7 月 25 日消息，SK 海力士宣布將在芯片生產清洗工藝中使用更環保的氣體 —— 氟氣（F2）。SK 海力士 2024 可持續發展報告顯示，該公司原先將三氟化氮（NF3）用于芯片生產過程中的清洗工藝，用于去除沉積過程中腔室內部形成的殘留物，其全球變暖潛能值（GWP）顯著高于氟氣（NF3的 GWP 為 17200，而 F2為 0）。除此之外，SK 海力士還進一步增加了氫氟酸（HF）的使用量（可用于低溫蝕刻設備），該氣體的 GWP 為 1 甚至更低，遠低于過去用于 NAND 通道孔蝕刻的氟碳氣體。
關鍵字：
SK 海力士 芯片 生產工藝 氟氣 三氟化氮
Source: Zhihao/via Getty Images總部位于美國加州硅谷的Sakuu是一家專注于為電池制造行業提供商業化設備和技術的公司，該公司日前已與韓國電動汽車電池供應商SK On簽訂了一份聯合開發協議。此次合作彰顯了兩家公司通過推動電池制造創新以解決當前行業挑戰的堅定承諾，并為下一代解決方案的發展奠定了堅實基礎。作為此次合作的一部分，兩家企業將攜手推進Sakuu干法制造工藝平臺Kavian的工業化進程。Sakuu干法制造工藝平臺Kavian有助于電池供應商轉變其業務運營模式。該公司表示，使
關鍵字：
Sakuu SK On 電動汽車電池
《科創板日報》17日訊，SK海力士計劃于2026年在其HBM生產中采用混合鍵合，目前半導體封裝公司Genesem已提供兩臺下一代混合鍵合設備安裝在SK海力士的試驗工廠，用于測試混合鍵合工藝。混合鍵合取消了銅焊盤之間使用的凸塊和銅柱，并直接鍵合焊盤，這意味著芯片制造商可以裝入更多芯片進行堆疊，并增加帶寬。
關鍵字：
SK 海力士 HBM 混合鍵合技術
7 月 13 日消息，韓媒 businesskorea 報道，英偉達、臺積電和 SK 海力士將組建“三角聯盟”，為迎接 AI 時代共同推進 HBM4 等下一代技術。SEMI 計劃今年 9 月 4 日舉辦 SEMICON 活動（其影響力可以認為是半導體行業的 CES 大展），包括臺積電在內的 1000 多家公司將展示最新的半導體設備和技術，促進了合作與創新。預計這次會議的主要焦點是下一代 HBM，特別是革命性的 HBM4 內存，它將開啟市場的新紀元。IT之家援引該媒體報道，SK 海力士總裁 Kim Joo-
關鍵字：
英偉達 臺積電 SK 海力士深 HBM4 內存
IT之家 7 月 1 日消息，據《韓國經濟日報》報道，三星電子、SK 海力士分別考慮向韓國產業銀行申請 5 萬億和 3 萬億韓元（IT之家備注：當前分別約 263.8 / 158.28 億元人民幣）低息貸款，用于業務擴張。韓國產業銀行由韓國政府全資控股，是韓國唯一的政策性金融機構，主要為韓國國家經濟發展提供長期資金。韓國企劃和財政部此前公布了“半導體生態系統綜合支持計劃”。作為該計劃的一部分，韓國產業銀行將向半導體企業發放 17 萬億韓元低息貸款，其中大企業可獲得 0.8~1% 利率折讓，而中小
關鍵字：
三星電子 SK 海力士
IT之家 6 月 19 日消息，韓媒 ETNews 援引業內人士的話稱，韓國兩大存儲巨頭三星電子和 SK 海力士目前的通用 DRAM 內存產能利用率維持在 80~90% 水平。韓媒宣稱，這一情況同主要企業已實現生產正常化的 NAND 閃存產業形成鮮明對比：除鎧俠外，三星電子和 SK 海力士也已于本季度實現 NAND 產線滿負荷運行。報道指出，目前通用 DRAM （IT之家注：即常規 DDR、LPDDR）需求整體萎靡，市場仍呈現供大于求的局面，是下游傳統服務器、智能手機和 PC 產業復蘇緩慢導致的
關鍵字：
DRAM 閃存 三星 海力士
在本系列第六篇文章中，我們介紹了傳統封裝的組裝流程。本文將是接下來的兩篇文章中的第一集，重點介紹半導體封裝的另一種主要方法——晶圓級封裝(WLP)。本文將探討晶圓級封裝的五項基本工藝，包括：光刻(Photolithography)工藝、濺射(Sputtering)工藝、電鍍(Electroplating)工藝、光刻膠去膠(PR Stripping)工藝和金屬刻蝕(Metal Etching)工藝。封裝完整晶圓晶圓級封裝是指晶圓切割前的工藝。晶圓級封裝分為扇入型晶圓級芯片封裝（Fan-In WLCSP）和扇
關鍵字：
海力士 封裝工藝
IT之家 5 月 14 日消息，據韓媒 Hankyung 報道，兩大存儲巨頭 SK 海力士、三星電子在出席本月早前舉行的投資者活動時表示，整體 DRAM 生產線中已有兩成用于 HBM 內存的生產。相較于通用 DRAM，HBM 內存坐擁更高單價，不過由于 TSV 工藝良率不佳等原因，對晶圓的消耗量是傳統內存的兩倍乃至三倍。內存企業唯有提升產線占比才能滿足不斷成長的 HBM 需求。正是在這種“產能占用”的背景下，三星電子代表預計，不僅 HBM 內存，通用 DRAM（如標準 DDR5）的價格年內也不會
關鍵字：
海力士 三星 DRAM
2022年末，ChatGPT的面世無疑成為了引領AI浪潮的標志性事件，宣告著新一輪科技革命的到來。從ChatGPT掀起的一片浪花，到無數大模型席卷全球浪潮，AI的浪潮一浪高過一浪。 在這波浪潮中，伴隨著人才、數據、算力的不斷升級，AI產業正展現出巨大的潛力和應用前景，并在多個領域展現出重要作用。AI的快速發展對算力的需求呈現井噴的態勢，全球算力規模超高速增長。在這場浪潮中，最大的受益者無疑是英偉達，其憑借在GPU領域的優勢脫穎而出，然
關鍵字：
三星 海力士 美光 HBM
近期，三大存儲原廠陸續公布財報情況。西部數據：2024財年第三財季營收34.57億美元，同比增長23%。在Non-GAAP會計準則下，西部數據凈利潤為2.10億美元，上年同期凈虧損為4.35億美元，成功扭虧為盈。按業務劃分，西部數據該季云業務營收為15.53億美元，同比增長29%；客戶業務營收為11.74億美元，同比增長20%；消費者業務營收為7.30億美元，同比增長17%。按產品來看，西部數據NAND閃存營收達17.05億美元，HDD營收17.52億美元。展望下一季度，西部數據預計公司營收為36.0億-
關鍵字：
美光 海力士 西部數據
·結合并收入為12.4296萬億韓元，營業利潤為2.886萬億韓元，凈利潤為1.917萬億韓元·第一季度收入創同期歷史新高，營業利潤創同期歷史第二高·由于eSSD銷量增加及價格上升，NAND閃存成功實現扭虧為盈·“憑借面向AI的存儲器頂尖競爭力，將持續改善公司業績”2024年4月25日，SK海力士發布截至2024年3月31日的2024財年第一季度財務報告。公司2024財年第一季度結合并收入為12.4296萬億韓元，營業利潤為2.886萬億韓元，凈利潤為1.917萬億韓元。2024財年第一季度營業利潤率為2
關鍵字：
海力士 SK 財報
·雙方就HBM4研發和下一代封裝技術合作簽署諒解備忘錄·通過采用臺積電的先進制程工藝，提升HBM4產品性能·“以構建IC設計廠、晶圓代工廠、存儲器廠三方合作的方式，突破面向AI應用的存儲器性能極限”2024年4月19日，SK海力士宣布，公司就下一代HBM產品生產和加強整合HBM與邏輯層的先進封裝技術，將與臺積電公司密切合作，雙方近期簽署了諒解備忘錄（MOU）。公司計劃與臺積電合作開發預計在2026年投產的HBM4，即第六代HBM產品。SK海力士表示：“公司作為AI應用的存儲器領域的領先者，與全球頂級邏輯代
關鍵字：
海力士 HBM 臺積電
據韓聯社報道，韓國SK創新旗下電池部門SK On可能會按照客戶需求，從2026年開始大規模量產磷酸鐵鋰（LFP）電池。SK On首席執行官兼總裁Lee Seok-hee在2024年首爾電池儲能展覽會上表示：“公司內部已經完成了磷酸鐵鋰電池的自主研發，如果我們與客戶完成協商，將從2026年開始實現量產。”Lee Seok-hee預計，通常用于中短續航里程電動汽車的磷酸鐵鋰電池的市場需求將迎來激增。Source: Getty Images分析觀點深度解析盡管磷酸鐵鋰電池的能量密度較低，導致電動汽車的續航里程相
關鍵字：
SK On 磷酸鐵鋰電池
· 繼HBM3，其擴展版HBM3E也率先進入量產階段· 研發完成后僅隔7個月開始向客戶供貨，期待能實現最高性能的AI· “將維持用于AI的存儲技術全球領先地位，并鞏固業務競爭力”2024年3月19日，SK海力士今日宣布，公司率先成功量產超高性能用于AI的存儲器新產品HBM3E*，將在3月末開始向客戶供貨。這是公司去年8月宣布開發完成HBM3E后，僅隔7個月取得的成果。SK海力士表示，“繼HBM3，公司實現了全球首次向客戶供應現有DRAM最高性能的HBM3E。將通過成功HBM3
關鍵字：
SK 海力士 存儲 AI
sk 海力士介紹
您好，目前還沒有人創建詞條sk 海力士!
歡迎您創建該詞條，闡述對sk 海力士的理解，并與今后在此搜索sk 海力士的朋友們分享。
創建詞條
關于我們 -
廣告服務 -
企業會員服務 -
網站地圖 -
聯系我們 -
征稿 -
友情鏈接 -
手機EEPW
Copyright ?2000-2015 ELECTRONIC ENGINEERING & PRODUCT WORLD. All rights reserved.
《電子產品世界》雜志社 版權所有 北京東曉國際技術信息咨詢有限公司
京ICP備12027778號-2 北京市公安局備案：1101082052 京公網安備11010802012473
京ICP備12027778號-2 北京市公安局備案：1101082052 京公網安備11010802012473