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華為出手第三代半導體材料 性能實現千倍提升

作者: 時間:2019-08-28 來源:中國證券網 收藏

出資7億元全資控股,剛剛于今年4月23日成立的哈勃科技投資有限公司近日出手,投資了山東天岳先進材料科技有限公司,持股達10%。山東天岳是我國第三代材料龍頭企業。

本文引用地址:http://cqxgywz.com/article/201908/404168.htm

華創證券認為,我國及全球5G網絡正在大規模建設中。大數據傳輸、云計算、AI技術、物聯網,包括下一步的能源傳輸,對網絡傳輸速度及容量提出了越來越高的要求,大功率芯片的市場需求非常大。而硅材料的負載量已到達極限,以硅作為基片的器件性能和能力極限已無可突破的空間。

是制造高溫、高頻、大功率器件的理想襯底材料,綜合性能較硅材料可提升上千倍,被譽為固態光源、電力電子、微波射頻器件的“核芯”,是光電子和微電子等產業的“新發動機”。材料實現量產后,將打破國外壟斷,推動國內5G芯片技術和生產能力的提升。 



關鍵詞: 華為 半導體 碳化硅

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