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怎樣降低MOSFET損耗并提升EMI性能
- 一、引言 MOSFET作為主要的開關(guān)功率器件之一，被大量應(yīng)用于模塊電源。了解MOSFET的損耗組成并對其分析，有利于優(yōu)化MOSFET損耗，提高模塊電源的功率;但是一味的減少MOSFET的損耗及其他方面的損耗，反而會引起更嚴重的EMI問題，導(dǎo)致整個系統(tǒng)不能穩(wěn)定工作。所以需要在減少MOSFET的損耗的同時需要兼顧模塊電源的EMI性能。 二、開關(guān)管MOSFET的功耗分析 MOSFET的損耗主要有以下部分組成：1.通態(tài)損耗;2.導(dǎo)通損耗;3.關(guān)斷損耗;4.驅(qū)動
- 關(guān)鍵字： MOSFET EMI
【E課堂】MOSFET管驅(qū)動電路基礎(chǔ)總結(jié)
- 關(guān)于MOSFET很多人都不甚理解，這次小編再帶大家仔細梳理一下，也許對于您的知識系統(tǒng)更加全面。下面是對MOSFET及MOSFET驅(qū)動電路基礎(chǔ)的一點總結(jié)，其中參考了一些資料。 在使用MOS管設(shè)計開關(guān)電源或者馬達驅(qū)動電路的時候，大部分人都會考慮MOS的導(dǎo)通電阻，最大電壓等，最大電流等，也有很多人僅僅考慮這些因素。這樣的電路也許是可以工作的，但并不是優(yōu)秀的，作為正式的產(chǎn)品設(shè)計也是不允許的。 1、MOS管種類和結(jié)構(gòu) MOSFET管是FET的一種(另一種是JFET)，可以被制造成增強型或耗盡型，P溝道或N
- 關(guān)鍵字： MOSFET 驅(qū)動電路
三星S7處理器跑分曝光 成績不如麒麟950
- 在今年旗艦智能機的比拼中，新一代的旗艦級處理器勢必會成為關(guān)鍵，其中以高通驍龍820、聯(lián)發(fā)科HelioX20、華為旗艦950以及三星Exynos8890這四大處理器中決出勝負，其中驍龍820、HelioX20、麒麟950的性能跑分都已經(jīng)公之于眾，而近日Exynos8890處理器的跑分也首次曝光了。 雖然三星Exynos8890處理器早已經(jīng)在去年發(fā)布，但是關(guān)于該處理器的性能跑分卻一直都是未知數(shù)，讓人很是期待這款三星旗艦級處理器的性能到底如何，這次在知名跑分網(wǎng)站Geekbench上，終于出現(xiàn)了搭載Ex
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同步降壓 MOSFET 電阻比的正確選擇
- 進行這種折中處理可得到一個用于 FET 選擇的非常有用的起始點。通常，作為設(shè)計過程的一個組成部分，你會有一套包括了輸入電壓范圍和期望輸出電壓的規(guī)范，并且需要選擇一些 FET。另外，如果你是一名 IC 設(shè)計人員，你還會有一定的預(yù)算，其規(guī)定了 FET 成本或者封裝尺寸。這兩種輸入會幫助您選擇總 MOSFET 芯片面積。之后，這些輸入可用于對各個 FET 面積進行效率方面的優(yōu)化。 圖 1 傳導(dǎo)損耗與 FET 電阻比和占空比相關(guān) 首先，F(xiàn)ET 電阻與其面積成反比例關(guān)系。
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看懂MOSFET數(shù)據(jù)表，第5部分—開關(guān)參數(shù)
- 最后，我們來到了這個試圖破解功率MOSFET數(shù)據(jù)表的“看懂MOSFET數(shù)據(jù)表”博客系列的收尾部分。在這個博客中，我們將花時間看一看MOSFET數(shù)據(jù)表中出現(xiàn)的某些其它混合開關(guān)參數(shù)，并且檢查它們對于總體器件性能的相關(guān)性(或者與器件性能沒什么關(guān)系)。 另一方面，諸如FET固有體二極管的輸出電荷 (QOSS) 和反向恢復(fù)電荷(Qrr) 等開關(guān)參數(shù)是造成很多高頻電源應(yīng)用中大部分FET開關(guān)損耗的關(guān)鍵因素。不好意思，我說的這些聽起來有點兒前言不搭后語，不過設(shè)計人員在根據(jù)這些參數(shù)比較不同
- 關(guān)鍵字： MOSFET 二極管
估算熱插拔 MOSFET 的瞬態(tài)溫升——第 1 部分
- 在本文中，我們將研究一種估算熱插拔 MOSFET 溫升的簡單方法。 熱插拔電路用于將電容輸入設(shè)備插入通電的電壓總線時限制浪涌電流。這樣做的目的是防止總線電壓下降以及連接設(shè)備運行中斷。通過使用一個串聯(lián)組件逐漸延長新連接電容負載的充電時間，熱插拔器件可以完成這項工作。結(jié)果，該串聯(lián)組件具有巨大的損耗，并在充電事件發(fā)生期間產(chǎn)生溫升。大多數(shù)熱插拔設(shè)備的制造廠商都建議您查閱安全工作區(qū)域 (SOA) 曲線，以便設(shè)備免受過應(yīng)力損害。圖 1 所示
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看懂MOSFET數(shù)據(jù)表，第2部分—連續(xù)電流額定值
- 今天我們來談一談MOSFET電流額定值，以及它們是如何變得不真實的。好，也許一個比較好的解釋就是這些額定值不是用確定RDS(ON)?和柵極電荷等參數(shù)的方法測量出來的，而是被計算出來的，并且有很多種不同的方法可以獲得這些值。 例如，大多數(shù)部件中都有FET“封裝電流額定值”，這個值同與周圍環(huán)境無關(guān)，并且是硅芯片與塑料封裝之間內(nèi)在連接線的一個函數(shù)。超過這個值不會立即對FET造成損壞，而在這個限值以上長時間使用將開始減少器件的使用壽命。高于這個限值的故障機制包括但不限于線路融合、成型復(fù)合材料的熱降
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場效應(yīng)管（MOSFET）檢測方法與經(jīng)驗
- 本文總結(jié)了場效應(yīng)管(MOSFET)檢測方法與經(jīng)驗 一、用指針式萬用表對場效應(yīng)管進行判別 (1)用測電阻法判別結(jié)型場效應(yīng)管的電極 根據(jù)場效應(yīng)管的PN結(jié)正、反向電阻值不一樣的現(xiàn)象，可以判別出結(jié)型場效應(yīng)管的三個電極。具體方法：將萬用表撥在R×1k檔上，任選兩個電極，分別測出其正、反向電阻值。當(dāng)某兩個電極的正、反向電阻值相等，且為幾千歐姆時，則該兩個電極分別是漏極D和源極S。因為對結(jié)型場效應(yīng)管而言，漏極和源極可互換，剩下的電極肯定是柵極G。也可以將萬用表的黑表筆(紅表筆也行)任意接觸一個電極，另一只表筆
- 關(guān)鍵字： 場效應(yīng)管 MOSFET
看懂MOSFET數(shù)據(jù)表，第1部分—UIS/雪崩額定值
- 在看到MOSFET數(shù)據(jù)表時，你一定要知道你在找什么。雖然特定的參數(shù)很顯眼，也一目了然，其它的一些參數(shù)會十分的含糊不清、模棱兩可，而其它的某些參數(shù)自始至終就毫無用處(比如說：開關(guān)時間)。在這個即將開始的博文系列中，我們將試著破解FET數(shù)據(jù)表，這樣的話，讀者就能夠很輕松地找到和辨別那些對于他們的應(yīng)用來說，是最常見的數(shù)據(jù)，而不會被不同的生產(chǎn)商為了使他們的產(chǎn)品看起來更吸引人而玩兒的文字游戲所糊弄。 自從20世紀80年代中期在MOSFET 數(shù)據(jù)表中廣泛使用的以來，無鉗位電感開關(guān) (UIS) 額定值就已經(jīng)被
- 關(guān)鍵字： MOSFET UIS
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