- 假設8個月前你駕車駛上了一個帶急轉彎的高速公路坡道。由于轉彎時速度太快，汽車自動采取了主動安全和懸掛措施來避免駛離道路。
主動安全措施包括汽車制動、電子穩定控制和安全帶的預拉。智能汽車可以記憶曾采取的主動安全措施以及當時的速度、GPS位置和軸承的情況。
現在假設你的配偶正在前述坡道上駕車行駛，但這次是在下雨天。通過調用8個月前記憶的坡道位置和車輛軸承情況，以及了解當前路況的濕滑程度，智能汽車能提前采取正確措施來防止汽車滑出坡道并撞上迎面而來的卡車。
上述事例展示了全面調用(total
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存儲器 智能汽車 SRAM 導航 電子穩定控制
- 美國飛思卡爾半導體（FreescaleSemiconductor）上市了配備Power架構CPU內核“e200z0”的車用32bit微控制器的三個系列“MPC560xP”、“MPC560xS”及“MPC560xB”（英文發布資料）。這些產品均為與意法合資的意法半導體（STMicroelectronics）聯合開發。采用了90nm工藝技術制造。
MPC560xP系列適用于汽車的底盤及安全控制。主要用
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飛思卡爾 意法半導體 MPC560xS SRAM CPU
- 隨著信息科學的飛速發展，數據采集和存儲技術廣泛應用于雷達、通信、遙測遙感等領域。在高速數據采集系統中，由ADC轉換后的數據需要存儲在存儲器 中，再進行相應的處理，保證快速準確的數據傳輸處理是實現高速數據采集的一個關鍵。由于高速ADC的轉換率很高，而大容量RAM相對ADC輸出速度較慢， 保持高速數據存儲過程的可靠性、實時性是一個比較棘手的問題。對于數據采集系統中的大容量高速度數據存儲、傳輸，本文提出一種基于FPGA的多片RAM實 現高速數據的存儲和傳輸的方案，并應用于1GS/s數據采集系統中，實現了以低
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數據采集 存儲 傳輸 ADC SRAM RAM FIFO
- 近日，瑞薩科技公司（Renesas Technology Corp.）推出總共八款SH7262和SH7264高性能32位微控制器新產品型號，這些集成了1M字節片上SRAM的器件適用于數字音頻和圖形儀表盤應用。樣品將從2008年8月開始在日本交付。
作為SuperH*1 系列32位RISC微控制器/微處理器的組成部分，SH7262和SH7264屬于針對數字音頻應用的SH7260系列微控制器。芯片上集成的1M字節SRAM，可以用來取代外部SDRAM。這將有助于實現主要采用單芯片的圖形儀表盤系統強大的
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瑞薩科技 SRAM 微控制器 數字音頻 圖形儀表盤 芯片
- 基于SRAM的可重配置PLD（可編程邏輯器件）的出現，為系統設計者動態改變運行電路中PLD的邏輯功能創造了條件。PLD使用SRAM單元來保存字的配置數據決定了PLD內部互連和功能，改變這些數據，也就改變了器件的邏輯功能。
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SRAM 可重配置 電路
- 分別基于Hynix公司的SRAM HY64UDl6322A和DRAM HY57V281620E，介紹了采用兩種不同的RAM結構，通過CPLD來設計并實現大容量FIFO的方法。
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SRAM DRAM FIFO 大容量
- 如今，電子技術發展迅猛，尤其是單片機已廣泛地應用于通信、交通、家用電器、便攜式智能儀表和機器人制作等領域，產品功能、精度和質量均有大幅度提高，且電路簡單，故障率低，可靠性高，價格低廉。在單片機的某些應用中，如果不對系統的外部SRAM進行擴展，就不能滿足系統設計的要求。因此如何擴展、擴展什么類型的芯片、擴展的容量多大就成為值得考慮的問題。這個問題解決的好與壞直接關系到項目的成敗。本文介紹在AVR ATmegal28中如何實現擴展掉電數據不丟失的512 KB SRAM的方案。
1 系統硬件結構
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ATmegal28 SRAM
- 基于SRAM結構的FPGA容量大，可重復操作，應用相當廣泛;但其結構類似于SRAM，掉電后數據丟失，因此每次上電時都需重新加載。
目前實現加載的方法通常有兩種：一種是用專用Cable通過JTAG口進行數據加載，另一種是外掛與該FPGA廠商配套的PROM芯片。前者需要在PC機上運行專用的加載軟件，直接下載到FPGA片內，所以掉電數據仍然會丟失，只適用于FPGA調試階段而不能應用于工業現場的數據加載。
后者雖然可以解決數據丟失問題，但這種專用芯片成本較高，供貨周期也較長(一般大于2個月)，使F
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SRAM TMS320C61416 FPGA
- 鐵電存儲器同時具備可存儲大量資料的動態隨機存儲器DRAM)與高速運作的靜態隨機存儲器(SRAM)的優點，且在斷電后，資料不會消失，亦具備快閃存儲器的優點。在所有非易失性存儲器(NVM)中，鐵電存儲器件被認為是最有吸引力的用于IT的存儲器件之一[1]。1T單元體積更小，集成度更高。特別是這種方式易于實現多值存儲，在相同規模下可以達到更高的存儲容量，因而在提高性價比方面具有極大的優勢。
為了系統地從理論上研究鐵電存儲器IT單元特性，米勒首先提出了數學模型[2]。后人也有用實驗數據、依據實驗數據得到的
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存儲器 SRAM NVM 存儲器
- 針對嵌入式系統的低功耗要求，采用位線分割結構和存儲陣列分塊譯碼結構，完成了64 kb低功耗SRAM模塊的設計。 與一般布局的存儲器相比，采用這兩種技術使存儲器的功耗降低了43% ，而面積僅增加了18%。
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DBL 嵌入式系統 SRAM 低功耗 嵌入式
- 如果你認為過去的歸過去，未來的歸未來，那么你就錯了，因為沒有過去就不會有現在，沒有現在當然就不會有未來。然而過去、現在、未來之間是如何相互依存的呢？從某方面來說這是神秘難以解答的一件事，但簡單來講就是靠記憶的作用，過去雖然不存在了，卻可以回想，未來雖然還沒有決定，現在卻可以一步步去計劃、設想與實踐
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NVM SRAM DRAM
- 本文針對 CPLD的核心可編程結構：P-Term和可編程互連線，采用2.5V、0.25μmCMOS工藝設計了功能相近的基于SRAM編程技術的可重構電路結構。
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SRAM PLD 編程技術 核心
- 摘要：首先對采用SRAM工藝的FPGA的保密性和加密方法進行原理分析，然后提出一種實用的采用單片機產生長偽隨機碼實現加密的方法，并詳細介紹具體的電路和程序。
關鍵詞：靜態隨機存儲器（SRAM） 現場可編程門陣列（FPGA） 加密
在現代電子系統設計中，由于可編程邏輯器件的卓越性能、靈活方便的可升級特性，而得到了廣泛的應用。由于大規模高密度可編程邏輯器件多采用SRAM工藝，要求每次上電，對FPGA器件進行重配置，這就使得可以通過監視配置的位數據流，進行克隆
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靜態隨機存儲器（SRAM） 現場可編程門陣列（FPGA） 加密 MCU和嵌入式微處理器
- 在現代電子系統設計中，由于可編程邏輯器件的卓越性能、靈活方便的可升級特性，而得到了廣泛的應用。由于大規模高密度可編程邏輯器件多采用SRAM工藝，要求每次上電，對FPGA器件進行重配置，這就使得可以通過監視配置的位數據流，進行克隆設計。因此，在關鍵、核心設備中，必須采用加密技術保護設計者的知識產權。 1 基于SRAM工藝FPGA的保密性問題 通常，采用SRAM工藝的
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嵌入式系統 單片機 SRAM FPGA 加密 嵌入式
- 2007年6月12日，瑞薩開發出一種可在32 nm(納米)及以上工藝有效實現SRAM的技術，以用于集成在微處理器或SoC(系統級芯片)中的片上SRAM。
- 關鍵字：
瑞薩 SRAM Renesas
sram介紹
SRAM是英文Static RAM的縮寫，它是一種具有靜止存取功能的內存，不需要刷新電路即能保存它內部存儲的數據。不像DRAM內存那樣需要刷新電路，每隔一段時間，固定要對DRAM刷新充電一次，否則內部的數據即會消失，因此SRAM具有較高的性能，但是SRAM也有它的缺點，即它的集成度較低，相同容量的DRAM內存可以設計為較小的體積，但是SRAM卻需要很大的體積，所以在主板上SRAM存儲器要占用一 [
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