10月8日，復旦大學集成電路與微納電子創新學院周鵬、劉春森團隊在《自然》（Nature）期刊上發表題為《全功能二維-硅基混合架構閃存芯片》（A full-featured 2D flash chip enabled by system integration）論文，率先研發出全球首顆二維-硅基混合架構閃存芯片。復旦大學集成電路與微納電子創新學院、集成芯片與系統全國重點實驗室研究員劉春森和教授周鵬為論文通訊作者，劉春森研究員和博士生江勇波、沈伯僉、袁晟超、曹振遠為論文第一作者。今年4月，周鵬、劉春森團隊研發
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根據SEMI和SEAJ的數據，2025年第二季度全球半導體制造設備支出總計330.7億美元，2025年第二季度的支出較2024年第二季度增長23%。其中，中國大陸的支出最高，為113.6億美元，占總支出的34%。值得注意的是，中國大陸2025年第二季度的支出較2024年第二季度下降了7%。10月7日，美國眾議院“中美戰略競爭特別委員會”兩黨議員在經過數月的調查之后發現，包括荷蘭的阿斯麥（ASML）、日本的東京電子（TEL）以及美國的應用材料公司（Applied Materials）、科磊（KLA）和泛林集
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終端需求低迷，影響編碼型閃存（NOR Flash）價格一度積弱不振，不過近期業界驚傳，中國市場NOR Flash率先從第3季起，調漲報價5~10%，盡管市場仍處于買賣拉扯，但受到近期原材料以及封測成本雙重提高，業界預期，隨著近期市場漲價風聲蠢蠢欲動，NOR Flash價格將從第4季在各區域市場全面反映報價調漲， 單季漲幅將達雙位數百分比。相較于DRAM市場價格近來明顯走揚，不僅DDR4身價暴漲，需求正逐漸萎縮的DDR3現貨價格也止跌反彈，相較于6月底的行情，近2個月來現貨價格已上漲約3成多，反映業界在擔憂
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目前，在自動駕駛、智能家居系統和工業控制等領域，對邊緣智能硬件的需求日益增加，以在本地處理傳感器和智能設備生成的實時環境數據，從而最小化決策延遲。能夠精確模擬各種生物神經元行為的神經形態硬件有望推動超低功耗邊緣智能的發展。現有研究已探索具有突觸可塑性（即通過自適應變化來增強或減弱突觸連接）的硬件，但要完全模擬學習和記憶過程，多種可塑性機制——包括內在可塑性——必須協同工作。為解決這一問題，由復旦大學微電子學院包文忠教授、集成電路與微納電子創新學院周鵬教授以及香港理工大學蔡陽教授領銜的聯合研究團隊提出了一種
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全球存儲解決方案領導者鎧俠宣布，其采用第九代?BiCS FLASH??3D?閃存技術的?512Gb TLC存儲器已開始送樣（1）。該產品計劃于?2025?年投入量產，旨在為中低容量存儲市場提供兼具卓越性能與能效的解決方案。此外，這款產品也將集成到鎧俠的企業級固態硬盤中，特別是需要提升?AI?系統?GPU?性能的應用。為應對尖端應用市場的多樣化需求，同時提供兼具投資效益與競爭力的產品，鎧俠將繼續推行“雙軌并行
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NAND閃存將單元串聯排列以實現高密度存儲，優先考慮寫入/擦除速度而不是直接尋址。
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近日，復旦大學團隊研發出一種名為“破曉（PoX）”的皮秒級閃存器件，其擦寫速度達到亞納秒級別，比現有技術快1萬倍，數據保存年限據實驗外推可達十年以上。相關研究成果已登上國際頂級期刊《Nature》。該項目由復旦大學集成芯片與系統全國重點實驗室、芯片與系統前沿技術研究院的周鵬-劉春森團隊完成。周鵬教授現任復旦大學微電子學院副院長，長期致力于集成電路新材料與新器件的研究。劉春森博士為青年研究員，與周鵬教授共同擔任論文通訊作者。傳統閃存器件中，硅材料的性能受限于電子有效質量和聲子散射等因素，導致熱載流子注入效率
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業界領先的半導體器件供應商兆易創新GigaDevice近日宣布推出專為1.2V SoC應用打造的雙電壓供電SPI NOR Flash產品——GD25NE系列。該系列產品無需借助外部升壓電路即可與下一代1.2V SoC實現無縫兼容，此產品的面世將進一步強化兆易創新在雙電壓供電閃存解決方案領域的戰略布局。憑借更高的性能和更低的功耗，GD25NE系列可充分滿足市場對于先進嵌入式存儲解決方案日益增長的需求，成為智能可穿戴設備、醫療健康、物聯網、數據中心及邊緣人工智能應用的理想選擇。GD25NE系列SPI NOR
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SK海力士將于2025年3月（協議預設的最早時間點）支付收購尾款，完成與英特爾NAND閃存業務的最終交割。隨著交易的完成，將加強SK海力士在全球NAND閃存市場的地位，尤其是企業級固態硬盤（SSD）方面。隨著AI技術的普及和應用，存儲需求正在不斷增長，HBM領域的領導者SK海力士卻沒有停止擴張的步伐，這次收購將使SK海力士與競爭對手三星展開直接競爭。· 2020年10月，SK海力士與英特爾達成協議，宣布以90億美元收購其NAND閃存及存儲業務；· 2021年12月，第一階段的交易完成，SK海力士支付70億
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近日，三星與長江存儲（YMTC）簽署了3D NAND混合鍵合（Hybrid Bonding）相關專利許可協議。不過，目前尚不清楚三星是否也獲得了Xperi等其他公司的專利許可。三星從第10代V-NAND（V10）將開始采用NAND陣列和外圍CMOS邏輯電路分別在兩塊獨立的硅片上制造，因此需要長江存儲的專利技術W2W（Wafer-to-Wafer）混合鍵合技術實現?——?通過直接將兩片晶圓貼合，省去了傳統的凸點連接，形成間距為10μm及以下的互連。從而使得電路路徑變得更短，顯著提高了傳輸
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當地時間2月24日，NAND Flash廠商西部數據（Western Digital ）正式宣布，已成功完成對閃存業務的分拆計劃。圖片來源：西部數據據悉，分拆后的閃存業務將重新以獨立的閃迪（Sandisk）公司名義運營，由原西部數據CEO David Goeckeler轉任閃迪CEO，而西部數據則將再次專注于機械硬盤HDD業務，由現任全球運營執行副總裁Irving Tan出任CEO。2016年，西部數據以190億美元的高價收購了閃迪，并在2020年將閃存與HDD整合成兩大獨立業務部門。不過在2022年，存
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DeepSeek等AI模型驅動之下，存儲器市場備受青睞。長遠來看，AI等熱潮將推動NAND Flash市場需求上漲，高容量存儲需求有望為NAND Flash（閃存）市場提供新的增長動力。這一過程中，少不了技術升級與產品迭代。值得一提的是，為了提升存儲技術的創新能力和市場競爭力，一些存儲廠商之間正在進行技術共享和聯合研發的合作。近期，美光、鎧俠等公司閃存技術迎來革新，涉及3D NAND Flash與PCIe 6.0 SSD。鎧俠X閃迪革新3D閃存技術：4.8Gbps、332層堆疊！在近期召開的2025年IE
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在技術飛速發展的今天，新興的航空電子、關鍵基礎設施和汽車應用正在重新定義人們對現場可編程門陣列（FPGA）的期望。FPGA之前主要依靠閃存來存儲配置位流。這種方法適用于許多主流FPGA配置應用；然而，隨著技術的進步以及對更高可靠性和性能的需求增加，人們需要更多樣化的配置存儲選項。這種轉變的催化劑在于應用和行業的不同需求，它們目前正不斷突破FPGA應用的極限，要求在數據完整性、系統耐用性和運行效率等方面更進一步。現代應用需要更先進的功能1.更高的耐用性和可靠性：高級駕駛輔助系統和先進的互連航空電子技術等應用
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據報道，NAND閃存在2025年將繼續面臨需求疲軟和供過于求的雙重壓力。三星、SK海力士、美光等NAND閃存制造商都選擇在2025年執行減產計劃。當前，存儲器市場，尤其是NAND閃存領域，似乎正步入一個低迷階段。自2024年第三季度以來，NAND閃存價格持續下滑，這一趨勢使得供應商對2025年上半年的市場需求前景持悲觀態度。長期的價格疲軟無疑將進一步壓縮企業的利潤空間，為此，三星與SK海力士均選擇在2025年第一季度實施更為激進的減產措施，將NAND閃存產量削減幅度提高至10%以上。在此前的上升周期時，N
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全球NAND閃存價格已連續四個月下跌，為應對這一不利局面，廠商開始減產以平衡供求，進而穩定價格。美光率先宣布將減產，隨后三星也被曝出將調整其韓國本土的NAND產量以及中國西安工廠的開工率，韓國另一大存儲芯片制造商SK海力士也計劃削減產量。
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