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nor 閃存 文章 最新資訊

應對降價:三星大幅減產西安工廠NAND閃存!

  • 1月13日消息,據媒體報道,三星電子已決定大幅減少其位于中國西安工廠的NAND閃存生產,以此應對全球NAND供應過剩導致的價格下跌,確保公司的收入和利潤。DRAMeXchange的數據顯示,截至2024年10月底,用于存儲卡和U盤的通用NAND閃存產品的價格較9月下降了29.18%。據行業消息,三星電子已將其西安工廠的晶圓投入量減少超過10%,每月平均產量預計將從20萬片減少至約17萬片。此外,三星韓國華城的12號和17號生產線也將調整其供應,導致整體產能降低。三星在2023年曾實施過類似的減產措施,當時
  • 關鍵字: 三星  NAND  閃存  存儲卡  U盤  晶圓  SK海力士  鎧俠  西部數據  美光  長江存儲  

兆易創新GD25/55全系列車規級SPI NOR Flash榮獲ISO 26262 ASIL D功能安全認證證書

  • 業界領先的半導體器件供應商兆易創新GigaDevice近日宣布,旗下GD25/55全系列車規級SPI NOR Flash獲得由國際公認的測試、檢驗和認證機構SGS授予的ISO 26262:2018 ASIL D汽車功能安全認證證書。這一成就不僅有力印證了GD25/55全系列車規級SPI NOR Flash在嚴苛汽車應用場景中的卓越安全性能和可靠性,也進一步鞏固了公司在SPI NOR Flash領域的領導地位。隨著汽車電子電氣組件數量的指數級增長,其安全性需求日益凸顯。ISO 26262作為國際權威汽車功能
  • 關鍵字: 兆易創新  SPI NOR Flash  

TrendForce:預計 Q4 NAND Flash 合約價將下調 3% 至 8%

  • IT之家?10 月 15 日消息,根據 TrendForce 集邦咨詢最新調查,NAND Flash 產品受 2024 年下半年旺季不旺影響,wafer 合約價于第三季率先下跌,預期第四季跌幅將擴大至 10% 以上。IT之家注意到,模組產品部分,除了 Enterprise SSD 因訂單動能支撐,有望于第四季小漲 0% 至 5%;PC SSD 及 UFS 因買家的終端產品銷售不如預期,采購策略更加保守。TrendForce 預估,第四季 NAND Flash 產品整體合約價將出現季減 3% 至
  • 關鍵字: NAND 閃存  存儲  市場分析  

第八代BiCS FLASH厲害在哪里?

  • 第八代BiCS FLASH已然投入量產,意味著基于BiCS FLASH的產品也將得到新一輪升級。全新的BiCS FLASH無論在存儲密度、性能都有了顯著提升,特別是2Tb QLC NAND是當下業界內最大容量的存儲器。為了讓第八代BiCS FLASH突破存儲限制,鎧俠通過專有工藝和創新架構,實現了存儲芯片的縱向和橫向縮放平衡,所開發的CBA(CMOS directly Bonded to Array,外圍電路直接鍵合到存儲陣列)和3.6Gbps接口速度,給AI應用、數據中心、移動設備提供了更多潛在可能。技
  • 關鍵字: BiCS FLASH  閃存  flash  鎧俠  

閃存大廠鎧俠IPO又進一步

  • 近日,媒體報道鎧俠已申請于今年10月在東京交易所進行IPO。鎧俠預計籌資規模將達到5億美元,如若IPO順利進行,那么其有望成為2024年日本最大規模的IPO。知情人士透露,鎧俠可能在接下來的幾周內啟動其IPO流程,至于IPO的具體細節仍在討論之中,可能會根據市場環境的變化而有所調整。該公司的估值預計將超過1.5萬億日元(合103億美元)。資料顯示,鎧俠于2018年6月從日本東芝集團獨立出來,2020年鎧俠獲準在東京證券交易所上市,不過后來該公司以市場前景不明朗為由推遲上市。
  • 關鍵字: 閃存  鎧俠  IPO  

消息稱三星電子確認平澤 P4 工廠 1c nm DRAM 內存產線投資,目標明年 6 月投運

  • IT之家 8 月 12 日消息,韓媒 ETNews 報道稱,三星電子內部已確認在平澤 P4 工廠建設 1c nm DRAM 內存產線的投資計劃,該產線目標明年 6 月投入運營。平澤 P4 是一座綜合性半導體生產中心,分為四期。在早前規劃中,一期為 NAND 閃存,二期為邏輯代工,三期、四期為 DRAM 內存。三星已在 P4 一期導入 DRAM 生產設備,但擱置了二期建設。而 1c nm DRAM 是第六代 20~10 nm 級內存工藝,各家的 1c nm(或對應的 1γ nm)產品目前均尚未正式
  • 關鍵字: NAND  閃存  三星電子  

為 1000 層 NAND 閃存制造鋪平道路,泛林推出新一代低溫介質蝕刻技術 Lam Cyro 3.0

  • IT之家 8 月 1 日消息,泛林集團 Lam Research 當地時間昨日宣布推出面向 3D NAND 閃存制造的第三代低溫介質蝕刻技術 Lam Cyro 3.0。泛林集團全球產品部高級副總裁 Sesha Varadarajan 表示:Lam Cryo 3.0 為(我們的)客戶實現 1000 層 3D NAND 鋪平了道路。泛林低溫蝕刻已被用于 500 萬片晶圓的生產,而我們的最新技術是 3D NAND 生產領域的一項突破。它能以埃米級精度創建高深寬比(IT之家注:High Aspect R
  • 關鍵字: NAND  閃存  泛林集團  

通用 DRAM 內存仍供大于求,消息稱三星、SK 海力士相關產線開工率維持 80~90%

  • IT之家 6 月 19 日消息,韓媒 ETNews 援引業內人士的話稱,韓國兩大存儲巨頭三星電子和 SK 海力士目前的通用 DRAM 內存產能利用率維持在 80~90% 水平。韓媒宣稱,這一情況同主要企業已實現生產正常化的 NAND 閃存產業形成鮮明對比:除鎧俠外,三星電子和 SK 海力士也已于本季度實現 NAND 產線滿負荷運行。報道指出,目前通用 DRAM (IT之家注:即常規 DDR、LPDDR)需求整體萎靡,市場仍呈現供大于求的局面,是下游傳統服務器、智能手機和 PC 產業復蘇緩慢導致的
  • 關鍵字: DRAM  閃存  三星  海力士  

Omdia:2027 年 QLC 市場規模將占整體 NAND 閃存 46.4%,為去年 3.6 倍

  • IT之家 6 月 14 日消息,韓媒 Sedaily 轉述市場分析機構 Omdia 的話稱,2027 年 QLC 市場規模將占到整體 NAND 閃存的 46.4%,僅略低于 TLC 的 51%。作為對比,Omdia 認為 2023 年 QLC 閃存市場份額占比僅有 12.9%,今年這一比例將大幅增至 20.7%。換句話說,未來三年 QLC 在 NAND 市場整體中的占比將在今年的基礎上繼續提升 1.24 倍,達 2023 年的 3.6 倍。在 2023 年及以前,QLC 的市場滲透主要
  • 關鍵字: QLC  NAND 閃存  

美光:預計臺灣地區地震對本季度 DRAM 內存供應造成中等個位數百分比影響

  • IT之家 4 月 12 日消息,美光于 10 日向美國證券交易委員會 SEC 遞交 8-K 重大事項公告,預計本月初的臺灣地區地震對其二季度 DRAM 內存供應造成“中等個位數百分比”的影響。美光在臺灣地區設有桃園和臺中兩座生產據點。根據 TrendForce 集邦咨詢此前報告,地震導致當時桃園產線上超六成的晶圓報廢。美光在公告中表示美光全體員工安然無恙,設施、基建和生產工具未遭受永久性損害,長期 DRAM 內存供應能力也沒有遇到影響。直至公告發稿時,美光尚未在震后全面恢復 DRAM 生產,但得
  • 關鍵字: DRAM  閃存  美光  

毫米波傳感器支持的閃存型號

2023Q4 NAND 閃存行業產值環比增長 24.5%:三星增長 44.8% 居首位

  • IT之家 3 月 6 日消息,集邦咨詢近日發布市場研究報告,表示 2023 年第 4 季度 NAND 閃存產值 114.9 億美元,環比增長 24.5%,2024 年第 1 季度 NAND 產值將繼續保持上漲,預估環比會繼續增長兩成。三星第四季營收以三星(Samsung)增長幅度最高,主要是服務器、筆記本電腦與智能手機需求均大幅增長。三星該季度出貨量環比增加 35%,平均銷售價格環比增加 12%,帶動營收上升至 42 億美元,環比增加 44.8%。SK 集團SK 集團(SK Group)受惠于價
  • 關鍵字: NAND 閃存  存儲  市場分析  

西部數據發布公告:今年年底前完成閃存和硬盤業務分拆

  • IT之家 3 月 6 日消息,西部數據近日發布公告,宣布分拆硬盤和閃存業務上取得了重大進展,并會按期在 2024 年年底前完成分拆,并公布了分拆之后亮相業務的主要負責人。圖源:西部數據IT之家于 2023 年 10 月報道,西部數據由于鎧俠合并未果,宣布分拆為兩家獨立上市公司,專注于硬盤和閃存市場。西部數據表示分拆兩項業務,能更好地執行創新技術和產品開發,利用獨特的增長機會,擴大各自的市場領導地位,并通過不同的資本結構更有效地運營。西部數據在新聞稿中表示,本次拆分已取得重大進展,包括全球法律實體
  • 關鍵字: 西部數據  硬盤  閃存  

閃存芯片將掀起新一輪漲價潮

  • 2023 下半年,以 DRAM 和 NAND Flash 為代表的存儲器報價逐步止跌回升。近期,NOR Flash 也呈現出明顯的回暖態勢,供應鏈人士透露,2024 年 1 月,預計 NOR Flash 價格將上漲 5%,并保持上漲態勢,到第二季度,漲幅將達到 10%。過去幾年,隨著整個半導體市場的變化,NOR Flash 的供需和價格也是起起落落。2018 年,NOR Flash 市場需求較為疲軟,而供貨商的產能卻在持續提升,導致當年的價格進入下行周期。經過一年的低迷期后,NOR Flash 價格在 2
  • 關鍵字: NOR Flash  

NAND Flash和NOR Flash的異同

  • NAND Flash和NOR Flash是兩種常見的閃存類型NOR Flash是Intel于1988年首先開發出來的存儲技術,改變了原先由EPROM和EEPROM一統天下的局面;NAND Flash是東芝公司于1989年發布的存儲結構,強調降低每比特的成本,更高的性能,并且像磁盤一樣可以通過接口輕松升級。NAND=NOT AND(與非門) &?NOR=NOT OR(或非門)相同點· 兩者都是非易失性存儲器,可以在斷電后保持存儲的數據。· 兩者都可以進行擦寫和再編程。· 兩者在寫之前都要先
  • 關鍵字: NAN  Flash  NOR  存儲結構  
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