日本爾必達公司27日宣布已經開始銷售采用穿硅互連技術(TSV)制作的DDR3 SDRAM三維堆疊芯片的樣品。這款樣品的內部由四塊2Gb密度DDR3 SDRAM芯片通過TSV三維堆疊技術封裝為一塊8Gb密度DDR3 SDRAM芯片(相當1GB容量)，該三維芯片中還集成了接口功能芯片。

　　爾必達公司自2004年起便開始研發TSV技術，當時他們是在獲得日本政府主導的新能源及工業技術發展協會(New Energy and Industrial Technology Development Organization (NEDO))資金支援的條件下開始有關技術的研發的。爾必達公司隨后便一直在繼續進行有關的技術開發工作。公司還宣稱早在09年，爾必達便已經成功研發出了業內首款基于TSV技術以及1Gb DDR3 SGRAM的產品。

　　至于筆記本產品上的應用方面，爾必達則認為這次宣布銷售的樣品芯片相比傳統筆記本用SODIMM內存更加省電，產品的工作電壓下降了20%，待機能耗降低了50%，而且芯片封裝后的面積也下降了70%。