據TrendForce研究，盡管有旺季效應和DDR5滲透率提升的支撐，第三季DRAM市場仍不敵俄烏戰事、高通膨導致消費性電子需求疲弱的負面影響，進而使得整體DRAM庫存上升，成為第三季DRAM價格下跌3～8％的主因，且不排除部分產品別如PC與智能型手機領域恐出現超過8％的跌幅。PC DRAM方面，在需求持續走弱情況下，引發PC OEMs下修整年出貨目標，同時也造成DRAM庫存快速飆升，第三季PC OEMs仍將著重在調整與去化DRAM庫存，采購力道尚難回溫。同時，由于整體DRAM產業仍處于供過于求，因此即便
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TrendForce DRAM
隨著京滬等地疫情形勢得到控制，2022年電商行業年中大促——“618購物節”伴隨著復工、復產的腳步正式拉開帷幕。本次618的開啟不僅極大程度地助力了疫后的消費重啟，同時也承載著各大電商平臺以及商家的期待。進入2020年以來，疫情的反復促使居家辦公、線上會議等混合辦公的場景成為當下流行趨勢，而混合辦公所需的終端產品也逐漸受到大家的關注，成為當下電商平臺的主流產品。近年來大火的直播電商，也慢慢發生著一些微妙的改變, “店鋪直播” 開始慢慢取代頭部流量主播成為帶貨主力。混合辦公促進終端產品碎片化進入2022年，
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PC 混合辦公
SK海力士宣布公司開始量產 HBM3 -- 擁有當前業界最佳性能的 DRAM。擁有當前業界最佳性能的 HBM3 DRAM 內存芯片，從開發成功到量產僅用七 個月HBM3將與NVIDIA H100 Tensor Core GPU搭配，以實現加速計算（accelerated computing）SK海力士旨在進一步鞏固公司在高端 DRAM 市場的領導地位* HBM (High Bandwidth Memory，高帶寬存儲器)：是由垂直堆疊在一起的 DRAM 芯片組合而成的高價值、高性能內存
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SK海力士 英偉達 HBM3 DRAM
5月25日，有消息傳出，華為將在VLSI Symposium 2022期間發表其與中科院微電子研究所合作開發的 3D DRAM 技術。隨著“摩爾定律”走向極限，DRAM芯片工藝提升將愈發困難。3D DRAM就成了各大存儲廠商突破DRAM工藝極限的新方案。DRAM工藝的極限目前，DRAM芯片最先進的工藝是10nm。據公開資料顯示，三星早已在2020年完成了10nm制程DRAM的出貨；美光和SK海力士也在2021年完成了10nm DRAM產品的量產。那么，10nm是DRAM工藝的極限嗎？在回答這個問題之前，我
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DRAM 3D DRAM 華為 三星 美光 制程 納米
內存大廠華邦電日前宣布擴大利基型DDR3產出，爭取韓系DRAM廠退出后的市占率，推升營收及獲利續創新高。華邦電自行開發的20奈米DRAM制程，將于明年導入至高雄廠量產，為長遠發展奠定良好的基礎與成長動能，同時滿足5G基地臺、人工智能物聯網（AIoT）、電動車及車用電子、元宇宙等產業大趨勢強勁需求。華邦電第一季迎來利基型DRAM價格回升，SLC NAND及NOR Flash價格回穩，季度營收265.14億元為歷史次高，歸屬母公司稅后凈利年增近1.9倍達45.59億元并創下歷史新高，每股凈利1.15元優于預期
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DRAM 華邦電 AIoT 元宇宙
2022年5月10日 ，作為先進內存技術的廠商，三星宣布開發出三星首款512 GB 內存擴展器 （CXL，Compute Express Link） DRAM，朝CXL的商業化邁出了重要一步，CXL將在IT系統中實現更高的內存容量且更低的延遲。三星半導體512GB 內存擴展器 CXL DRAM與以往版本相比，新開發的CXL內存容量為其4倍，從而讓服務器擴展至數十TB，而系統延遲僅為其五分之一三星還將推出其開源軟件工具包的升級版本，以推動CXL內存在現有和新興IT系統中的部署自2021年5月推出三星首款配備
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三星 內存擴展器 CXL DRAM
英特爾最近宣布了推動實現溫室氣體凈零排放的愿景，并設定了促進科技行業減少碳足跡的新目標。為支持這一愿景，臺式機、工作站和游戲(DWG)部門將持續改進產品和平臺的性能與效率，幫助合作伙伴和客戶降低系統總體碳足跡。近日，英特爾臺式機和工作站可持續發展技術專家Kathleen Fiehrer撰文，闡述英特爾的可持續發展承諾及相應舉措。DWG當前正在努力降低臺式機、塔式工作站等固定式產品的碳足跡，這項工作頗為不易。碳足跡模型顯示，筆記本電腦系統的排放主要來自制造階段，服務器排放則主要來自運營階段。然而，固定式產品
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英特爾 PC 碳排放
多年來，移動處理器的生產商致力于優化設計，以在有限的功耗預算、存儲空間和帶寬范圍內獲得最佳性能。過去，顯然這些考量因素在數據中心或個人電腦（PC）等市場并未得到重視。如今，傳統數據中心和PC市場的變革正在悄然發生——改變處理器設計規則，讓開發人員重新考慮其芯片架構以獲得更高的性能功耗比。移動處理器設計原則運用于PC和數據中心今天，越來越多的云游戲、數據挖掘、人工智能/數據分析和高性能計算均在云端實現。雖然這些應用的要求各不相同，但在不斷提高計算量的要求方面如出一轍。數據中心無法通過不斷擴大物理占地面積來滿
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數據中心 PC 處理器設計
根據市調預估，第二季整體DRAM平均價格跌幅約0～5％，跌幅相較上季已明顯縮小。由于買賣雙方庫存略偏高，再加上需求面如筆電、智能型手機等受近期俄烏戰事和高通膨影響，進而削弱消費者購買力道，目前僅服務器為主要支撐內存需求來源，故整體第二季DRAM仍有供過于求情形。在標準型PC DRAM方面，受俄烏戰爭影響，引發PC OEM對第二季的訂單采保守備貨策略，且可能持續影響下半年旺季訂單情形，進而下修今年的出貨目標，然而整體供給位卻仍在增長，故第二季PC DRAM價格跌幅達3～8％，且可能會進一步惡化。在服務器DR
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DRAM 集幫咨詢
今日三星宣布，高通技術公司(Qualcomm Technologies, Inc.)已經驗證了三星14納米(nm) 16Gb低功耗雙倍數據速率5X (LPDDR5X) DRAM，并應用于高通技術公司的驍龍(Snapdragon?)移動平臺。自去年11月開發出三星首款基于14nm的LPDDR5X
DRAM以來，三星與高通技術公司密切合作，優化7.5千兆比特每秒(Gbps)的LPDDR5X，用于驍龍移動平臺。LPDDR5X的速度比目前高端智能手機上的LPDDR5
(6.4Gbps)快約1.2倍，有
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三星 LPDDR5X DRAM 高通 驍龍
大家可以試著考慮一個問題，如果從實用性角度來看，英特爾11代酷睿+Windows
11是否更勝蘋果M1+MacOS一籌呢？對于我個人以及身邊不少朋友來說確實如此。無論是在兼容性、易用性，還是在拓展性、泛用性方面，基于英特爾11代酷睿+Windows
11的電腦都更容易上手，使用起來也無需擔心兼容性問題。作為一名11代酷睿+Windows和蘋果M1+MacOS雙修的打工人，我個人對此深有感觸。而如果你正在為此事而煩惱、正在為選擇哪個陣營而糾結，那么不妨來看看這篇文章。筆者現在自用的筆記本電腦有兩臺，
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Wintel 蘋果 PC
10月28日消息，據外媒報道，美國當地時間周三，芯片巨頭英特爾發布了一款速度更快的新個人電腦（PC）處理器芯片系列，并稱其正在幫助美國政府開發的超級計算機速度將達到先前預期的兩倍。 在輸給AMD和蘋果等競爭對手后，英特爾正在努力奪回制造速度最快計算芯片的領先地位。蘋果和AMD都使用外包方式來制造芯片，而英特爾始終在內部制造模式中苦苦掙扎。 在旨在說服軟件開發商為其芯片編寫代碼的活動上，英特爾展示了其用于PC的第12代英特爾酷睿芯片，代號為“奧爾德湖”(Alder Lake)。該公司表示，該產品線最
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英特爾 PC 芯片
隨著晶體管尺寸縮小接近物理極限，制造變量和微負載效應正逐漸成為限制DRAM性能（和良率）的主要因素。而對于先進的DRAM，晶體管的有源區 (AA) 尺寸和形狀則是影響良率和性能的重要因素。在DRAM結構中，電容存儲單元的充放電過程直接受晶體管所控制。隨著晶體管尺寸縮小接近物理極限，制造變量和微負載效應正逐漸成為限制DRAM性能（和良率）的主要因素。而對于先進的DRAM，晶體管的有源區 (AA) 尺寸和形狀則是影響良率和性能的重要因素。在本研究中，我們將為大家呈現，如何利用SEMulator3D研究先進DR
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DRAM 微結構
三星、SK海力士及美光確定未來會用EUV工藝，其中美光的EUV工藝內存在2024年量產。芯研所8月21日消息，CPU、GPU為代表的邏輯工藝制程進入7nm之后，EUV光刻工藝不可或缺。目前內存停留在10nm工藝級別。三星、SK海力士及美光也確定未來會用EUV工藝，其中美光的EUV工藝內存在2024年量產。美光CEO Sanjay Mehrotra日前在采訪中確認，美光已將EUV技術納入DRAM技術藍圖，將由10nm世代中的1γ（gamma）工藝節點開始導入。美光EUV工藝DRAM將會先在臺中A3廠生產，預
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美光 EUV DRAM
根據TrendForce調查，第三季PC DRAM合約價格的議定大致完成，受惠于DRAM供貨商的庫存量偏低以及旺季效應，本季合約價調漲3~8%，但相較第二季25%的漲幅已大幅收斂。然約自七月初起，DRAM現貨市場已提前出現PC DRAM需求疲弱的態勢。賣方積極調節手上庫存，持續降價求售。合約市場方面，先前PC OEMs因擔憂長短料問題而大量備料，使DRAM庫存已達高水位，庫存迭高問題成為漲價的阻力，再加上歐美逐步解封可能使筆電需求降低，進而拉低PC DRAM的總需求量。因此，預估PC DRAM合約價于第四
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