(2020.11.23)半導(dǎo)體一周要聞

發(fā)布人：qiushiyuan 時(shí)間：2020-11-24 來(lái)源：工程師

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半導(dǎo)體一周要聞

2020.11.16- 2020.11.20

長(zhǎng)江存儲(chǔ)CEO楊士寧：長(zhǎng)江存儲(chǔ)3年走過(guò)國(guó)際廠商6年的路！

長(zhǎng)江存儲(chǔ)于2018年8月正式推出自家的獨(dú)門(mén)絕技Xtacking?架構(gòu)。首款采用Xtacking?架構(gòu)，密度與業(yè)界96層看齊，具有一定成本優(yōu)勢(shì)的64層堆棧式閃存則是長(zhǎng)江存儲(chǔ)真正意義上面向市場(chǎng)推出的“處女作”，自2019年第三季度起實(shí)現(xiàn)規(guī)模量產(chǎn)。

傳統(tǒng)3D NAND架構(gòu)中，外圍電路約占芯片面積的20~30%，降低了芯片的存儲(chǔ)密度。隨著3D NAND技術(shù)堆疊到128層甚至更高，外圍電路可能會(huì)占到芯片整體面積的50%以上。Xtacking?技術(shù)將外圍電路置于存儲(chǔ)單元之上，從而實(shí)現(xiàn)比傳統(tǒng)3D NAND更高的存儲(chǔ)密度。

當(dāng)兩片晶圓各自完工后，創(chuàng)新的Xtacking?技術(shù)只需一個(gè)處理步驟就可通過(guò)數(shù)十億根金屬VIA(Vertical Interconnect Accesses，垂直互聯(lián)通道)將兩片晶圓鍵合接通電路，而且只增加了有限的成本。

楊士寧介紹，Xtacking主要具有四方面優(yōu)勢(shì)：一是速度快，具有更好的性能表現(xiàn)；二是工藝更結(jié)實(shí)；三是成本可控，因?yàn)槊芏雀撸凰氖蔷哂懈叩撵`活性。與國(guó)際存儲(chǔ)大廠相比，長(zhǎng)江存儲(chǔ)表示，公司用短短3年時(shí)間實(shí)現(xiàn)了從32層到64層再到128層的跨越。長(zhǎng)江存儲(chǔ)3年完成了他們6年走過(guò)的路，楊士寧直言，長(zhǎng)江存儲(chǔ)不做最后一名，爭(zhēng)取公司的下一代產(chǎn)品能夠達(dá)到行業(yè)前沿。

2020年全球晶圓代工產(chǎn)值年增或創(chuàng)近十年新高

TrendForce集邦咨詢(xún)旗下半導(dǎo)體研究處表示，2020年疫情導(dǎo)致眾多產(chǎn)業(yè)受到?jīng)_擊，然受惠于遠(yuǎn)距辦公與教學(xué)的新生活常態(tài)，加上5G智能手機(jī)滲透率提升，以及相關(guān)基礎(chǔ)建設(shè)需求強(qiáng)勁的帶動(dòng)，使全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)逆勢(shì)上揚(yáng)，預(yù)估2020年全球晶圓代工產(chǎn)值年成長(zhǎng)將高達(dá)23.8%，突破近十年高峰。

觀察目前最先進(jìn)的5nm制程，臺(tái)積電在華為旗下海思遭美禁令限制后，2020年初才量產(chǎn)的5nm制程僅剩蘋(píng)果為唯一客戶，即便蘋(píng)果積極導(dǎo)入自研Mac CPU及應(yīng)用于服務(wù)器的FPGA加速卡，其總投片量仍難以完全彌補(bǔ)海思空缺的產(chǎn)能，導(dǎo)致5nm稼動(dòng)率在今年下半年落在約85~90%。

TrendForce集邦咨詢(xún)認(rèn)為，臺(tái)積電5nm需求在2022年將相對(duì)穩(wěn)定及強(qiáng)勁，且3nm制程亦將于2022年下半年量產(chǎn)，可望進(jìn)一步推升其市占。

集創(chuàng)北方張晉芳：顯示驅(qū)動(dòng)芯片將在拉動(dòng)國(guó)產(chǎn)供應(yīng)鏈條中扮演重要角色

顯示專(zhuān)用芯片仍受制于人。中國(guó)大陸顯示面板企業(yè)每年高端顯示芯片的采購(gòu)金額超過(guò)300億元，95%來(lái)自美國(guó)、韓國(guó)、中國(guó)臺(tái)灣企業(yè)。張晉芳指出，驅(qū)動(dòng)芯片本土化率非常低，其中電視主控SoC芯片國(guó)產(chǎn)化率不超過(guò)10%，T-CON、驅(qū)動(dòng)IC、電源管理芯片等顯示專(zhuān)用芯片國(guó)產(chǎn)化率不到5%。

根據(jù)超高清新型顯示專(zhuān)用芯片各細(xì)分領(lǐng)域的市場(chǎng)規(guī)模測(cè)算，中國(guó)顯示專(zhuān)用芯片進(jìn)口替代需求旺盛，折合12英寸產(chǎn)能為22萬(wàn)片/月，但是目前顯示芯片產(chǎn)能主要集中在海外代工廠。面對(duì)巨大的市場(chǎng)機(jī)遇，國(guó)內(nèi)代工廠正在積極布局。張晉芳透露，中芯國(guó)際、晶合正在加速推動(dòng)顯示驅(qū)動(dòng)芯片產(chǎn)業(yè)鏈條發(fā)展，中芯國(guó)際目前產(chǎn)能應(yīng)用于顯示芯片占比較少，未來(lái)產(chǎn)能會(huì)逐步加大。

芯恩大股東變更！青島興橙集電退出新增股東為青島澳柯瑪控股集團(tuán)全資子公司

企查查顯示，近日，芯恩（青島）集成電路有限公司（簡(jiǎn)稱(chēng)“芯恩”）發(fā)生股東變更，“青島興橙集電股權(quán)投資合伙企業(yè)（有限合伙）”（簡(jiǎn)稱(chēng)“青島興橙集電”）退出，新增“青島澳柯瑪云聯(lián)信息技術(shù)有限公司”，其中青島澳柯瑪云聯(lián)信息技術(shù)有限公司持股比例達(dá)57.10%。

13億元私募債違約后續(xù)：紫光系24點(diǎn)5億美元債被停，母公司回應(yīng)

紫光集團(tuán)本該于11月16日前清償“17紫光PPN005”13億元債務(wù)至今未能兌付引發(fā)市場(chǎng)關(guān)注，還拖累“紫光系”24.5億美元債券被暫停交易。對(duì)此，母公司清華控股回應(yīng)。

針對(duì)此事，清華控股有限公司周三晚間發(fā)布公告稱(chēng)，控股子公司紫光集團(tuán)有限公司發(fā)行的“17紫光PPN005”未能按期償付本息，已構(gòu)成實(shí)質(zhì)性違約；對(duì)于需要披露的特殊條款執(zhí)行情況，則尚在確認(rèn)中。

傳東芝擬出售兩座8英寸晶圓廠給聯(lián)電

MoneyDJ援引日刊工業(yè)新聞消息報(bào)道，多名知情人士透露，東芝已與聯(lián)電展開(kāi)協(xié)商，計(jì)劃出售兩座晶圓廠給聯(lián)電，雙方最快在2021年3月底前達(dá)成協(xié)議。

中微公司7月2日至11月17日累計(jì)獲得政府補(bǔ)助4356.48萬(wàn)元

中微半導(dǎo)體設(shè)備（上海）股份有限公司（以下簡(jiǎn)稱(chēng)“中微公司”）今日發(fā)布公告稱(chēng)，公司自2020年7月2日至2020年11月17日，累計(jì)獲得政府補(bǔ)助款項(xiàng)共計(jì)人民幣4356.48萬(wàn)元，均與收益相關(guān)。

中芯國(guó)際發(fā)力封裝

知情人士向日經(jīng)新聞透露，臺(tái)積電計(jì)劃在其正在臺(tái)灣苗栗市興建的芯片封裝廠使用其新型3D堆疊技術(shù)。消息人士稱(chēng)，谷歌和AMD將成為其首批SoIC芯片的客戶，并將幫助臺(tái)積電對(duì)這些芯片進(jìn)行測(cè)試和認(rèn)證。該工廠的建設(shè)計(jì)劃明年完工，將于2022年開(kāi)始大規(guī)模生產(chǎn)。

另?yè)?jù)多名消息人士透露，中芯國(guó)際也在考慮建立類(lèi)似的先進(jìn)芯片封裝能力，并已向臺(tái)積電的一些供應(yīng)商訂購(gòu)設(shè)備，以運(yùn)營(yíng)一條小規(guī)模的先進(jìn)封裝生產(chǎn)線。

華為笑了，美國(guó)傳來(lái)大消息，全世界都沸騰了！

剛剛突然傳來(lái)大消息！已有5家芯片廠商獲得許可，繼續(xù)供貨華為，他們分別是索尼、豪威科技，以及AMD、英特爾和臺(tái)積電。同時(shí)，高通、聯(lián)發(fā)科、SK海力士、美光等廠商正在積極的申請(qǐng)?jiān)S可。

原因有二：一是怕倒逼華為真的搞出芯片，把這個(gè)上萬(wàn)億的市場(chǎng)砸手上了；二是中國(guó)市場(chǎng)需求巨大，如果徹底斷供華為，對(duì)整個(gè)產(chǎn)業(yè)鏈特別是美國(guó)企業(yè)，會(huì)造成巨大沖擊。

TrendForce：臺(tái)積電2021年底將囊括近六成先進(jìn)制程市占

展望2021年，除蘋(píng)果持續(xù)以5nm+生產(chǎn)A15 Bionic外，AMD 5nm Zen 4架構(gòu)產(chǎn)品也將開(kāi)始小量試產(chǎn)，支撐5nm稼動(dòng)率維持在85~90%。

值得一提的是，2021年底至2022年，包括聯(lián)發(fā)科、英偉達(dá)及高通都已有5/4nm產(chǎn)品量產(chǎn)計(jì)劃，加上AMD Zen4架構(gòu)的放量，以及英特爾CPU委外生產(chǎn)預(yù)估將于2022年首先采用5nm制程，龐大的需求量已促使臺(tái)積電著手進(jìn)行5nm擴(kuò)產(chǎn)計(jì)劃。且根據(jù)目前觀察，蘋(píng)果在2022年持續(xù)采用4nm（為5nm微縮制程）生產(chǎn)A16處理器的可能性相當(dāng)高，屆時(shí)不排除臺(tái)積電將進(jìn)一步把5nm產(chǎn)能再擴(kuò)大，以支持客戶強(qiáng)勁的需求。

吳漢明：摩爾定律趨緩給追趕者機(jī)會(huì)，必須樹(shù)立產(chǎn)業(yè)技術(shù)導(dǎo)向的科技文化，“中國(guó)芯”產(chǎn)業(yè)注定艱難

吳漢明指出，當(dāng)前我國(guó)集成電路產(chǎn)業(yè)技術(shù)創(chuàng)新面臨兩大壁壘：一是戰(zhàn)略性壁壘，二是產(chǎn)業(yè)性壁壘。從巴黎統(tǒng)籌委員會(huì)到瓦森納協(xié)議，都在警示我國(guó)必須擁有相對(duì)可控的產(chǎn)業(yè)鏈，特別是對(duì)工藝、裝備材料、設(shè)計(jì)IP核與EDA三大卡脖子制造環(huán)節(jié)進(jìn)行重點(diǎn)突破，這就是中國(guó)“芯”面臨的戰(zhàn)略性壁壘。而集成電路產(chǎn)業(yè)鏈長(zhǎng)、涉及領(lǐng)域?qū)挼奶攸c(diǎn)給中國(guó)集成電路突破政治壁壘帶來(lái)極大挑戰(zhàn)。產(chǎn)業(yè)壁壘方面，我國(guó)集成電路基礎(chǔ)研究薄弱、產(chǎn)業(yè)技術(shù)儲(chǔ)備匱乏，而世界龍頭企業(yè)早期布置的知識(shí)產(chǎn)權(quán)給后來(lái)者的突圍造成障礙。

他總結(jié)說(shuō)：“‘中國(guó)芯’產(chǎn)業(yè)注定艱難，尤其芯片制造工藝，挑戰(zhàn)極為嚴(yán)峻。”從芯片制造角度來(lái)看，硅單晶、制造工藝和封裝三大環(huán)節(jié)中，80％的裝備投入都在制造工藝環(huán)節(jié)，正是因?yàn)橥顿Y強(qiáng)度太大，投資回報(bào)慢，所以制造工藝是我國(guó)集成電路產(chǎn)業(yè)發(fā)展中最大的瓶頸。而芯片制造主要面臨三大挑戰(zhàn)：圖形轉(zhuǎn)移、新材料與工藝、良率提升。

三星計(jì)劃在2年內(nèi)追上臺(tái)積電，2022年將量產(chǎn)3nm工藝

在半導(dǎo)體晶圓代工上，臺(tái)積電一家獨(dú)大，從10nm之后開(kāi)始遙遙領(lǐng)先，然而三星的追趕一刻也沒(méi)放松，今年三星也量產(chǎn)了5nmEUV工藝。三星計(jì)劃在2年內(nèi)追上臺(tái)積電，2022年將量產(chǎn)3nm工藝。

從2019年開(kāi)始，三星啟動(dòng)了一個(gè)“半導(dǎo)體2030計(jì)劃”，希望在2030年之前投資133萬(wàn)億韓元，約合1160億美元稱(chēng)為全球最大的半導(dǎo)體公司，其中先進(jìn)邏輯工藝是重點(diǎn)之一，目標(biāo)就是要追趕上臺(tái)積電。

最新消息稱(chēng)，三星半導(dǎo)體業(yè)務(wù)部門(mén)的高管日前透露說(shuō)，三星計(jì)劃在2022年量產(chǎn)3nm工藝，而臺(tái)積電的計(jì)劃是2022年下半年量產(chǎn)3nm工藝，如此一來(lái)三星兩年后就要趕超臺(tái)積電了。

但三星追趕臺(tái)積電的關(guān)鍵是在下一代的3nm上，因?yàn)檫@一代工藝上三星押注了GAA環(huán)繞柵極晶體管，是全球第一家導(dǎo)入GAA工藝以取代FinFET工藝的，而臺(tái)積電比較保守，3nm還是用FinFET，2nm上才會(huì)使用GAA工藝。

聯(lián)合中科院微電子所、電子科大等單位，成都打造集成電路工藝研發(fā)創(chuàng)新中心

此次共建的成都集成電路工藝研發(fā)創(chuàng)新中心，將依托成都高真科技有限公司建立集成電路工藝試驗(yàn)線，聯(lián)合中科院微電子所、電子科大等國(guó)內(nèi)優(yōu)勢(shì)單位，圍繞產(chǎn)線工藝提升、國(guó)產(chǎn)設(shè)備驗(yàn)證、核心器件研究及代工服務(wù)、專(zhuān)業(yè)人才培育進(jìn)行合作創(chuàng)新。

5納米光刻機(jī)或?qū)仐墸┬酒瓉?lái)突破性能是硅基芯片10倍

咱們專(zhuān)家還真就研制出了一條新的芯片制造之路，一旦成功可以完美的突破目前芯片制造的壁壘。那就是中科院專(zhuān)家團(tuán)隊(duì)成功研制出了石墨烯芯片，并且即將問(wèn)世。

石墨烯芯片被很多人直接將它稱(chēng)為碳基芯片，其主要組成成分是石墨烯碳納米管，目前市面上并沒(méi)有出現(xiàn)類(lèi)似的技術(shù)，利用這種全新的材料來(lái)制造芯片，我們才能夠?qū)崿F(xiàn)彎道超車(chē)，而目前我們?cè)谑┬酒邪l(fā)上，也取得了突破性的進(jìn)展。而它最大的一個(gè)特點(diǎn)就是它的制造過(guò)程當(dāng)中不需要光刻工藝。

而如果采用新的碳基芯片的話，就完全不一樣了，將順利突破硅基芯片的天花板。就算是在同等的制程工藝上，碳基芯片的整體性能，也會(huì)比硅基芯片的性能提升十倍以上，碳基芯片的優(yōu)勢(shì)是顯而易見(jiàn)的。

格科微科創(chuàng)板IPO成功過(guò)會(huì)！

格科微成立于 2003 年，主要從事 CMOS 圖像傳感器的研發(fā)、設(shè)計(jì)和銷(xiāo)售。2012 年，公司實(shí)現(xiàn)了顯示驅(qū)動(dòng)芯片的量產(chǎn)，進(jìn)一步拓展了產(chǎn)品線，提升了公司的盈利能力。未來(lái)，格科微擬通過(guò)自建部分 12 英寸 BSI 晶圓后道產(chǎn)線、12 英寸晶圓制造中試線、部分 OCF 制造及背磨切割等產(chǎn)線的方式，逐步由 Fabless 模式向 Fab-Lite 模式轉(zhuǎn)變。

11月6日，據(jù)上交所發(fā)布科創(chuàng)板上市委2020年第98次審議會(huì)議結(jié)果顯示，格科微有限公司IPO首發(fā)過(guò)會(huì)。

密謀五年臺(tái)積電扳倒英特爾的三大絕招

關(guān)鍵1：獨(dú)家IP 拿下AMD訂單的決勝武器之一

業(yè)界人士觀察，AMD和臺(tái)積電合作，今年下半年會(huì)端出殺手級(jí)的產(chǎn)品，「沒(méi)有意外的話，今年下半年AMD會(huì)推出第一顆3D封裝IC」。過(guò)去，英特爾在伺服器市場(chǎng)的市占率超過(guò)95%，但現(xiàn)在已有人預(yù)測(cè)，未來(lái)AMD和英特爾在伺服器市場(chǎng)的市占率，將達(dá)到3:7。

關(guān)鍵2：先進(jìn)封裝技術(shù)業(yè)界人士：效能提升「會(huì)非常恐怖！

臺(tái)積電與弘塑等設(shè)備商合作開(kāi)發(fā)3D封裝用的新材料，在芯片上層再疊一層芯片，中間用特制的納米雙晶銅材料貫穿。「再過(guò)3年，臺(tái)積電就有能力把PC主機(jī)板上的芯片，Type C、HDMI相關(guān)的芯片都放進(jìn)來(lái)。」他分析，一旦解決散熱的問(wèn)題，未來(lái)一塊芯片，就能完成現(xiàn)在一臺(tái)PC才能做的工作。

關(guān)鍵3：手機(jī)處理器具直接挑戰(zhàn)PC處理器能力

賽微電子堅(jiān)持MEMS純代工模式

2020年是賽微電子（300456）戰(zhàn)略調(diào)整關(guān)鍵年份，剝離航空電子業(yè)務(wù)（青州耐威），在原有導(dǎo)航業(yè)務(wù)基礎(chǔ)上，逐步聚焦半導(dǎo)體業(yè)務(wù)，涵蓋MEMS晶圓制造和GaN材料與器件領(lǐng)域。

根據(jù)公司三季報(bào)，受益于下游生物醫(yī)療、工業(yè)及科學(xué)、通訊、消費(fèi)電子等應(yīng)用市場(chǎng)的高景氣度，公司MEMS業(yè)務(wù)營(yíng)收4.83億元，同比增長(zhǎng)25.54%。

賽微電子MEMS業(yè)務(wù)收入占整體業(yè)務(wù)已經(jīng)超過(guò)90%。

同時(shí)，賽微電子的MEMS北京產(chǎn)線也已經(jīng)建成通線，目前正處于驗(yàn)收收尾和調(diào)整優(yōu)化產(chǎn)線階段。

MEMS良率水平：MEMS產(chǎn)品類(lèi)型繁多、高度差異化、定制化以及工藝復(fù)雜、代工難度較高等特點(diǎn)決定了，MEMS代工良率一般低于傳統(tǒng)IC代工。賽微電子目前瑞典MEMS產(chǎn)線的良率在70%左右，屬于業(yè)內(nèi)領(lǐng)先水平。

瑞典和北京兩地產(chǎn)線進(jìn)展：瑞典MEMS產(chǎn)線升級(jí)工作已經(jīng)完成，投入超過(guò)3億元，原有6英寸產(chǎn)線（FAB1）升級(jí)切換成8英寸產(chǎn)線，原有8英寸產(chǎn)線（FAB2）已完成擴(kuò)產(chǎn)，合計(jì)MEMS晶圓產(chǎn)能提升至7000片/月的水平，產(chǎn)能提升超過(guò)30%；北京MEMS產(chǎn)線已經(jīng)建成通線，正在推進(jìn)驗(yàn)收收尾工作，并結(jié)合熱線及內(nèi)部驗(yàn)證批晶圓的制造情況，調(diào)整優(yōu)化產(chǎn)線。會(huì)在最短時(shí)間內(nèi)完成產(chǎn)能爬坡。

華為急單加持全球Q3前十大封測(cè)廠營(yíng)收增至67.59億美元

臺(tái)積電2nm工藝重大突破，2023年投入試產(chǎn)

臺(tái)積電已經(jīng)在2nm工藝上取得一項(xiàng)重大的內(nèi)部突破，雖未披露細(xì)節(jié)，但是據(jù)此樂(lè)觀預(yù)計(jì)，2nm工藝有望在2023年下半年進(jìn)行風(fēng)險(xiǎn)性試產(chǎn)，2024年就能步入量產(chǎn)階段。

臺(tái)積電還表示，2nm的突破將再次拉大與競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手的差距，同時(shí)延續(xù)摩爾定律，繼續(xù)挺進(jìn)1nm工藝的研發(fā)。

臺(tái)積電預(yù)計(jì)，蘋(píng)果、高通、NVIDIA、AMD等客戶都有望率先采納其2nm工藝。

應(yīng)用材料上季營(yíng)收達(dá)46.9億美元，樂(lè)觀看待本季展望

公司上季營(yíng)收年增25%至46.9億美元，高于去年同期的37.5億美元和分析師預(yù)估的46億美元。應(yīng)用材料上季調(diào)整后每股盈余為1.25美元，優(yōu)于市場(chǎng)預(yù)估的1.17美元。

應(yīng)用材料12日公布，到10月25日止的年度第4季（上季）凈利為11.3億美元，每股盈余（EPS）1.23美元，分別高于去年同期的6.98億美元和每股盈余0.75美元。

三星挑戰(zhàn)索尼的CIS龍頭位置

華為是僅次于蘋(píng)果的索尼制造的傳感器的第二大用戶。盡管索尼在限制措施實(shí)施前的圖像傳感器銷(xiāo)售額增長(zhǎng)了約1萬(wàn)億日元（合95.8億美元），但估計(jì)華為的供應(yīng)量約占總量的20％。

根據(jù)英國(guó)研究公司Omdia的數(shù)據(jù)，憑借其互補(bǔ)的金屬氧化物半導(dǎo)體（CMOS）圖像傳感器，索尼在2019年占全球市場(chǎng)約53.5％的份額，其次為三星的18.1％。

索尼在競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手之前開(kāi)發(fā)了高性能的“疊層”圖像傳感器，并一直主要以高價(jià)位提供產(chǎn)品。被視為具有優(yōu)于三星技術(shù)的索尼，被蘋(píng)果和華為選中為其智能手機(jī)中的高性能相機(jī)提供圖像傳感器。

華為斷臂自救榮耀正式獨(dú)立

今日（11月17日），多家企業(yè)在《深圳特區(qū)報(bào)》發(fā)布聯(lián)合聲明，深圳市智信新信息技術(shù)有限公司已與華為投資控股有限公司簽署了收購(gòu)協(xié)議，完成對(duì)榮耀品牌相關(guān)業(yè)務(wù)資產(chǎn)的全面收購(gòu)。

盡管沒(méi)有披露具體的交易金額，但據(jù)相關(guān)消息顯示，此次交易的價(jià)值約為 400 億美元，約合 2633 億人民幣。

IC insights：先進(jìn)工藝需求將持續(xù)增長(zhǎng)

根據(jù)IC Insights發(fā)布的《 2020-2024年全球晶圓產(chǎn)能》報(bào)告，從2024年開(kāi)始，領(lǐng)先（<10nm）工藝的IC產(chǎn)能預(yù)計(jì)將增長(zhǎng)，并將成為整個(gè)行業(yè)每月安裝容量的最大來(lái)源。

報(bào)道指出，到2020年底，10nm以下工藝的產(chǎn)能預(yù)計(jì)將占IC工業(yè)晶圓總產(chǎn)能的10％，然后預(yù)計(jì)2022年將首次超過(guò)20％，并在2024年增加至全球產(chǎn)能的30％。

從IC Insights的2020-2024年全球晶圓產(chǎn)能報(bào)告，我們還有其他發(fā)現(xiàn)，包括：

1、2020年，預(yù)計(jì)所有晶圓容量的48％將用于最小幾何尺寸（或等效的最小幾何尺寸）小于20nm的設(shè)備（而小于10nm的占比10.0％；介乎10-20nm之間的是38.4％）。此類(lèi)設(shè)備包括具有等效10nm級(jí)技術(shù)的高密度DRAM和高密度3D NAND閃存，高性能微處理器，低功耗應(yīng)用處理器以及基于16 / 14nm，12 / 10nm的高級(jí)ASIC / ASSP / FPGA器件，或7 / 5nm技術(shù)。

2、在低于20nm的工藝中，韓國(guó)擁有66％的產(chǎn)能，與其他地區(qū)或國(guó)家相比，韓國(guó)的領(lǐng)先優(yōu)勢(shì)仍然明顯得多。鑒于三星和SK Hynix對(duì)高密度DRAM，閃存和三星應(yīng)用處理器的重視，該國(guó)擁有最先進(jìn)的專(zhuān)用晶圓產(chǎn)能就不足為奇了。

3、因?yàn)樘O(píng)果公司，華為公司和高通公司持續(xù)使用臺(tái)積電的先進(jìn)工藝服務(wù)。這就使得中國(guó)臺(tái)灣小于20nm工藝的總產(chǎn)能超過(guò)35％。盡管如此，28nm，45 / 40nm和65nm世代繼續(xù)為臺(tái)積電和聯(lián)電等代工廠創(chuàng)造大量業(yè)務(wù)。

4、中國(guó)大陸大多數(shù)小于20nm的產(chǎn)能由外國(guó)公司擁有和控制，這些外國(guó)公司包括三星，SK海力士，英特爾和臺(tái)積電。YMTC和中芯國(guó)際是僅有的提供小于20nm制程技術(shù)的中國(guó)公司。

英特爾花了5年布了一個(gè)大局

5年來(lái)，英特爾所有的布局都是圍繞這個(gè)目標(biāo)，六大技術(shù)支柱其實(shí)就是它實(shí)現(xiàn)這個(gè)目標(biāo)的手段--分別從處理器架構(gòu)、工藝、封裝（實(shí)現(xiàn)異構(gòu)處理器）、互聯(lián)、存儲(chǔ)、軟件、安全去打造一個(gè)新的平臺(tái)。

銳成芯微突破技術(shù)封鎖，做國(guó)內(nèi)超低功耗IP的探索者

成都銳成芯微科技股份有限公司（以下簡(jiǎn)稱(chēng)“銳成芯微”）是一家專(zhuān)注于超低功耗模擬IP、高可靠性eNVM、RF IP和高速接口IP研發(fā)以及授權(quán)業(yè)務(wù)的國(guó)家高新技術(shù)企業(yè)。截至目前，銳成芯微已與國(guó)內(nèi)外20多家晶圓代工廠開(kāi)展合作，產(chǎn)品覆蓋從14/16nm到180nm的CMOS、BiCMOS、BCD、SiGe、 HV、FinFET和FD-SOI等幾十個(gè)工藝制程，同時(shí)擁有國(guó)內(nèi)外專(zhuān)利超200件，累計(jì)開(kāi)發(fā)IP 500多項(xiàng)，服務(wù)全球300多家集成電路設(shè)計(jì)企業(yè)，產(chǎn)品廣泛應(yīng)用于物聯(lián)網(wǎng)、智能家居、汽車(chē)電子、智慧電源、可穿戴、醫(yī)療電子、工業(yè)控制等領(lǐng)域。

與此同時(shí)，銳成芯微在今年與兆芯建立了IP戰(zhàn)略伙伴關(guān)系，與華潤(rùn)微共同推出創(chuàng)新型eFlash解決方案。就在這個(gè)月，該公司還與旺玖科技合作推出面向車(chē)載系統(tǒng)的全新USB Auto Hub橋接芯片。

據(jù)了解，收購(gòu)盛芯微讓銳成芯微一舉補(bǔ)足了射頻類(lèi)IP產(chǎn)品線，形成了集模擬IP、存儲(chǔ)IP、射頻IP和高速接口IP的一站式IP和Turnkey解決方案，為迎接物聯(lián)網(wǎng)無(wú)線化趨勢(shì)做好了充足的準(zhǔn)備。

傳三星將投百億美元在美國(guó)德州建EUV新廠

鉅亨網(wǎng)援引韓媒報(bào)道稱(chēng)，為如期在2022 年量產(chǎn) 3 納米芯片，三星將在美國(guó)德州奧斯汀的半導(dǎo)體子公司啟動(dòng)EUV專(zhuān)用系統(tǒng) LSI 新廠投資計(jì)劃。據(jù)悉，此項(xiàng)投資高達(dá) 100 億美元，月產(chǎn)能約 7 萬(wàn)片。

美SkyWater Technology在45nm用多電子束無(wú)掩膜光刻機(jī)

SkyWater Technology計(jì)劃將Multibeam的多列電子束光刻（MEBL）系統(tǒng)部署到其新擴(kuò)建的鑄造制造設(shè)施中。該MEBL系統(tǒng)將于2021年推出，它將能夠在45nm及以上的全晶圓無(wú)掩模圖形。“MEBL的部署將使我們的所有客戶受益，包括政府和商業(yè)。此外，這一關(guān)鍵能力將支持SkyWater追求獨(dú)特的鑄造產(chǎn)品，將200mm制造的靈活性和靈活性與45nm工藝技術(shù)的先進(jìn)性能相結(jié)合，”SkyWater總裁兼首席執(zhí)行官Thomas Sonderman說(shuō)。

英特爾CPU路線曝光碾壓AMD和Arm就在4年后？

我們最近不僅收到了英特爾的內(nèi)部客戶端CPU路線圖，我們還收到了內(nèi)部服務(wù)器路線圖，一直延伸到2024年的roadmap。在我開(kāi)始分享這個(gè)路線圖的細(xì)節(jié)之前，我必須澄清，因?yàn)檫@個(gè)路線圖是以當(dāng)下思路迭代的，可能會(huì)在未來(lái)改變。半導(dǎo)體公司，尤其是英特爾，將在必要時(shí)改變路線。但我認(rèn)為這個(gè)路線圖很有價(jià)值。

在這個(gè)路線圖上有一些東西我從來(lái)沒(méi)有看到過(guò)：競(jìng)爭(zhēng)力。英特爾將每一個(gè)處理器與一個(gè)競(jìng)爭(zhēng)水平聯(lián)系起來(lái)，從輸?shù)节A。這份路線圖不僅會(huì)告訴我們什么時(shí)候推出，而且還會(huì)告訴我們英特爾何時(shí)認(rèn)為自己可以完全打壓競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手AMD和新興的ARM服務(wù)器公司。

英特爾在2024年計(jì)劃推出DiamondRapids，同時(shí)擁有SP和AP兩個(gè)版本。Diamond Rapids可能是7nm或者5nm，英特爾對(duì)Diamond Rapids非常具有信心，并相信將是他們多年來(lái)最具競(jìng)爭(zhēng)力的產(chǎn)品。在這個(gè)階段，英特爾可能認(rèn)為無(wú)論是AMD還是Arm的服務(wù)器CPU供應(yīng)商都無(wú)法與之競(jìng)爭(zhēng)。

三星對(duì)抗臺(tái)積電的三大挑戰(zhàn)

這是“三星1160億美元計(jì)劃挑戰(zhàn)臺(tái)積電”（SamsungTakes Another Step in $116 Billion Plan to Take on TSMC）文章的后續(xù)。兩篇文章的作者都是同一個(gè)人，在彭博社韓國(guó)區(qū)工作，雖說(shuō)沒(méi)有半導(dǎo)體教育背景和經(jīng)驗(yàn)，但一定了解三星，且能與三星高層直接取得聯(lián)系，可以下一個(gè)判斷，該類(lèi)文章就是出自三星之口。

我認(rèn)為，三星在3nm工藝上存在三個(gè)挑戰(zhàn)：

第一個(gè)挑戰(zhàn)是生態(tài)，臺(tái)積電使用的是一種久經(jīng)考驗(yàn)的切實(shí)成真的技術(shù)，由EDA、IP和服務(wù)公司組成的龐大生態(tài)系統(tǒng)所支持。數(shù)以百計(jì)得到驗(yàn)證的IP將立即提供給TSMC 3nm客戶，而三星必須建立一個(gè)新的GAA生態(tài)系統(tǒng)。這肯定沒(méi)那么容易。

第二個(gè)挑戰(zhàn)就是信任，代工廠的信任有很多形式：相信你的IP安全可靠，相信代工廠不會(huì)與你不公平競(jìng)爭(zhēng)，相信代工廠能提供良好的PPA（功率/性能/體積）技術(shù)。

第三個(gè)挑戰(zhàn)就是良率，GAA是一種新的工藝技術(shù)，且三星一直被良率問(wèn)題所困擾。新技術(shù)第一個(gè)吃螃蟹的人值得尊重，也是榮耀的象征，且我本人對(duì)三星的技術(shù)實(shí)力深表敬意。但我對(duì)三星引入一種新工藝并實(shí)現(xiàn)大批量量產(chǎn)的過(guò)程產(chǎn)生質(zhì)疑，這中間一定困難重重。客戶也必須要相信代工廠能良好的履行承諾，提供好的晶圓，以滿足商定的芯片交貨時(shí)間表。

長(zhǎng)江存儲(chǔ)CEO楊士寧曝光三大消息打入華為Mate40研發(fā)太快要慢一點(diǎn)兒為賺錢(qián)轉(zhuǎn)型生意人！

楊士寧表示：雖然長(zhǎng)存的 64 層 3DNAND 只是我們第一個(gè)產(chǎn)品，但是這顆產(chǎn)品已經(jīng)做到了 Mate40 的旗艦機(jī)里面，在這里面我們看到了國(guó)內(nèi)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈彼此協(xié)同合作和未來(lái)長(zhǎng)遠(yuǎn)的發(fā)展機(jī)會(huì)。

此外，楊士寧還展示了 Xtacking 技術(shù)，表示：在這一方面，長(zhǎng)江存儲(chǔ)也是走在國(guó)際最前沿的；長(zhǎng)存的技術(shù)也是非常先進(jìn)的，以后可以委托給中芯國(guó)際；同時(shí)也要感謝國(guó)產(chǎn)同行的支持。他還表示，目前只有帶有 Xtacking 標(biāo)簽的終端產(chǎn)品才擁有真正國(guó)產(chǎn)閃存芯片（長(zhǎng)存芯片）。

此外，長(zhǎng)江存儲(chǔ)也公布了自己的路線圖，“長(zhǎng)江存儲(chǔ) 3 年走了其他人 6 年走過(guò)的路”長(zhǎng)存的 128 層存儲(chǔ)（TLC/QLC）正在推進(jìn)。楊士寧表示 “我說(shuō)我們不做最后一名，我們肯定不做最后一名，但我跟我們比的都是有三四十年歷史的。雖然我還沒(méi)有宣布，但下一代，爭(zhēng)取在下一代走到最前沿，爭(zhēng)取作第一第二名。

AMD蘇姿豐獲半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)最高榮譽(yù)！

AMD首席執(zhí)行官蘇姿豐成為羅伯特?N?諾伊斯獎(jiǎng)歷史上第一位女性華裔獲獎(jiǎng)?wù)摺?/p>

11月20日消息，在2020年美國(guó)半導(dǎo)體行業(yè)協(xié)會(huì)（Semiconductor Industry Association，下稱(chēng)SIA）的領(lǐng)導(dǎo)力論壇及頒獎(jiǎng)典禮上，AMD首席執(zhí)行官蘇姿豐正式接過(guò)獎(jiǎng)杯，成為羅伯特?N?諾伊斯獎(jiǎng)（Robert N.Noyce）歷史上第一位女性華裔獲獎(jiǎng)?wù)摺?/p>