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ASML 回擊質疑:High-NA EUV 光刻仍是未來最經濟選擇

作者: 時間:2024-02-02 來源:IT之家 收藏

 2 月 2 日消息, 首席財務官 Roger Dassen 近日接受了荷蘭當地媒體 Bits&Chips 的采訪。在采訪中,Dassen 回應了分析機構 SemiAnalysis 的質疑,表示 High-NA(高數值孔徑)EUV(極紫外光)仍是未來最經濟的選擇。

本文引用地址:http://cqxgywz.com/article/202402/455340.htm

SemiAnalysis 之前刊發文章,認為 High-NA 光刻技術將使用更高的曝光劑量,從而明顯降低單位時間內的晶圓吞吐量。這就意味著,相較于沿用現有的 0.33NA EUV 并搭配多重曝光,引入 High-NA 在近期不會帶來成本優勢。

Dassen 認為,SemiAnalysis 的觀點輕視了多重曝光路線的復雜程度,英特爾 10nm 制程難產的關鍵原因之一就是其 DUV+SAQP(IT之家注:Self-Aligned Quadruple Patterning,即自對準四重曝光)技術路線過于復雜,正因此英特爾積極布局 High-NA EUV 技術,買下了第一臺 High-NA

Dassen 表示,不同客戶對于引入 High-NA 的時間點有不同評估是很自然的,不過 AMSL 每季度都獲得了數個 High-NA EUV 光刻機新訂單。



關鍵詞: ASML 光刻機

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