通富微電今日公告，為深化與富士通半導體株式會社的合作，促進雙方的科技創新和進步，擬在合作、平等、共贏的基礎上建立合作研發平臺，利用半導體產業快速發展的機遇加快先進封裝技術成果的轉化及產業化。2010年8月30日，雙方簽署了《合作設立研發中心意向書》。

　　資料顯示，富士通半導體與通富微電第二大股東富士通中國同為富士通株式會社的全資子公司，同受富士通株式會社控制，為公司關聯方。

　　據公告，研發中心設在通富微電，研發中心設主任一名，副主任兩名。主任由通富微電董事長石明達擔任，副主任分別由雙方各推薦一名擔任。富士通半導體委派3-4 名研發人員在研發中心工作。富士通半導體委派人員的薪資待遇參照現行委派人員執行。

　　同時，雙方共同協商制定研發中心的研發戰略、方向及項目。在今后1-2 年內，研發的重點是Fan-Out WLP、Low Cost FCBGA等技術。研發過程中形成的專利技術根據貢獻度確定專利所有，雙方均可使用該項專利技術。

　　對于此次合作，公司表示，研發中心的設立，將加大研發新型封裝產品和技術的力度，有利于公司綜合技術水平的提升，有利于加快先進封裝技術成果的轉化及產業化。同時，對公司優化產品結構，實現產品技術處于行業領先地位的目標也會產生實質性的積極作用。