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s7 mosfet 文章 最新資訊

微芯有刷直流電機控制方案

  • 有刷直流電機通過電刷進行換向。以下是關于有刷直流電機的一些關鍵點:典型的轉子(也就是電樞)上有繞組,并且在其末端連有換向器電刷與換向部分連接和斷開,從而將能量傳遞到電樞永磁直流電機的定子(或外部機筒)將有
  • 關鍵字: MOSFET   光學編碼器   PWM   有刷直流電機驅動器  

被忽略的細節:理解MOSFET額定電壓BVDSS

  •   看到這個主題,可能有些工程師會問:多少伏的功率MOSFET,耐壓BVDSS不就是多少伏嗎?這里面還有什么被忽略的內容?細節決定技術,今天研究功率MOSFET數據表中BVDSS所隱藏的一些有意思的細節,來理解這個參數所設定的含義。   數據表中漏源擊穿電壓BVDSS通常定義為漏電流為250uA時漏極到源極的電壓,漏極到源極的漏電流表示為IDSS。數據表中標稱BVDSS電壓是在柵極和源極S短路、25℃的工作溫度、漏極和源極不發生雪崩擊穿時,所能施加的最大的額定電壓,測試的電路如圖1所示。關于雪崩擊穿問題
  • 關鍵字: MOSFET  BVDSS  

基于S7―200PLC的機械手運動控制

  • 摘要:基于S7—200PLC村機械于的運動進行一系列控制,這些運動包括手臂上下、左右直線運動,手腕旋轉運動,手爪夾緊動作和機械手整體旋轉運動等。所采用的動力機構是步進電機,能夠做到精確控制。在多個行程開
  • 關鍵字: 機械手  S7―200PLC  步進電機  

基于S7-300PLC設計選型及應用

  • S7-300PLC的應用非常廣泛,在設計選型和調試及實際應用中可能會碰到各種各樣的問題,下面就S7-300PLC在選型和應用中的一些要點做一下分析。
  • 關鍵字: S7-300PLC  

消費者選擇獎揭曉:三星S7 edge獲封全球最佳手機

  •   Strategy Analytics統計顯示,三星S7 Edge憑借1330萬臺的出貨成為上半年安卓陣營全球銷量第一(全品第一是iPhone 6S)。   現在,這款爆品拿到新的嘉獎。        據外媒報道,Mobile Choice Consumer Awards(移動設備消費者選擇獎)揭曉,S7 edge獲封全球最佳手機,同時三星也被投為最佳手機制造商。   作為一項舉辦16年的老牌獎項,今年的獲獎陣容中也出現了國產手機的身影,華為P9成為“拍照王&rdqu
  • 關鍵字: 三星  S7   

Fairchild發布具有一流效率和可靠性的SuperFET III MOSFET系列

  •   Fairchild,現在是安森美半導體的一部分,今天推出了其SuperFET® III系列,用于650V N溝道MOSFET,這是該公司新一代的MOSFET,可滿足最新的通信、服務器、電動車(EV)充電器和太陽能產品的更高功率密度、系統效率和優越的可靠性要求。   SuperFET III MOSFET系列兼具一流可靠性、低EMI、卓越效率和優異熱性能,是高性能應用的理想之選。一流性能之外,該系列還提供了廣泛的封裝選擇,賦予了產品設計者更大的靈活性,特別是對于尺寸受限的設計。   Fair
  • 關鍵字: Fairchild  MOSFET  

英飛凌800 V CoolMOS P7系列設立效率和散熱性能的新基準

  •   英飛凌科技股份公司推出800 V CoolMOS™ P7系列。該800 V MOSFET基于超級結技術,兼具出類拔萃的性能和優異的易用性。這個新的產品家族非常適于低功率SMPS應用,可完全滿足性能、易于設計和性價比等市場需求。它主要側重于反激式拓撲,這種拓撲常見于適配器、LED照明、音頻、工業和輔助電源等應用。        800 V CoolMOS P7系列可將效率提高最多0.6%。比之CoolMOS C3,或者比之典型反激式應用中測試的其他競爭對手產品,這相當于將
  • 關鍵字: 英飛凌  MOSFET  

基于PC+PLC等離子熔射自動控制系統

  •   1 引言   等離子熔射由于其溫度高且能量集中,能夠熔射金屬、陶瓷或復合材料的特點在表面改性、功能薄膜制備和材料加工工程中被廣泛應用。為了保證熔射皮膜成形性與成形質量,必須在數字圖像處理、過程控制、人工智能等方法基礎上進行系統集成控制與工藝優化。當前國際上幾大熱噴涂設備和材料生產廠家,如英國Metallisation公司、瑞士Sulzer-Metco公司和美國Praxair公司等,已推出基于PC+PLC+現場檢測+過程控制的等離子熔射系統。但是由于國際上相關熔射設備價格昂貴,不能引進到國內每一個加工
  • 關鍵字: PLC  S7-300  

如何實現西門子S7-300 PLC與DCS控制系統的通信

  • 如何實現西門子S7-300 PLC與DCS控制系統的通信, 一、 引言 現代工業的迅速發展,不斷促進著自動化控制技術及設備通信技術創新的發展。當前,PLC、DCS、智能儀表等已廣泛應用到現場生產控制系統中,并發展到由上述設備相互協同、共同面向整個生產過程的分布式
  • 關鍵字: S7-300  PLC  DCS控制系統  嵌入式  

步進電機的MOSFET管驅動設計

  • H橋功率驅動電路可應用于步進電機、交流電機及直流電機等的驅動。永磁步
  • 關鍵字: 步進電機  MOSFET  驅動設計  

意法半導體推出新款超結MOSFET和全球首款1500V TO-220FP 寬爬電間距封裝功率晶體管

  •   橫跨多重電子應用領域、全球領先的半導體供應商意法半導體(STMicroelectronics,簡稱ST)推出一系列采用TO-220 FullPAK (TO-220FP)寬爬電間距封裝的功率晶體管,其中包括采用防電弧封裝的全球首款1500V超結MOSFET。   電視和PC等設備常用的開放式電源表面很容易聚集塵土和粉塵,導致功率晶體管引腳之間產生高壓電弧放電現象,TO-220FP寬爬電間距封裝是這類應用功率晶體管的理想選擇。在使用2.54mm引腳間隔的常規封裝時,需要鑄封、引線成形、套管或密封等特殊工
  • 關鍵字: 意法半導體  MOSFET  

IGBT是啥?看完這篇文章我不信你還不明白

  •   電的發現是人類歷史的革命,由它產生的動能每天都在源源不斷的釋放,人對電的需求不亞于人類世界的氧氣,如果沒有電,人類的文明還會在黑暗中探索。   然而在電力電子里面,最重要的一個元件就是IGBT。沒有IGBT就不會有高鐵的便捷生活。        一說起IGBT,半導體**的人都以為不就是一個分立器件(Power Disceret)嘛,都很瞧不上眼。然而他和28nm/16nm集成電路**一樣,是國家“02專項”的重點扶持項目,這玩意是現在目前功率電子器件里
  • 關鍵字: IGBT  MOSFET  

住在市區還是郊區?考慮采用轉換器或控制器調節大電流電壓

  •   一般來講,尋求更大生活空間的居民會放棄在市區附近生活。盡管住在市區上班方便,并能享受城市服務,但他們更愿意搬到郊區,因為那里房子更大,院子更寬敞。同樣,當工程師需要大電流用于負載點(POL)設計時,他們一般會放棄高密度轉換器(帶集成MOSFET)的便利,取而代之使用一個更復雜的涉及控制器(帶外部MOSFET)解決方案。控制器,與郊區環境相類似,具有相對的靈活性和經濟性,但會占據更多不動產,更多的電路板空間。        直到最近,電流超過10-15A的應用一般會依賴帶外部MOSF
  • 關鍵字: MOSFET  封裝  

關于MOS管的基礎知識大合集

  •   下面對MOSFET及MOSFET驅動電路基礎的一點總結,包括MOS管的介紹,特性,驅動以及應用電路。   1,MOS管種類和結構   MOSFET管是FET的一種(另一種是JFET),可以被制造成增強型或耗盡型,P溝道或N溝道共4種類型,但實際應用的只有增強型的N溝道MOS管和增強型的P溝道MOS管,所以通常提到NMOS,或者PMOS指的就是這兩種。   至于為什么不使用耗盡型的MOS管,不建議刨根問底。   對于這兩種增強型MOS管,比較常用的是NMOS。原因是導通電阻小,且容易制造。所以開
  • 關鍵字: MOS管  MOSFET  

意法半導體(ST)的先進碳化硅功率器件加快汽車電動化進程

  •   橫跨多重電子應用領域、全球領先的半導體供應商意法半導體(STMicroelectronics,簡稱ST)在混動汽車和電動汽車(EV,Electric Vehicles)市場發布了先進的高能效功率半導體器件,同時還公布了新產品AEC-Q101汽車質量認證時間表。   電動汽車和混動汽車通過提高電能利用率來延長續航里程。意法半導體最新的碳化硅(SiC)技術讓車企能夠研制續航里程更長、充電速度更快的電動和混動汽車,使其更好地融入車主的生活。作為碳化硅技術的領導者,針對汽車所有主要電氣模塊,意法半導體率先推
  • 關鍵字: 意法半導體  MOSFET  
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