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super junction mosfet 文章 最新資訊

用于車載充電器應用的1200 V SiC MOSFET模塊使用指南

  • 隨著電動汽車的車載充電器 (OBC) 迅速向更高功率和更高開關頻率發展，對 SiC MOSFET 的需求也在增長。許多高壓分立 SiC MOSFET 已經上市，工程師也在利用它們的性能優勢設計 OBC 系統。要注意的是，PFC 拓撲結構的變化非常顯著。設計人員正在采用基于 SiC MOSFET 的無橋 PFC 拓撲，因為它有著卓越的開關性能和較小的反向恢復特性。眾所周知，使用 SiC MOSFET 模塊可提供電氣和熱性能以及功率密度方面的優勢。安森美 (onsemi) 在使用 Si MOSFET 技術的汽
  • 關鍵字： 安森美  車載充電器  MOSFET  

三極管用飽和Rce，而MOSFET用飽和Vds？

  • MOSFET和三極管，在ON 狀態時，MOSFET通常用Rds，三極管通常用飽和Vce。那么是否存在能夠反過來的情況，三極管用飽和Rce，而MOSFET用飽和Vds呢？MOSFET和三極管，在ON 狀態時，MOSFET通常用Rds，三極管通常用飽和Vce。那么是否存在能夠反過來的情況，三極管用飽和Rce，而MOSFET用飽和Vds呢？三極管ON狀態時工作于飽和區，導通電流Ice主要由Ib與Vce決定，由于三極管的基極驅動電流Ib一般不能保持恒定，因而Ice就不能簡單的僅 由Vce來決定，即不能采用飽和Rc
  • 關鍵字： 三極管  MOSFET  

如何利用1200 V EliteSiC MOSFET 模塊，打造充電更快的車載充電器？

  • 要能快速高效地為電動車更大的電池充電，電動車才能在市場普及并發展。2021 年，市場上排名前 12 位的電動汽車的平均電池容量為 80 kW-hr。消費者主要在家中使用車輛的車載充電器(OBC) 進行充電。為確保合理的車輛充電時間，OEM 還將 OBC 的功率容量從 6.6 kW 提高到 11 kW，甚至高達 22 kW。使用 6.6 kW OBC 時，這些電動汽車需要 12.1 小時才能充滿電。而將 OBC 功率增加到 11 kW 后，充電時間縮短至 7.3 小時，而使用 22 kW OBC 時，只需
  • 關鍵字： MOSFET  車載充電器  

中國電科55所高性能高可靠碳化硅MOSFET成功通過技術鑒定

  • 近日，中國電科55所牽頭研發的“高性能高可靠碳化硅MOSFET技術及應用”成功通過技術鑒定。鑒定委員會認為，該項目技術難度大，創新性顯著，總體技術達到國際先進水平。該項目聚焦新能源汽車、光伏儲能、智能電網等領域對高性能高可靠碳化硅MOSFET器件自主創新的迫切需求，突破多項關鍵工藝技術，貫通碳化硅襯底、外延、芯片、模塊全產業鏈量產平臺，國內率先研制出750V/150A和6500V/25A的大電流碳化硅MOSFET器件，實現新能源汽車、光伏、智能電網等領域碳化硅MOSFET批量供貨，有力保障碳化硅功率器件供
  • 關鍵字： 中國電科  55所  碳化硅  MOSFET  

SMPD先進絕緣封裝充分發揮SiC MOSFET優勢

  • SMPD可用于標準拓撲結構，如降壓、升壓、橋臂(phase-leg)，甚至是定制的組合。它們可用于各種技術產品，如Si/SiC MOSFET、IGBT、二極管、晶閘管、三端雙向可控硅，或定制組合，具有從40V到3000V不同電壓等級。ISOPLUS - SMPD 及其優勢SMPD代表表面安裝功率器件(Surface Mount Power Device)，是先進的頂部散熱絕緣封裝，由IXYS（現在是Littelfuse公司的一部分）在2012年開發。SMPD只有硬幣大小，具有幾項關鍵優勢：· 
  • 關鍵字： Littelfuse  SMPD  MOSFET  

安森美與Kempower就電動汽車充電樁達成戰略協議

  • 2023 年 5 月 16 日—智能電源和智能感知技術的領導者安森美（onsemi，美國納斯達克上市代號：ON），宣布與Kempower達成戰略協議，將為Kempower 提供EliteSiC MOSFET和二極管，用于可擴展的電動汽車（EV）充電樁。雙方此項合作使得Kempower能采用包括安森美EliteSiC產品在內的各種功率半導體技術，開發電動汽車充電方案套件。這些器件將用于有源AC-DC前端以及初級側和次級側的DC-DC轉換器。  安森美為Kempower 的Satellit
  • 關鍵字： 安森美  Kempower  充電樁  EliteSiC MOSFET  電動汽車快充  

Nexperia首創交互式數據手冊，助力工程師隨時隨地分析MOSFET行為

  • 奈梅亨，2023年5月11日：基礎半導體器件領域的高產能生產專家Nexperia今天宣布推出與功率MOSFET配套使用的新一代交互式數據手冊，大幅提升了對半導體工程師的設計支持標準。通過操作數據手冊中的交互式滑塊，用戶可以手動調整其電路應用的電壓、電流、溫度和其他條件，并觀察器件的工作點如何動態響應這些變化。 這些交互式數據手冊使用Nexperia的高級電熱模型計算器件的工作點，可有效地為電路仿真器提供一種圖形用戶界面。此外，工程師借助這些交互式數據手冊可以即時查看柵極電壓、漏極電流、RDS(o
  • 關鍵字： Nexperia  交互式數據手冊  MOSFET   

MOSFET電路不可不知

  • MOSFET已成為最常用的三端器件，給電子電路界帶來了一場革命。沒有MOSFET，現在集成電路的設計似乎是不可能的。它們非常小，制造過程非常簡單。由于MOSFET的特性，模擬電路和數字電路都成功地實現了集成電路，MOSFET電路可以從大信號模型小信號模型兩種方式進行分析。大信號模型是非線性的。它用于求解器件電流和電壓的de值。小信號模型可以在大信號模型線性化的基礎上推導出來。截止區、三極管區和飽和區是MOSFET的三個工作區。當柵源電壓(VGS)小于閾值電壓(Vtn)時，器件處于截止區。當MOSFET用作
  • 關鍵字： 雷卯  MOSFET  

SiC MOSFET的設計挑戰——如何平衡性能與可靠性

  • 碳化硅（SiC）的性能潛力是毋庸置疑的，但設計者必須掌握一個關鍵的挑戰：確定哪種設計方法能夠在其應用中取得最大的成功。先進的器件設計都會非常關注導通電阻，將其作為特定技術的主要基準參數。然而，工程師們必須在主要性能指標（如電阻和開關損耗），與實際應用需考慮的其他因素（如足夠的可靠性）之間找到適當的平衡。優秀的器件應該允許一定的設計自由度，以便在不對工藝和版圖進行重大改變的情況下適應各種工況的需要。然而，關鍵的性能指標仍然是盡可能低的比電阻，并結合其他重要的參數。圖1顯示了我們認為必不可少的幾個標準，或許還
  • 關鍵字： 英飛凌  SiC  MOSFET  

功率半導體“放量年”，IGBT、MOSFET與SIC的思考

  • 4月24日，東芝電子元器件及存儲裝置株式會社宣布，在石川縣能美市的加賀東芝電子公司舉行了一座可處理300毫米晶圓的新功率半導體制造工廠的奠基儀式。該工廠是其主要的分立半導體生產基地。施工將分兩個階段進行，第一階段的生產計劃在2024財年內開始。東芝還將在新工廠附近建造一座辦公樓，以應對人員的增加。此外，今年2月下旬，日經亞洲報道，東芝計劃到2024年將碳化硅功率半導體的產量增加3倍以上，到2026年增加10倍。而據日媒3月16日最新消息，東芝又宣布要增加SiC外延片生產環節，布局完成后將形成：外延設備+外
  • 關鍵字： 功率半導體  IGBT  MOSFET  SIC  

優化SiC MOSFET的柵極驅動

  • 在高壓開關電源應用中，相較傳統的硅MOSFET和IGBT，碳化硅（以下簡稱“SiC”）MOSFET 有明顯的優勢。使用硅MOSFET可以實現高頻（數百千赫茲）開關，但它們不能用于非常高的電壓（>1 000 V）。而IGBT 雖然可以在高壓下使用，但其 “拖尾電流 “和緩慢的關斷使其僅限于低頻開關應用。SiC MOSFET則兩全其美，可實現在高壓下的高頻開關。然而，SiC MOSFET 的獨特器件特性意味著它們對柵極驅動電路有特殊的要求。了解這些特性后，設計人員就可以選擇能夠提高器件可靠性和整體開關性
  • 關鍵字： SiC MOSFET  柵極驅動  安森美  

ROHM開發出超低導通電阻的Nch MOSFET

  • 新推出40V～150V耐壓的共13款產品，非常適用于工業設備電源和各種電機驅動全球知名半導體制造商ROHM（總部位于日本京都市）新推出“RS6xxxxBx / RH6xxxxBx系列”共13款Nch MOSFET*1產品（40V/60V/80V/100V/150V），這些產品非常適合驅動以24V、36V、48V級電源供電的應用，例如基站和服務器用的電源、工業和消費電子設備用的電機等。近年來，全球電力需求量持續增長，如何有效利用電力已成為迫在眉睫的課題，這就要求不斷提高各種電機和基站、服務器等工業設備的工作
  • 關鍵字： ROHM  超低導通電阻  Nch MOSFET  

Diodes 公司推出功率密度更高的工業級碳化硅 MOSFET

  • 【2023 年 4 月 13 日美國德州普拉諾訊】Diodes 公司 (Diodes) (Nasdaq：DIOD) 推出碳化硅 (SiC) 系列最新產品：DMWS120H100SM4 N 通道碳化硅 MOSFET。這款裝置可以滿足工業馬達驅動、太陽能逆變器、數據中心及電信電源供應、直流對直流 (DC-DC) 轉換器和電動車 (EV) 電池充電器等應用，對更高效率與更高功率密度的需求。?DMWS120H100SM4 在高電壓 (1200V) 和汲極電流 (可達 37A) 的條件下運作，同時維持低導
  • 關鍵字： Diodes  碳化硅 MOSFET  

基于Infineon S7 MOSFET 主動式電源整流方案

  • 因應日趨嚴苛的能源效率規范，特別是像server power的應用，從白金效率甚至是鈦金效率。Infineon推出全新S7系列MOSFET，提供在靜態切換的應用場合，減少功率損耗以提升效率，特別是針對高輸出功率的產品設計。S7系列MOSFET應用在active bridge目的在取代原有bridge diode以提升系統效率，與傳統bridge diode相比，在230Vac輸入時在50% load約可提高0.5%，而115Vac輸入時在50% load約可提高1%。利用JRC NJ393C OP比較器搭
  • 關鍵字： Infineon  S7 MOSFET  電源整流  

同時實現業內出色低噪聲特性和超快反向恢復時間的600V耐壓Super Junction MOSFET“R60xxRNx系列”

  • 全球知名半導體制造商ROHM（總部位于日本京都市）在其600V耐壓Super Junction MOSFET*1 “PrestoMOS?”產品陣容中，又新增“R60xxRNx系列”3款新產品，非常適用于冰箱和換氣扇等對低噪聲特性要求很高的小型電機驅動。近年來，全球電力供應日趨緊張，這就要求設備要更加節能。據了解，電機所需的電力占全球電力總需求的50%左右。因此，在電機驅動中擔負功率轉換工作的逆變電路，越來越多地開始采用高效率MOSFET。另一方面，針對使用MOSFET時所產生的噪聲，主要通過添加部件和改變
  • 關鍵字： 超快反向恢復時間  Super Junction MOSFET  MOSFET  
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super junction mosfet介紹

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