日前，日本三井化學宣布將在其巖國大竹工廠設立碳納米管 (CNT) 薄膜生產線，開始量產半導體最尖端光刻機的零部件產品（保護半導體電路原版的薄膜材料“Pellicle”的新一代產品）。

據悉，此種CNT薄膜可以實現92%以上的高EUV透射率和超過1kW曝光輸出功率的光阻能力。三井化學預期年產能力為5000張，生產線預計于2025年12月完工，可為ASML將推出的下一代高數值孔徑、高輸出EUV光刻機提供支持。