針對10nm節點，英特爾希望在非關鍵層使用193nm浸入式技術，以及在更復雜和更精細的線切割步驟中使用EUV。“在這些步驟中，EUV是我們的首要選擇，”他說。如果EUV尚未就緒，那么英特爾很可能會使用無光罩或193nm浸入式技術來處理線切割步驟。

　　英特爾也已大致確立了其10nm設計規則，它將是基于1D單向、柵格式的設計。但難題是：英特爾的10nm設計規則必須以EUV或是193nm浸入式方案其中一種為主，他表示。

　　EUV顯然趕不及英特爾的10nm節點設計規則定義時程了，他說。據報導，英特爾已開始制定基于193nm浸入式和多重曝光(multiple-patterning)的設計規則。

　　當EUV工具就緒，英特爾可能會回頭重新定義設計規則。因此，實際上EUV仍有可能用于10nm節點。但若工具沒有準備好，英特爾就必須尋求其他的選擇。該公司的10納米設計規則將正式在2013年第一季抵定。