③只發現一張最高版本并且有效地壞塊表Vn+1，并且有1張有效壞塊表Vn——發生在寫第二張Vn+1突然掉電，并且之前寫第二張Vn也發生掉電；
④僅發現一張壞塊表V0——發生在系統寫第二張V0時掉電，此時系統需重新掃描建立映射表V1；
⑤沒有發現任何壞塊表——系統最初狀態；
⑥兩個完整的壞塊表Vn+1，但num_bad_blk不一樣——這種情況發生在更新第二個壞塊表Vn+1時，寫的時候出錯，產生一個新的壞塊，從而第二次更新的壞塊表Vn+1的壞塊數增加了。
對于情況①，只需在系統最初建立前建立好映射關系即可。
對于情況②，它經常出現在系統在寫或者擦除Flash數據塊時突然斷電，導致數據或者ECC變化，從而Flash讀導致ECC不正確。實際上Fl-ash塊并沒有壞。根據此種情況，將首先為此塊分配一個映射塊，并把數據拷入映射塊。接著對此塊進行torture操作，如果發現它為好塊，則將之前映射操作撤銷，將數據重新拷入此好塊。如果此塊確實已壞，則將此塊標記為壞塊，并更新映射表。
對于情況③，分配一個新的映射塊，把有效數據寫入新塊，并建立映射信息。
對于情況④，分配一個新的映射塊，并將此塊查出，然后建立映射信息。
對于情況⑤，掃描整個Flash，建立映射表Vn、V0。
對于情況⑥，則采用壞塊多的映射表Vn+1，并用它更新Vn+2、Vn+2。
2．2．2 壞塊管理及上層接口實現
該模塊實現基于上節所述壞塊管理算法對Flash的所有有效塊的使用。它主要是處理運行中產生壞塊的情況，并讓上層程序屏蔽此信息。
NAND Flash的壞塊包含如下三種類型：
◆Flash上存在的出廠壞塊；
◆讀過程發生比特反轉而被視為的壞塊；
◆操作過程(讀，寫，擦除)中產生的新的壞塊。
對于此模塊主要完成后兩種動態壞塊類型的處理過程。對于出廠壞塊，只需在初始化時檢測出來并將其映射到一個好塊，以后的讀寫過程中對映射塊操作即可。
對于運行中產生的壞塊，從操作類型(讀、寫、擦除)來進行分別處理。
①讀過程中的比特反轉導致ECC錯誤，由于比特反轉是NAND工藝決定的，且是不可避免的隨機行為，所以不能簡單地根據ECC錯誤就將其當作壞塊處理。具體處理流程如圖4所示，通過torture操作判斷此“壞塊”已真正成為壞塊。

如果NAND Flash在執行擦除或寫操作過程時發生斷電，則所操作的塊內的數據具有不確定性。下次讀該塊的內容時，可能發生無法糾正的ECC錯誤。為了能處理這種情況，圖4中的torture處理，其實現原理就是選擇一些數據寫入該塊，再讀出，如果不一致則該塊已變成壞塊。