2023年4月20日，致力于亞太地區市場的領先半導體元器件分銷商---大聯大控股宣布，其旗下友尚集團推出與意法半導體（ST）共同開發的基于STELLAR-E1系列SR5E1芯片的22KW OBC結合3KW DC/DC直流輸出汽車充電器方案。 圖示1-大聯大友尚基于ST產品的22KW OBC結合3KW DC/DC汽車充電器方案的展示板圖隨著節能環保意識的逐漸提高以及碳中和目標的不斷推進，全球汽車產業正加速邁入電氣化時代。然而近幾年雖然電動汽車的出貨量逐年提高，但其續航能力和充電成本始終飽受爭議。為
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大聯大友尚 OBC DC/DC 汽車充電器
隨著新能源汽車產業的迅猛發展，充電安全及技術越發重要，車載充電機（OBC）作為交流充電的關鍵組成部分，其市場規模隨著新能源汽車市場的快速增長而擴大。據中汽協數據，2022年中國新能源汽車銷量為688.7萬輛，新能源汽車OBC市場規模約為179億元，到2025年全球OBC市場將達到660億元，潛力巨大。車載OBC電動車按充電方式可分為：混合動力電動車（HEV），插電式混合動力汽車（PHEV），增程式混合動力汽車（EREV），電池驅動的純電動汽車（BEV），氫燃料電池的純電動汽車（FCEV）。其中PHEV、E
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矽力杰 OBC
EV 車載充電器和表貼器件中的半導體電源開關在使用 SiC FET 時，可實現高達數萬瓦特的功率。我們將了解一些性能指標。引言在功率水平為 22kW 及以上的所有級別電動汽車 (EV) 車載充電器半導體開關領域，碳化硅 (SiC) MOSFET 占據明顯的優勢。UnitedSiC（如今為 Qorvo）SiC FET 具有獨特的 Si MOSFET 和 SiC JFET 級聯結構，其效率高于 IGBT，且比超結 MOSFET 更具吸引力。不過，這不僅關乎轉換系統的整體損耗。對于 EV 車主來說，成本、尺寸和
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Qorvo OBC SiC
Transphorm將在APEC2023會議上展出該產品(展位#853)。加州戈利塔和臺灣新竹—March 1, 2023 -- 高可靠性、高性能氮化鎵(GaN)功率轉換產品的先鋒企業和全球供貨商Transphorm, Inc.?(Nasdaq: TGAN)與偉詮電子 (Weltrend Semiconductor Inc.，TWSE: 2436)今天宣布雙方合作推出首款系統級封裝(SiP)的氮化鎵電源控制芯片。偉詮電子是用于適配器USB PD的控制器IC的全球領導者之一，新推出的WT7162R
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Transphorm 偉詮 集成式GaN SiP
隨著全球對環保問題的重視，在汽車領域，新能源汽車肩負著構建良好生態環境的目的和使命走在了前沿，汽車產業從不同技術路線探索環保之道。電動汽車是新能源汽車的主要技術路線之一，其核心部件車載充電機（OBC）經過幾年的發展技術日益成熟。但高效可靠，易于控制，高性價比一直是各家方案商以及零部件供應商持續追求的目標。本方案是品佳集團聯合國內高校共同設計，基于Infineon AURIX系列MCU開發的一套OBC方案。首次采用單片MCU完成原本DSP+MCU的運算任務，功率器件采用Infineon TRENCHSTOP
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Infineon TC233LP AIKW40N65DF5 OBC Aurix IGBT
新能源汽車動力域高壓化、小型化、輕型化是大勢所趨。更高的電池電壓如800V系統要求功率器件具有更高的耐壓小型化要求功率拓撲具有更高的開關頻率。碳化硅（SiC）作為第三代半導體代表，具有高頻率、高效率、小體積等優點，更適合車載充電機OBC、直流變換器 DC/DC、電機控制器等應用場景高頻驅動和高壓化的技術發展趨勢。本文主要針對SiC MOSFET的應用特點，介紹了車載充電機OBC和直流變換器DC/DC應用中的SiC MOSFET的典型使用場景，并針對SiC MOSFET的特性推薦了驅動芯片方案。最后，本文根
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TI MOSFET OBC
汽車行業發展創新突飛猛進，車載充電器（OBC）與DCDC轉換器（HV-LV DCDC）的應用因此也迅猛發展，同應對大多數工程挑戰一樣，設計人員把目光投向先進技術，以期利用現代超結硅（Super Junction Si）技術以及碳化硅（SiC）技術來提供解決方案。在追求性能的同時，對于車載產品來說，可靠性也是一個重要的話題。在車載OBC/DCDC應用中，高壓功率半導體器件用的越來越多。對于汽車級高壓半導體功率器件來說，門極氧化層的魯棒性和宇宙輻射魯棒性是可靠性非常重要的兩點。宇宙輻射很少被提及，但事實是無論
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Infineon OBC SiC
半導體制造的工藝過程由晶圓制造（Wafer Fabr ication）、晶圓測試（wafer Probe/Sorting)、芯片封裝（Assemble）、測試（Test）以及后期的成品（Finish Goods）入庫所組成。半導體器件制作工藝分為前道和后道工序，晶圓制造和測試被稱為前道（Front End）工序，而芯片的封裝、測試及成品入庫則被稱為后道（Back End）工序，前道和后道一般在不同的工廠分開處理。前道工序是從整塊硅圓片入手經多次重復的制膜、氧化、擴散，包括照相制版和光刻等工序，制成三極管、
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芯片封裝 半導體封裝 先進封裝 BGA WLP SiP 技術解析
今年，環旭電子進入智能穿戴模組領域的第九年，并在先進封裝技術的開發方面又登上新臺階。雙面塑封和薄膜塑封是環旭電子最新開發的技術，雙面塑封實現了模組的最優化設計。薄膜塑封技術的引入，實現了信號連接導出區域的最小化設計，同時可以和其他塑封區域同時在基板的同一側實現同時作業。一直以來，手機是推動微小化技術的主要動力，如今微小化技術正在多項領域體現其優勢，其中智能穿戴領域對微小化技術的需求越來越高。系統級封裝技術是為智能手表、藍牙耳機等新型智能穿戴電子產品提供高度集成化和微小化設計的關鍵技術。環旭電子不斷加強研發
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環旭電子 SiP 可穿戴
英國Pickering Electronics 公司是小型化和高性能舌簧繼電器方面的領導廠商，擁有超過50年經驗。近日它宣布推出 100HV 系列耐高壓單列直插 SIL/SIP 舌簧繼電器，提供最高3kV的額定截止電壓，且線圈電阻是之前產品的兩倍以上。高系列繼電器適合應用于變壓器、電纜測試，或任何其他要求高電壓但低線圈功耗的自動測試設備。 Pickering Electronics公司的技術專家 Kevin Mallett 對新產品作了說明：“100HV系列繼電器非常適用于需要切換電源電壓的應
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Pickering Electronic SIL/SIP 舌簧繼電器
未來的汽車將是清潔和安全的汽車，由先進的汽車功能電子化和自動駕駛技術賦能。安森美半導體汽車戰略及業務拓展副總裁 Joseph Notaro1? ?功率器件賦能電動汽車電動車可幫助實現零排放，其市場發展是令人興奮和充滿生機的，隨著電動車銷售不斷增長，必須推出滿足駕駛員需求的基礎設施，以提供一個快速充電站網絡，使他們能夠快速完成行程，而沒有“續航里程焦慮癥”。這一領域的要求正在迅速發展，需要超過350 kW 的功率水平和95% 的能效成為“常規”。鑒于這些充電樁部署在不同的環境和地點，緊湊
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新基建涵蓋了廣泛的領域，并對半導體電源設計提出了各種挑戰。其中最大的挑戰之一是要找到一種以更小尺寸和更低成本提供更多電力的方法。第二個挑戰是如何幫助設計師在這些競爭激烈的市場中脫穎而出。為應對這些挑戰，TI提供了多種解決方案。以下我將分享有關TI GaN解決方案的更多詳細信息。1 TI GaN概述：TI的集成GaN FET可用于工業和汽車市場的各類應用。TI GaN在一個封裝中集成高速柵極驅動器和保護功能，可提供優異的開關速度和低損耗。如今，我們的GaN應用于交流/直流電源和電機驅動器、電網基礎設施和汽車
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OBC GaN 202009
深耕于高壓集成電路高能效功率變換領域的知名公司Power Integrations 近日宣布?InnoSwitch?3-AQ?已經開始量產,這是一款已通過AEC-Q100認證的反激式開關IC,并且集成了750 V MOSFET和次級側檢測功能。新獲得認證的器件系列適用于電動汽車應用,如牽引逆變器、OBC(車載充電機)、EMS(能源管理DC/DC母線變換器)和BMS(電池管理系統)。?InnoSwitch3-AQ?采用Power Integrations的高速Flux
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OBC BMS EMS MOSFET IC
可編程產品平臺和技術創新企業易靈思?? 近日宣布推出其 Trion? Titanium FPGA 系列。Trion Titanium FPGA 是基于16納米工藝節點,并采用易靈思的 “Quantum? 計算架構”。“Quantum 計算架構”是受到了易靈思第一代 Trion FPGA 之基礎“Quantum 架構”的啟發,在其可交換邏輯和路由的“隨變單元” (XLR) 中增添了額外的計算和路由功能。增強的計算能力,加上利用16納米工藝實現的 3 倍性能(Fmax)的提升,使得 Trion Ti
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XLR AI FPGA IoT SIP
全球知名半導體制造商ROHM（總部位于日本京都市）開發出“1200V 第4代SiC MOSFET※1”，非常適用于包括主機逆變器在內的車載動力總成系統和工業設備的電源。對于功率半導體來說，當導通電阻降低時短路耐受時間※2就會縮短，兩者之間存在著矛盾權衡關系，因此在降低SiC MOSFET的導通電阻時，如何兼顧短路耐受時間一直是一個挑戰。此次開發的新產品，通過進一步改進ROHM獨有的雙溝槽結構※3，改善了二者之間的矛盾權衡關系，與以往產品相比，在不犧牲短路耐受時間的前提下成功地將單位面積的導通電阻降低了約4
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EV OBC MOSFET
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