提出了一種小型可調壓DC-DC降壓變換器的結構。主電路由MOSFET管、電感器及濾波電容器構成。通過PWM波控制，由于PWM波的驅動能力較差，設計驅動電路通過與PWM發生器一同控制MOSFET管的通斷。通過改變PWM波的占空比來改變輸出電壓以達到可調壓的目的。該降壓變換器設計簡單、經濟適用、體積較小，輸出電壓可調。主要由主電路和驅動電路組成。該變換器適用于較低壓工作場合，輸入電壓在5V至20V之間，輸出電壓在3V至18V之間。對電路的工作原理和結構進行了深入分析，并通過實物制作驗證其可行性。
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DC-DC降壓 PWM MOSFET 驅動電路 201601
意法半導體(STMicroelectronics，簡稱ST;紐約證券交易所代碼：STM)針對汽車市場推出了新系列高壓N溝道功率MOSFET。新產品通過AEC-Q101汽車測試認證，采用意法半導體最先進、內置快速恢復二極管的MDmeshTM DM2超結制造工藝，擊穿電壓范圍為400V至650V，可提供D2PAK、TO-220及TO-247三種封裝。 400V和500V兩款新產品是市場上同級產品中首個獲得AEC-Q101認證的功率MOSFET，而600V和650V產品性能則高于現有競爭產品。全
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意法半導體 MOSFET
在溫度高達 210 攝氏度或需要耐輻射解決方案的惡劣環境應用中，集成型降壓解決方案可充分滿足系統需求。有許多應用需要負輸出電壓或諸如 +12V 或 +15V 等隔離輸出電壓為 MOSFET 柵極驅動器電路供電或者為運算放大器實現偏置。我們將在本文中探討如何使用 TPS50x01 配置降壓轉換器，提供負輸出電壓。此外，我們還將討論如何通過提供高于輸入壓的電壓來滿足應用需求。 TPS50601-SP和TPS50301-HT都是專為耐輻射、地質、重工業以及油氣應用等惡劣環境開發的集成型同步降壓轉換器解決方
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MOSFET TPS50601-SP 電壓隔離
12 月 5 日訊，繼三星今年 8 月發布 Note 和 S6 edge Plus 后，三星下一代旗艦手機 S7 被傳將于明年 2 月份登場。 從目前曝光的各種消息來看，三星新旗艦 S7 將是一款功能強大的智能手機。不過在外形方面，三星學蘋果偷起懶了，iPhone6s 外形相較于 iPhone6 沒什么
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三星 S7
據爆料大神@evleaks透露，三星GalaxyS7和GalaxyS7Edge已經在AT&T進行測試，這意味著這兩款旗艦機型很有可能將在不久后發布。
而這也于之前的傳言相吻合，明年巴塞羅那MWC2016的開幕的前一天，也就是2月21日將會是下一場三星Unpacked發布會。
結合之前的消息，最后我們再來回顧一下三星這兩款年度旗艦的配置。三星GalaxyS7和GalaxyS7Edge型號分別為SM-G930A、SM-G935A。
兩款手機都將根據內存
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三星 S7
橫跨多重電子應用領域、全球領先的半導體供應商意法半導體(STMicroelectronics，簡稱ST)推出符合國際零待機功耗標準的新電源管理芯片，率先為白色家電(white good)、照明及工業設備提供喚醒功能智能管理方式。這也代表著電能吸血鬼(裝置在被關掉或處于閑置狀態時仍在消耗電能)將不復存在。
最大限度降低用電設備的待機耗電量(也稱：電能吸血鬼)是設計人員長期努力的目標，這也推動了全世界啟用IEA[1]等國際組織提出的節能建議，即在2010年和2013年前將電器待機功耗分別降至1W和0
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意法半導體 MOSFET
意法半導體(STMicroelectronics，簡稱ST)的新系列功率MOSFET讓電源設計人員實現產品效能最大化，同時提升工作穩健性和安全系數。MDmeshTM K5產品是世界首款兼備超結技術優點與1500V漏源(drain-to-source)擊穿電壓(breakdown voltage)的晶體管，并已贏得亞洲及歐美主要客戶用于其重要設計中。
新產品瞄準計算機服務器及工業自動化市場。服務器要求更高的輔助開關式電源輸出功率，同時電源穩健性是最大限度減少斷電停機時間的關鍵要素，電焊、工廠自
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意法半導體 MOSFET
Wolfspeed (原CREE Power產品)推出業界首款900V SiC MOSFET系列產品，拓展了高頻電力電子應用的范圍。相比于相當于硅MOSFET，這一突破900V SiC使我們的產品的新市場通過擴大我們在終端系統解決功率范圍。該系列產品提供了更高的開關速率和更低的開關損耗，從而為電力電子工程師們提供了設計出更小，更快，更酷，更高效的電源解決方案可能。
新的900V SiC MOSFET系列產品極大的擴大了產品應用空間，能夠更好的應對不斷發展變化的應用領域，更高的直流母線電壓可以覆蓋
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Wolfspeed MOSFET
Si MOSFET管因為其輸入阻抗高，隨著其反向耐壓的提高，通態電阻也急劇上升，從而限制了其在高壓場合的應用。SiC作為一種寬禁代半導體器件，具有飽和電子漂移速度高、電場擊穿強度高、介電常數低和熱導率高等特性。世強代理的Wolfspeed的SiC MOSFET管具有阻斷電壓高、工作頻率高且耐高溫能力強，同時又具有通態電阻低和開關損耗小等特點，是高頻高壓場合功率密度提高和效率提高的應用趨勢。
SiC與Si性能對比
簡單來說，SiC主要在以下3個方面具有明顯的優勢為:擊穿電壓強度高(10倍于S
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SiC MOSFET
Diodes公司 (Diodes Incorporated) 新推出的DMN10H120SFG MOSFET作為符合IEEE 802.3標準的48V以太網供電 (PoE) 系統的開關，能夠通過以太網線纜向無線接入點、VoIP網絡電話、銷售點終端、呼叫系統、IP網絡監控鏡頭及樓房管理設備等終端應用供電。
在局域網路由器及中跨設備等供電設備內，100V N通道MOSFET把電源接到五類或六類網線。然后網線就會借由消除供終端設備內的電源降低成本，并提供電力和數據。該器件還保障了終端用戶，因為以太網
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Diodes MOSFET
三星電子次代旗艦智慧手機Galaxy S7目前傳出有望在明年初亮相，而原先傳出S7的CPU有2種版本，分別為高通(Qualcomm)Snapdragon 820、以及三星自家Exynos處理器，不過最新傳出，S7恐將打破慣例，成為三星旗下第一款將有3種CPU版本的旗艦機種!
日 本智慧手機/平板電腦評價部落格livedoor Blog 8日轉述SamMobile的報導指出，根據最新接獲的情報顯示，三星S7的CPU版本將有3款，分別為Snapdragon 820、三星次世代晶片Exynos 889
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三星 S7
功率開關是所有功率轉換器的核心組件。功率開關的工作性能直接決定了產品的可靠性和效率。若要提升功率轉換器開關電路的性能，可在功率開關上部署緩沖器，抑制電壓尖峰，并減幅開關斷開時電路電感產生的振鈴。正確設計緩沖器可提升可靠性和效率，并降低EMI。在各種不同類型的緩沖器中，電阻電容(RC)緩沖器是最受歡迎的緩沖器電路。本文介紹功率開關為何需要使用緩沖器。此外還提供一些實用小技巧，助您實現最優緩沖器設計。
圖1： 四種基本的功率開關電路
有多種不同的拓撲用于功率轉換器、
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功率開關 MOSFET
簡介：不斷的思考，不斷的理解，不斷的總結!希望大家堅持下去!
1、CS單管放大電路
共源級單管放大電路主要用于實現輸入小信號的線性放大，即獲得較高的電壓增益。在直流分析時，根據輸入的直流柵電壓即可提供電路的靜態工作點，而根據MOSFET的I-V特性曲線可知，MOSFET的靜態工作點具有較寬的動態范圍，主要表現為MOS管在飽和區的VDS具有較寬的取值范圍，小信號放大時輸入的最小電壓為VIN-VTH，最大值約為VDD，假設其在飽和區可以完全表現線性特性，并且實現信號的最大限度放大【理想條件下】
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CMOS MOSFET
摘要： 本文主要闡述了MOSFET在模塊電源中的應用，分析了MOSFET損耗特點，提出了優化方法;并且闡述了優化方法與EMI之間的關系。
關鍵詞：MOSFET 損耗分析 EMI 金升陽R3
一、引言
MOSFET作為主要的開關功率器件之一，被大量應用于模塊電源。了解MOSFET的損耗組成并對其分析，有利于優化MOSFET損耗，提高模塊電源的功率;但是一味的減少MOSFET的損耗及其他方面的損耗，反而會引起更嚴重的EMI問題，導致整個系統不能穩定工作。所以需要在減少MOSFET的損耗
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MOSFET EMI
關注高能效電源轉換的高壓集成電路業界領導者Power Integrations公司今日發布InnoSwitch™-EP系列恒壓/恒流離線反激式開關IC。新的IC產品系列采用集成式725 V MOSFET、同步整流和精確的次級反饋檢測控制，因此可提供出色的多路輸出交叉調整率，同時提供全面的輸入電壓保護和即時動態響應，并且空載功耗低于10 mW。InnoSwitch-EP IC還采用Power Integrations創新的FluxLink™技術，可設計出無需光耦的高效率、高精度和
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Power Integrations MOSFET
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