- 固態硬盤供應商SanDisk正在研發一種新型的系統存儲器，未來也許能一舉替代內存和硬盤。 ReRAM代表電阻式RAM，將DRAM的讀寫速度與SSD的非易失性結合于一身。換句話說，關閉電源后存儲器仍能記住數據。如果ReRAM有足夠大的空間，一臺配備ReRAM的PC將不需要載入時間。ReRAM基于憶阻器原理，致力于商業化ReRAM的企業包括惠普、Elpida、索尼、松下、美光、海力士等等。
基礎電子學教科書列出三個基本的被動電路元件：電阻器、電容器和電感器;電路的四大基本變量則是電流、電壓、電荷和磁
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惠普 內存 ReRAM
- 在各種單片機應用系統中，存儲器的正常與否直接關系到該系統的正常工作。為了提高系統的可靠性，對系統的可靠性進行測試是十分必要的。通過測試可以有效地發現并解決因存儲器發生故障對系統帶來的破壞問題。本文針對
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RAM 單片機系統 測試方法
- 引言長條的LED顯示屏在生活中應用得很多，這種顯示屏的控制電路簡單，掃描線有限，顯示信息量也不是很大。當顯示信息量比較大時，若采用一般的長屏顯示屏，顯示信息過慢，即使采用超長屏的顯示屏，其數據輸出速率也很
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顯示屏 控制系統 設計 LED 矩形 RAM 技術 基于
- 基于FPGA的雙口RAM實現及應用,摘要：為了在高速采集時不丟失數據，在數據采集系統和CPU之間設置一個數據暫存區。介紹雙口RAM的存儲原理及其在數字系統中的應用。采用FPGA技術構造雙口RAM，實現高速信號采集系統中的海量數據存儲和時鐘匹配。功能仿
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實現 應用 RAM 雙口 FPGA 基于
- 美光本周三發布了全新低功耗DDR3內存解決方案--DDR3Lm，主要面向平板電腦以及超輕薄筆記本等移動市場。首批產品包括2Gb、4Gb兩種規格，宣稱可為移動產品帶來更長續航時間的同時，依然擁有不俗的性能和較高的性價比。
首先是2Gb DDR3Lm，相比標準2Gb DDR3L(低電壓版DDR3)芯片，其功耗可以降低50%左右，最高頻率為1600MHz。而4Gb DDR3Lm同樣主打低功耗，待機狀態下功耗只有3.7mA IDD6，最高頻率可達1866MHz。二者都采用了美光30nm新工藝，以進一步優
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美光 內存
- 雖然內存價格暴跌已經導致該行業四大企業中的三家出現虧損，但美光科技總裁馬克·亞當斯(Mark Adams)周五表示，電腦內存價格很可能已經見底。作為全美唯一一家DRAM存儲芯片廠商，美光科技去年12月發布的業績顯示，由于PC需求放緩導致產品價格下跌，該公司已經連續第二季度虧損。“我不認為DRAM市場還會繼續下行，現在感覺已經穩定。”亞當斯說。
各大存儲芯片廠商都在努力平衡電腦內存的供需關系，在這一行業中，建設工廠需要花費數年時間，因此很難輕易關閉。但該行業卻
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美光 內存
- 嵌入式內存數據庫的研究與設計,摘要：近年來,各種嵌入式內存數據庫不斷涌現,但由于各種原因,很多產品不具有通用性、高效性、可靠性,以致于很難在市場上推廣開來。針對上述情況,提出一種新的嵌入式內存數據庫的設計方法,該方法結合當前流行的java語
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設計 研究 數據庫 內存 嵌入式
- WinCE文件目錄定制及內存調整的操作方法,本文介紹了WinCE文件目錄定制及內存調整的操作方法。WinCE的文件目錄結構以及文件的位置都是在DAT文件中定義的。所有的dat文件會在WinCE編譯時合并成initobj.dat文件，WinCE會根據DAT中的描述生成相應目錄。 這個
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調整 操作 方法 內存 定制 文件 目錄 WinCE
- 2011年，存儲行業經歷了幾大重要事件：日本地震引起閃存漲價、泰國洪水引起整個DIY產業的震動、單碟1TB硬盤技術正式面世、USB3.0產品強勢出擊、藍光3D技術應用產品上市等，都給2011年的存儲行業帶來了不小的變化。
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硬盤 內存 USB3.0
- 面臨洗牌
自20世紀60年代以來，內存芯片便被看作是信息時代的“原油”——它們對電腦和其他設備非常重要，以致于制造商竭盡全力改善內存芯片性能，降低生產成本。然而，上周有消息稱，日本內存芯片巨頭爾必達正尋求從其客戶獲得資金支持，這表明在內存芯片行業的競爭中，越來越多的企業瀕臨出局。
三星電子和海力士等韓國兩家大公司目前占據著內存芯片行業的主導地位，美國芯片廠商美光科技與爾必達的市場份額并列第三，但遠遠落后于三星電子和海力士。內存芯片廣泛用于從手
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三星電子 內存
- 專門授權自旋電子(spintronics)磁阻隨機存取內存(MRAM)技術的自旋電子組件開發商NVR公司表示，該公司已于美國聯邦法院對 MRAM 供貨商Everspin Technologies提出侵權訴訟，以捍衛其自旋電子 MRAM 專利技術。
NVE公司指出，在美國明尼蘇達州地方法院提起的這項訴訟案指控Everspin侵犯了NVE公司的三項 MRAM 專利。根據NVE公司表示，該侵權訴訟將尋求法院的禁制令，以迫使Everspin公司停止繼續使用該技術，并針對其侵權行為造成的NVE財務損失進行
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NVE 內存 MRAM
- 點陣式液晶接口簡單，能以點陣或圖形方式顯示出各種信息，因此在各種電子設計中得到廣泛應用。但是，它的接口必須遵循一定的硬件和時序規范，根據不同的液晶驅動器，可能需要發出不同的命令進行控制才能顯示數據。而
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設計 模塊 液晶顯示 內存 采用
- 雙端口RAM原理介紹及其應用,摘要：IDT7132/IDT7142是一種高速2k×8雙端口靜態RAM,它擁有兩套完全獨立的數據、地址和讀寫控制線。文中分析了雙端口RAM（DPRAM）的設計方案。并以IDT7132/7142為例介紹了雙端口RAM的時序、競爭和并行通訊接口設計以及雷達仿真平臺中的應用。
關鍵詞：微處理器 雙端口RAM IDT7132/7142
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及其 應用 介紹 原理 RAM 雙端口
- 相變化內存(Phase Change Memory，PCM)是一項全新的內存技術，目前有多家公司在從事該技術的研發活動。這項技術集當今揮發性內存和非揮發性內存兩大技術之長，為系統工程師提供極具吸引力的技術特性和功能。工程師無
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相變化內存 創新 內存 系統設計
- CMOS 邏輯系統的功耗主要與時鐘頻率、系統內各柵極的輸入電容以及電源電壓有關。器件形體尺寸減小后，電源電壓也隨之降低，從而在柵極層大大降低功耗。這種低電壓器件擁有更低的功耗和更高的運行速度，允許系統時鐘頻
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