之家 12 月 5 日消息，根據市場調查機構集邦咨詢公布的最新報告，2023 年第 3 季度全球 DRAM 產業規模合計營收 134.8 億美元，環比增長 18.0%。集邦咨詢表示由于下半年需求緩步回溫，買方重啟備貨動能，讓各原廠營收皆有所增長。展望今年第 4 季度，供給方面，原廠漲價態度明確，預估第四季 DRAM 合約價上漲約 13~18%；需求方面的回溫程度則不如過往旺季，整體而言，DRAM 行業出貨增長幅度有限。三家主流廠商情況細分到各家品牌，三大原廠營收皆有所成長
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DRAM 閃存
11 月 30 日消息，據外媒報道，從去年下半年開始，受消費電子產品需求下滑影響，全球存儲芯片的需求也明顯下滑，三星電子、SK 海力士等主要廠商都受到了影響。但在削減產量、人工智能領域相關需求增加的推動下，DRAM 這一類存儲產品的價格已在回升，銷售額環比也在增加。研究機構最新的數據就顯示，在今年三季度，全球 DRAM 的銷售額達到了 132.4 億美元，環比增長 19.2%，在一季度的 93.7 億美元之后，已連續兩個季度環比增長。全球 DRAM 的銷售額在三季度明顯增長，也就意味著主要廠商的銷售額，環
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DRAM 閃存 三星 海力士
IT之家?11 月 24 日消息，由于廠商減產的效果逐漸顯現，以及特定應用市場的持續強勁需求，DRAM 和 NAND 閃存價格在 2023 年第 4 季度呈現全面上漲，并有望持續到明年第 1 季度。集邦咨詢分析預估，2023 年第 4 季度移動 DRAM 合約價格預計上漲 13-18%，而 eMMC 和 UFS NAND Flash 合約預計上漲約 10-15%，上漲趨勢會持續到 2024 年第 1 季度。移動 DRAM：根據國外科技媒體 WccFtech 報道，2024 年手機的一個明顯變化是
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在寫字樓、工廠車間和汽車中，軟件正逐步取代機械部件和固定電路。例如，使用智能鎖取代機械鎖后，用戶可以通過手機應用程序對智能鎖進行控制，同時制造商可通過軟件更新、改進或校正智能鎖的功能。在這種趨勢下，人們對存儲器的要求不斷提高，這一挑戰不容忽視。在常嵌入閃存存儲器的微控制器 (MCU) 中，存儲器的容量也在快速增加。除了宏觀趨勢外，MCU 中的一些特定發展趨勢（包括更高的計算帶寬、功能集成以及包含額外的大型通信棧）也決定了需要更大容量的閃存。當出現無線更新的需求時，由于原始圖像和備份圖像都需要存儲，上述的這
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11月22日消息，據TrendForce最新報告，2022年全球SSD出貨量為1.14億塊，同比下降10.7%。報告中指出，2021年上半年受到主控IC短缺的影響，SSD出貨量不高；但在2022年下半年供應情況已經極大緩解，渠道SSD市場恢復正常供需狀態。隨著個人電腦和計算機硬件市場的萎縮，固態硬盤的需求依然疲軟，而更多的用戶也是買漲不買跌（便宜了還能更便宜，便宜反而買單的人銳減）。TrendForce稱，由于NAND閃存供應商積極減產，導致整個行業價格上漲，市場情緒在2022年第三季度末"迅速
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SSD 固態硬盤 閃存 NAND
兆易創新GigaDevice宣布，搭載了兆易創新GD25F128F車規級SPI NOR Flash的明然科技國產化主動懸架控制器（CDC）出貨量已超數萬臺，并在奇瑞瑞虎9和星途瑤光等車型上量產。在汽車底盤懸架系統等安全性要求較高的場景中穩定運行，標志著兆易創新車規級SPI NOR Flash的可靠性得到進一步驗證。懸架是車架（或車身）與車轎（或車輪）之間的傳力連接裝置，分為傳統被動式、半主動式和主動式三類，而主動式懸架系統能根據車輛的運動狀態和路面情況自適應調節減振器阻尼力，使其更好地適用于當前路段，懸架
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兆易創新 懸架控制器 SPI NOR Flash
在本次展會上，東芯半導體也來到了EEPW的直播間。東芯半導體股份有限公司成立于2014年，作為Fabless芯片企業，東芯半導體擁有獨立自主的知識產權，聚焦于中小容量NAND/NOR/DRAM芯片的研發、設計和銷售，是目前國內少數可以同時提供NAND/NOR/DRAM設計工藝和產品方案的存儲芯片研發設計公司。2022年EEPW曾有幸采訪過東芯半導體副總經理陳總，這次在2023年慕尼黑華南電子展上，陳總向我們介紹了東芯半導體這次在展會上帶來了全線的產品，包括了NAND/NOR/DRAM。目前東芯在NAND
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東芯半導體 NAND NOR DRAM 存儲
近日，據媒體報道，三星電子存儲業務主管李政培稱，三星已生產出基于其第九代V-NAND閃存產品的產品，希望明年初可以實現量產。三星正在通過增加堆疊層數、同時降低高度來實現半導體行業最小的單元尺寸。目前，存儲產業處于緩速復蘇階段，大廠們正在追求存儲先進技術的研發。從當前進度來看，NAND Flash的堆疊競賽已經突破200層大關：SK海力士已至321層，美光232層，三星則計劃2024年推出第九代3D NAND（有望達到280層）。據悉，三星將于2025-2026年推出第十代3D NAND(有望達到430層）
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三星 第九代 V-NAND 閃存
IT之家 10 月 10 日消息，閃存市場固然存在全球經濟下行、高通脹等諸多因素影響，依然處于充滿挑戰的時期，但美光、三星等 DRAM 巨頭正積極備戰 1γ DRAM 技術。圖源：SK 海力士DRAM目前全球最先進的 DRAM 工藝發展到了第五代，美光將其稱為 1β DRAM，而三星將其稱為 1b DRAM。美光于去年 10 月開始量產 1β DRAM，不過研發的目標是在 2025 年量產 1γ DRAM，這將標志著美光首次涉足極紫外 (EUV) 光刻技術。而三星計劃 2023 年邁入 1b D
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DRAM 閃存
近日，存儲器芯片供應商普冉股份披露投資者關系活動記錄表。關于NOR Flash行業庫存情況，普冉股份表示，NOR
Flash終端客戶的原廠庫存以及渠道庫存已經幾近健康，設計原廠的庫存調整也逐步接近尾聲。接下來一段時間，各廠商依然會采取適當的降價策略去化庫存。但隨著行業庫存逐步健康，行業格局逐步出清，預計下半年會持續向好，價格也會逐步回歸平穩態勢，公司將密切關注后續市場走勢。普冉股份強調，公司將積極地進行戰略盤整，持續調整以應對市場的迅速變化。面對激烈的行業競爭格局，機遇與挑戰并存，公司會充分發揮公司的
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邏輯門基本上由三個基本邏輯門組成，分別稱為 NOT、AND 和 OR 門。所有邏輯門都有各自相同的邏輯功能。通過這些邏輯門的組合，我們可以得到任何布爾或邏輯函數或邏輯功能。基本邏輯門的真值表：在了解轉換之前，我們首先需要了解每個邏輯門的工作原理。1. NOT 邏輯門：這是最簡單的數字邏輯電路類型。這些門是一個兩端設備，一個是輸入端，另一個是輸出端，NOT 門的輸入只能是二進制數，即可以是 0，也可以是 1。NOR 邏輯門的輸出總是與輸入相反，也就是說，如果我們在輸入端輸入邏輯 1，那么輸出端將是邏輯 0，
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NOR 邏輯門
據媒體報道，三星作為全球最大的NAND閃存供應商，為了提高新一代NAND閃存的競爭力，將在2024年升級其NAND核心設備供應鏈，各大NAND生產基地都在積極進行設備運行測試。?三星平澤P1工廠未來大部分產線將從第6代V-NAND改為生產更先進的第8代V-NAND，同時正在將日本東京電子（TEL）的最新設備引入其位于平澤P3的NAND生產線，此次采購的TEL設備是用于整個半導體工藝的蝕刻設備。三星的半導體產品庫存在今年上半年都有一定程度的增加，在上半年結束時，三星旗下設備解決方案部門的庫存已增至
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這兩年，DRAM內存芯片、NAND閃存芯片都需求疲軟，導致價格持續處于地位，內存、SSD硬盤產品也越來越便宜。不過，這種好日子似乎要結束了。根據集邦咨詢最新研究報告，預計在2024年，內存、閃存原廠仍然會延續減產策略，尤其是虧損嚴重的閃存，但與此同時，至少在2024年上半年，消費電子市場需求仍不明朗，服務器需求相對疲弱。由于內存、閃存市場在2023年已經處于低谷，價格也來到相對低點，因此 預計在2024年，內存、閃存芯片的市場需求將分別大漲13.0％、16.0％，相比今年高出大約6.5個、5.0
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內存 閃存
近日，三星電子宣布計劃在明年生產第 9 代 V-NAND 閃存，據爆料，這款閃存將采用雙層堆棧架構，并超過 300 層。同樣在 8 月，SK 海力士表示將進一步完善 321 層 NAND 閃存，并計劃于 2025 年上半期開始量產。早在 5 月份，據歐洲電子新聞網報道，西部數據和鎧俠這兩家公司的工程師正在尋求實現 8 平面 3D NAND 設備以及超過 300 字線的 3D NAND IC。3D NAND 終究還是卷到了 300 層……層數「爭霸賽」眾所周知，固態硬盤的數據傳輸速度雖然很快，但售價和容量還
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